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2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议

作者：江炳尧冯涛任琮欣柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo／Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar+离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子的到达比为0．2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向。当 Ar+离... 详细信息

采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo／Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar+离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子的到达比为0．2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向。当 Ar+离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)择优取向。本文采用Monte Carlo方法模拟能量为500eV的Ar+离子注入Ag单晶所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar+离子入射Ag单晶(100)表面、(111)表面,Ar+离子的溅射率与入射角和方位角的关系。本文对离子注入的沟道效应和薄膜表面的自由能对薄膜择优取向的影响作了初步的探讨和分析。

关键词：离子束辅助沉积 Cu、Ag、Pt薄膜择优取向

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真空高温环境下铂催化分解氧化钡研究

真空高温环境下铂催化分解氧化钡研究

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第十三届全国催化学术会议

作者：江炳尧冯涛柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

＜正＞在微波器件中铂是一种常用的栅极表面镀覆材料,用于抑制栅电子发射。模拟二极管实验表明,镀铂钼栅极的电子发射量显著少于纯钼栅极的电子发射量。在高真空的条件下,将镀铂钼栅极置于BaO气氛中进行900℃的高温处理后,采用XRD分析... 详细信息

＜正＞在微波器件中铂是一种常用的栅极表面镀覆材料,用于抑制栅电子发射。模拟二极管实验表明,镀铂钼栅极的电子发射量显著少于纯钼栅极的电子发射量。在高真空的条件下,将镀铂钼栅极置于BaO气氛中进行900℃的高温处理后,采用XRD分析发现有Ba的主峰出现,表明在铂的催化作用下镀铂栅极表面的BaO发生了分解反应。

关键词：铂氧化钡催化反应

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太赫兹量子级联激光器的蒙特卡洛模拟

太赫兹量子级联激光器的蒙特卡洛模拟

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中国光学学会2006年学术大会

作者：曹俊诚吕京涛中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

太赫兹(Terahertz,THz)辐射源是THz频段应用的关键器件。在众多THz辐射产生方式中, 基于半导体的全固态THz量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点。虽然从... 详细信息

太赫兹(Terahertz,THz)辐射源是THz频段应用的关键器件。在众多THz辐射产生方式中, 基于半导体的全固态THz量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,QCL)由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点。虽然从第一个THzQCL制备成功到现在只有四年的时间,但器件的工作温度、输出功率等性能已经得到了非常大的改进和提高。随着THzQCL性能的提高,它已经很快地被应用于THz成像等领域。与此同时,全世界的研究者也在致力于进一步降低THzQCL 的工作频率,使之能够覆盖更宽的电磁波谱的范围,同时来进一步满足应用的需求。所以,THzQCL是一个正在飞速发展的领域。

关键词：太赫兹量子级联激光器 THz

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离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

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2006年全国功能材料学术年会

作者：吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对 InGaN／AlGaN、InAsP／InP应变多量子阱和InAsP／ InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一... 详细信息

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对 InGaN／AlGaN、InAsP／InP应变多量子阱和InAsP／ InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。

关键词：半导体刻蚀应变多量子阱损伤

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太赫兹半导体辐射源研究进展

太赫兹半导体辐射源研究进展

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

太赫兹(THz)辐射源是THz频段应用的由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点.本文简要介绍了THzQCL的研究进展.

关键词：太赫兹量子级联激光器能带设计蒙特卡洛模拟

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InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究

InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：齐鸣徐安怀艾立鹍孙浩朱福英中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2"InP基HBT和φ4"InGaP/GaAs HBT外延材科.所发展的GSMBE外延技术,... 详细信息

通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ2"InP基HBT和φ4"InGaP/GaAs HBT外延材科.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.

关键词： InP基 InGaP GaAs GSMBE工艺 HBT材料外延生长

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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8GHz和10GHz.

关键词：异质结双极晶体管直流特性高速固态器件 Medici软件

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离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

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功能材料信息 2006年第3期3卷 7-11页

作者：吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室浙江杭州310027

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面... 详细信息

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。

关键词：半导体刻蚀应变多量子阱损伤

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立方相ZnMgO的电学特性研究

立方相ZnMgO的电学特性研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：金国芬梁军吴惠桢劳燕锋余萍徐天宁浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得C-ZnMgO材料的介电常数为10.5... 详细信息

立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1MHz到8MHz频率范围内,介电常数由10.7降到6.4.测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行讨论与分析。

关键词： ZnMgO合金薄膜立方相宽带隙半导体材料漏电性能电学性能 ZnMgO纳米薄膜 MIS结构

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Pb1-xMnxSe薄膜的光学特性

Pb1-xMnxSe薄膜的光学特性

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

我们用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明Pb1-xMnxSe为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底晶面(111).晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减... 详细信息

我们用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明Pb1-xMnxSe为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底晶面(111).晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小,Mn含量由Vegard's公式得到.通过理论模拟Pb1-xMnxSe薄膜的透射光谱,得到了Pb1-xMnxSe合金薄膜的带隙与Mn组分的关系,Pb1-xMnxSe薄膜的带隙宽度由0.28eV(x=0)按e指数形式增加到0.49eV(x=0.0681),我们还获得了Pb1-xMnxSe薄膜在波长为4～9.5 μm间的折射率.

关键词： Pb1-xMnxSe外延薄膜透射光谱带隙折射率分子束外延光学特性

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