检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料 2003年第5期34卷 582-584页

作者：莫党李芳陈第虎郭扬铭魏爱香中山大学理工学院光电材料与技术国家重点实验室广东广州510275 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室

　用磁过滤真空离子溅射系统,改变加在单晶Si(100)衬底上的衬底偏压,制备不同sp3C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2.0～5.0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较... 详细信息

　用磁过滤真空离子溅射系统,改变加在单晶Si(100)衬底上的衬底偏压,制备不同sp3C键与sp2C键比例的碳薄膜样品。测量了2.0～5.0eV光子能量范围内各个碳薄膜样品的椭偏光谱。发现该谱与碳薄膜中的sp键比例有明显的关系。我们提出一种较简便的分析解谱方法,分析所测得的各个椭偏光谱,半定量地确定各碳薄膜样品的sp3C键与sp2C键比例。所得结果还与同类样品的拉曼光谱与吸收光谱测量结果相比较,结果基本上是一致的。研究结果表明椭偏光谱方法可以发展成一种较简便的、对样品无损伤的测定功能碳薄膜中的sp3C键成分的新方法。

关键词：功能碳薄膜化学键椭偏光谱四配位非晶碳拉曼光谱吸收光谱

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水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

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功能材料与器件学报 2003年第4期9卷 469-472页

作者：孟兆祥于广辉叶好华雷本亮李存才齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH_3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石... 详细信息

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH_3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec。

关键词： HVPE 流体动力学氮化镓反应室晶体生长模拟

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发射极δ掺杂的InGaAs/InP DHBT的特性分析

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功能材料与器件学报 2003年第4期9卷 443-447页

作者：陈雷东曹俊诚齐鸣徐安怀李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N^+掺杂复合结结构。考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N^+、n^-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT... 详细信息

设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N^+掺杂复合结结构。考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N^+、n^-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善。当δ掺杂浓度大于2×10^(12)cm^(-3)时,电流增益趋于饱和。

关键词： InGaAs/InPDHBT δ掺杂层阻挡层复合集电极 I-V输出特性双异质结晶体管

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半导体激光器后腔面高反射涂层的研究

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功能材料与器件学报 2003年第3期9卷 343-346页

作者：吴根柱齐鸣叙安怀张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用金属银(Ag)做为高反射镀膜材料,ZrO2介质膜作为与激光器端面的绝缘层和Ag保护膜,在激光器后腔面实现了高反射涂层。经激光器光电特性测试表明,该高反射膜系能使激光器输出功率提高60%,阈值电流减小20%～50%,并且具有良好的化学稳定... 详细信息

采用金属银(Ag)做为高反射镀膜材料,ZrO2介质膜作为与激光器端面的绝缘层和Ag保护膜,在激光器后腔面实现了高反射涂层。经激光器光电特性测试表明,该高反射膜系能使激光器输出功率提高60%,阈值电流减小20%～50%,并且具有良好的化学稳定性、热稳定性和机械强度,能有效保护半导体激光器后腔面。

关键词：半导体激光器后腔面高反射涂层反射率高反射膜

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新型高K栅介质ZrO_2薄膜材料的制备及表征

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功能材料与器件学报 2003年第1期9卷 75-78页

作者：章宁琳宋志棠沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高K栅介质—非晶ZrO2薄膜。X射线光电子能谱(XPS)中Zr3d5/2和Zr3d3/2对应的结合能分别为182.1eV和184.3eV,Zr元素的主要存在形式为Zr4+,说明薄膜由完全氧化的ZrO2组成,并且纵向分布均一。扩展电阻法(... 详细信息

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高K栅介质—非晶ZrO2薄膜。X射线光电子能谱(XPS)中Zr3d5/2和Zr3d3/2对应的结合能分别为182.1eV和184.3eV,Zr元素的主要存在形式为Zr4+,说明薄膜由完全氧化的ZrO2组成,并且纵向分布均一。扩展电阻法(SRP)显示ZrO2薄膜的电阻率在108Ω·cm以上,通过高分辨率透射电镜(HR-XTEM)可以观察ZrO2/Si界面陡直,没有界面反应产物,证明600℃快速退火后ZrO2薄膜是非晶结构。原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中600℃快速退火样品(RTA)的RMS为0.480nm。

关键词：高K栅介质非晶 ZrO2薄膜表面粗糙度

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电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能研究

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功能材料与器件学报 2003年第2期9卷 147-149页

作者：谢欣云万青林青沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～3... 详细信息

应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～35nm的锥状纳米结构,并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。

关键词：纳米硅锥场发射性能电子束蒸发制备原子力显微镜多孔硅

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立方氮化硼表面硬化层的制备及性能

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机械工程材料 2003年第2期27卷 31-33页

作者：王钧石柳襄怀王曦陈元儒西南交通大学材料科学与工程学院四川成都610031 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

用渗硼和新型的等离子体浸没式氮离子注入技术(PⅢ)对Cr12MoV钢进行复合处理,制备出了含有立方氮化硼的表面硬化层。经X光电子能谱和X射线衍射分析发现硬化层中的组织主要是立方氮化硼(c BN)、六方氮化硼(h BN)、FeB和Fe2B。在与单独渗... 详细信息

用渗硼和新型的等离子体浸没式氮离子注入技术(PⅢ)对Cr12MoV钢进行复合处理,制备出了含有立方氮化硼的表面硬化层。经X光电子能谱和X射线衍射分析发现硬化层中的组织主要是立方氮化硼(c BN)、六方氮化硼(h BN)、FeB和Fe2B。在与单独渗硼处理的Cr12MoV钢试样进行对比时,对立方氮化硼表面硬化层进行了维氏显微硬度和滑动摩擦试验。结果表明:硬化层具有高达48GPa的高硬度和优良的摩擦性能。

关键词：立方氮化硼表面硬化层渗硼等离子体浸没式离子注入(PⅢ) 显微硬度摩擦性能

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隧道结在多结太阳电池中的应用

隧道结在多结太阳电池中的应用

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2003年中国太阳能学会学术年会

作者：朱诚张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

目前多结太阳电池器件广泛采用隧道结连接各分电池,隧道结的电学和光学特性对太阳电池性能的影响相当重要。本文主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结Ⅰ-... 详细信息

目前多结太阳电池器件广泛采用隧道结连接各分电池,隧道结的电学和光学特性对太阳电池性能的影响相当重要。本文主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结Ⅰ-Ⅴ特性,并且对其进行必要的优化工作,以增大隧穿电流。研究对于GaAs材料,不同的掺杂浓度对于其Ⅰ-Ⅴ特性的影响,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。

关键词：隧道结随穿电流串接太阳电池 I-V特性

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SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备

SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备

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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

作者：安正华刘卫丽张苗林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)方法在Si衬底上外延高质量的单晶SiGe层,然后向样品中注入60keV、3×10cm的氧离子,从而在异质结附近... 详细信息

SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)方法在Si衬底上外延高质量的单晶Si<,0.86>Ge<,0.14>层,然后向样品中注入60keV、3×10<'17>cm<'-2>的氧离子,从而在异质结附近形成富氧层,最后经高温退火工艺得到所需的SiGeOI结构.

关键词： SIMOX制备化学气相淀积 Si衬底退火工艺 SiGeOI结构

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超薄SOI上应变锗硅材料的生长

超薄SOI上应变锗硅材料的生长

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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

作者：狄增峰张苗吴雁军安正华朱鸣刘卫丽林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

超薄SOI的顶层硅和中间氧化层之间所形成的垂直键有足够的强度,而非晶氧化层又可以使顶层Si在其上滑移,所以SOI常常用来作为"容忍型衬氏".薄膜中应力使SiGe材料的能谷发生分裂,电子和空穴的迁移率因此大大提高.本文中,我们成... 详细信息

超薄SOI的顶层硅和中间氧化层之间所形成的垂直键有足够的强度,而非晶氧化层又可以使顶层Si在其上滑移,所以SOI常常用来作为"容忍型衬氏".薄膜中应力使SiGe材料的能谷发生分裂,电子和空穴的迁移率因此大大提高.本文中,我们成功的利用超高真空化学气相沉积(UHVCVD)在超薄SOI衬底上生长了厚度110nm高质量的应变Si<,0.82>Ge<,0.18>薄膜,超过了在体Si上外延同样薄膜的临界厚度.剖面透射电镜结果表明SiGe薄膜中无位错,SiGe/Si界面陡直.X射线衍射和Raman光谱在证明SiGe薄膜几乎完全应变上相当吻合.

关键词：超薄SOI 锗硅材料 SiGe薄膜

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