检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 489-491页

作者：徐刚毅李耀耀李爱珍魏林张永刚李华中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL),提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长为7.7μm的分布反馈量子级联激光器.激光器可以在大的温... 详细信息

报道了室温脉冲工作和低温下连续工作的分布反馈量子级联激光器(DFB-QCL),提出了一种新型波导和光栅制备技术,同时获得了合适的光耦合系数和低的波导损耗.利用这种方法研制出波长为7.7μm的分布反馈量子级联激光器.激光器可以在大的温度范围内(155～320K)实现单模激射,边模抑制比约***-QCL在室温脉冲工作时阈值电流密度为970A/cm2,峰值输出功率达到75mW.该激光器还可以在连续模式下工作,最高工作温度为130K.

关键词：中红外分布反馈量子级联激光器

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THz量子级联激光器的材料生长和器件制作

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功能材料 2007年第A01期38卷 11-12页

作者：韩英军黎华谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用分子束外延的方法，生长了GaAs／Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构，并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9-150K的范围内，测量了器件的I-V曲线。

关键词：太赫兹量子级联激光器分子束外延

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Effects of Si Ion Implantation on the Total-Dose Radiation Properties of SIMOX SOI Materials

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Journal of Semiconductors 2007年第3期28卷 323-326页

作者：杨慧张恩霞张正选中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

To improve the total-dose radiation hardness,silicon-on-insulator （SOI） wafers fabricated by the separation-by-implanted-oxygen （SIMOX） method are modified by Si ion implantation into the buried oxide with a post anneal. The ID- VG characteristics can be tested with the pseudo-MOSFET method before and after radiation. The results show that a proper Si-ion-implantation method can enhance the total-dose radiation tolerance of the materials.

关键词： SIMOX SOI Si ion implantation total-dose radiation effect pseudo-MOS

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金属键合技术及其在光电器件中的应用

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激光与光电子学进展 2007年第1期44卷 31-37页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用。金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了常用的金属键合方法及其工艺条件;并着重论述了该技术在光电... 详细信息

系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用。金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了常用的金属键合方法及其工艺条件;并着重论述了该技术在光电器件特别是垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构制作中的应用。金属键合可以实现衬底倒扣和改善器件热学性能,而对器件原有的光学性质影响不大。

关键词：光电器件金属键合工艺表征应用垂直腔面发射激光器

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长波长垂直腔面发射激光器研究

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物理 2007年第4期36卷 306-312页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

垂直腔面发射激光器(简称VCSEL)近年来受到了国内外科技界和企业界的高度关注,它在光通信领域具有潜在的应用.文章主要介绍了长波长垂直腔面发射激光器的发展历史、基本应用、器件结构、材料和制备工艺,最后分析了研制长波长VCSEL所遇... 详细信息

垂直腔面发射激光器(简称VCSEL)近年来受到了国内外科技界和企业界的高度关注,它在光通信领域具有潜在的应用.文章主要介绍了长波长垂直腔面发射激光器的发展历史、基本应用、器件结构、材料和制备工艺,最后分析了研制长波长VCSEL所遇到的问题及相应解决方法,并进行了展望.

关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL) 布拉格反射镜(DBR) 有源层键合隧道结

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Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应

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功能材料与器件学报 2007年第3期13卷 233-236页

作者：杨慧张正选张恩霞中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应。试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响... 详细信息

为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应。试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响。研究结果表明,合适的改性工艺能有效提高材料抗总剂量辐照效应的能力,pseudo-MOS方法在大大缩短SOI材料改性周期的基础上,能准确、快捷地对材料的总剂量辐照效应进行表征。

关键词： SIMOX SOI 总剂量辐照效应 Pseudo—MOS

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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 426-429页

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.

关键词：异质结双极晶体管 InGaP/GaAs 直流特性

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干法刻蚀对InAsP/InGaAsP应变多量子阱发光特性的影响

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 467-470页

作者：曹萌吴惠桢劳燕锋刘成谢正生曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长了具有不同阱宽的InAsP/InGaAsP应变多量子阱,并对干法刻蚀前、干法刻蚀及湿法腐蚀不同厚度覆盖层后的多量子阱光致发光(PL)谱进行了表征.测量发现干法刻蚀量子阱覆盖层一定厚度后量子阱光致发光强度得到了明显的增强.这与干法刻蚀后量子阱覆盖层表面粗糙度变化及量子阱内部微结构变化有关.

关键词：干法刻蚀应变量子阱光致发光谱损伤

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立方相ZnMgO的电学特性

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 167-170页

作者：金国芬吴惠桢梁军劳燕锋余萍徐天宁浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测... 详细信息

在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行了讨论与分析.

关键词： C-ZnMgO薄膜 MIS结构介电常数漏电性能

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InN Stillinger-Weber参数:用于InxGa1-xN合金

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 12-15页

作者：雷华平蒋寻涯于广辉 Chen J Petit S Ruterana P Nouet G 薄膜界面结构和功能实验室(SIFCOM) 国家科研中心混合实验室UMR CNRS 6176Caen 14050法国中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 CAEN大学ALENCON技术学院新材料性能研究室Damigny61250法国薄膜界面结构和功能实验室(SIFCOM) 国家科研中心混合实验室UMR CNRS 6176Caen14050法国

使用Stillinger-Weber(SW)类型经典势,研究了InxGa1-xN合金的原子结构以及富铟Clusters引起的InGaN/GaN量子阱的形变.SW参数来自氮化铟晶体常数和闪锌矿及铅锌矿结构中的弹性常数.还给出了含有富铟团簇的量子阱的能量.

关键词：氮化铟 SW参数 InGaN量子阱富铟团簇

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