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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论。

关键词： SOI 高压器击穿电压

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立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室浙江大学物理系

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 详细信息

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-x(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400-800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgxZn1-xO薄膜微结构光学特性

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立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海) 浙江大学物理系(浙江杭州)

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgZnO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgZnO薄膜的... 详细信息

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜的折射率.与己报道的六方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400~800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55﹪增至100﹪时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgZnO薄膜微结构光学特性纳米晶体

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InGaAs红外探测器低频噪声研究

InGaAs红外探测器低频噪声研究

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：黄杨程梁晋穗张永刚刘大福庄春泉李萍龚海梅传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统所

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一。本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2 ×10-5-7 ×10-5,噪声拐点较大。讨论了暗电流与器件低频噪声的关... 详细信息

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一。本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2 ×10-5-7 ×10-5,噪声拐点较大。讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声。

关键词：红外探测器低频噪声空间遥感

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InGaAs红外探测器低频噪声研究

InGaAs红外探测器低频噪声研究

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第五届中国功能材料及其学术会议

作者：黄杨程梁晋穗张永刚刘大福庄春泉李萍龚海梅传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所(上海) 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统所(上海)

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数α=2×10~7×10,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了... 详细信息

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数α<,H>=2×10<'-5>~7×10<'-5>,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.

关键词：红外探测器低频噪声空间遥感

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SOI材料和器件及其应用的新进展

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核技术 2003年第9期26卷 658-663页

作者：林成鲁张正选刘卫丽中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。

关键词：绝缘层上的硅(SOI) 辐射 SOI产业化

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半导体激光器腔面镀膜研究

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半导体光电 2003年第3期24卷 203-205页

作者：吴根柱齐鸣何友军张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料重点实验室上海200050

从理论和实验两方面研究了半导体激光器腔面功率增强膜的镀制方法,得到一些新的镀膜设计方案,改善了传统半导体激光器腔面镀膜工艺。

关键词：端面反射率减反射膜高反射膜行波速率方程

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准分子脉冲激光沉积法制备的ZrO_2薄膜结构和电学性能的研究

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中国激光 2003年第4期30卷 345-348页

作者：章宁琳宋志棠邢溯万青林成鲁中国科学院上海微系统和信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ... 详细信息

采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ;讨论了薄膜结晶性能与其电学I V特性之间的关系。

关键词：准分子脉冲激光沉积法 ZrO2薄膜衬底温度结晶结构电学性能

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N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

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核技术 2003年第3期26卷 212-216页

作者：林青刘相华朱鸣谢欣云林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室上海200050

将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与... 详细信息

将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合。

关键词：氮离子氧离子离子注入硅片 SOI绝缘埋层计算机模拟

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SOIM新结构的制备及其性能的研究

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物理学报 2003年第1期52卷 207-210页

作者：谢欣云林青门传玲刘卫丽徐安怀林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果... 详细信息

制备在以SiO2 为绝缘埋层的SOI材料上的电子器件存在着自加热问题 .为减少自加热效应和满足一些特殊器件电路的要求 ,利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .

关键词：制备氮化硅薄膜二氧化硅薄膜 SOIM新结构多孔硅外延转移电绝缘隔离性能

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