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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

作者：谢欣云林青刘卫丽林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

为减少传统SOI器件/电路的自加热效应,本实验利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结... 详细信息

为减少传统SOI器件/电路的自加热效应,本实验利用多孔硅外延转移技术制备出以二氧化硅和氮化硅为多绝缘埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOIM新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构.用MEDICI软件对新SOIM器件进行模拟,结果表明这种新结构能有效降低自加热效应,提高了SOI MOSFET的漏电流.

关键词： SOIM 自加热效益 MEDICI软件 SOIM器件氮氧离子共注入方法

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SOI MOSFET热载流子效应的模拟研究

SOI MOSFET热载流子效应的模拟研究

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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

作者：林青朱鸣吴雁军张正选林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

本文对SOI MOS器件热载流子效应产生的机理进行了分析,并采用器件模拟的方法,对SOI NMOSFET和SOI PMOSFET的热载流子效应进行了研究分析.

关键词：热载流子效应模拟研究 SOI MOS器件器件模拟

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多孔硅的干燥方法

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Journal of Semiconductors 2003年第6期24卷 663-667页

作者：虞献文朱荣锦朱自强应桃开李爱珍浙江师范大学数理学院金华321004 华东师范大学信息科学技术学院上海200062 浙江师范大学生命环境科学学院金华321004 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术 ,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品 .在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺 ,因此。

关键词：多孔硅阴极还原表面处理技术

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离子束增强沉积二氧化钒多晶薄膜的成膜机理

离子束增强沉积二氧化钒多晶薄膜的成膜机理

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第十届全国光电技术与系统学术会议

作者：李金华袁宁一江苏工业学院信息科学系功能材料实验室(常州) 中国科学院上海微系统及信息技术研究所离子束开放实验室(上海)

设计了一种用离子束增强沉积制备高性能VO薄膜的新方法.在溅射VO粉末靶的同时,用氩、氢混合束,对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500°C以上的退火,获得热电阻温度系数(TCR)高达4﹪的VO薄膜.成膜机理是,利用高剂量氩离子注入的损伤... 详细信息

设计了一种用离子束增强沉积制备高性能VO<,2>薄膜的新方法.在溅射V<,2>O<,5>粉末靶的同时,用氩、氢混合束,对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500°C以上的退火,获得热电阻温度系数(TCR)高达4﹪的VO<,2>薄膜.成膜机理是,利用高剂量氩离子注入的损伤效应使V<,2>O<,5>的V-O键断裂;利用注入氢的还原效应将V<,2>O<,5>转换成VO<,2>薄膜.利用轰击效应使薄膜致密;利用混合效应使界面结合牢固、薄膜结构均匀;利用搀杂效应,使氩出现在晶格的间隙位置,产生张应力、降低了薄膜的转换温度,高了其TCR.

关键词：二氧化钒薄膜离子束增强沉积成膜机理

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p型量子阱太赫兹振荡器研究

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固体电子学研究与进展 2002年第2期22卷 241-243页

作者：曹俊诚李爱珍封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 200050

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的... 详细信息

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的依赖性 ,提出了设计可调谐

关键词： P型量子阱太赫兹振荡器负有效质量自振荡二极管

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SOI新结构——SOI研究的新方向

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物理 2002年第4期31卷 214-218页

作者：谢欣云林青门传玲安正华张苗林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件电路... 详细信息

SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件电路的要求 ,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点 .如SOIM ,GPSOI,GeSiOI,SionAlN ,SiCOI,GeSiOI ,SSOI等 .文章将结合作者的部分工作 ,报道SOI新结构研究的新动向及其应用 .

关键词： SOI新结构绝缘体上半晶硅薄膜技术硅集成电路硅材料 SOI

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一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展

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物理 2002年第4期31卷 219-223页

作者：安正华张苗门传玲谢欣云沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiG... 详细信息

SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 .

关键词：绝缘层硅锗硅集成电路 SiGe Si SOI结构 iGe-OI材料

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SOI的自加热效应与SOI新结构的研究

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功能材料与器件学报 2002年第2期8卷 205-210页

作者：林青谢欣云朱鸣张苗林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作... 详细信息

阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。

关键词：自加热效应沟道电流跨导畸变负微分迁移率 SOI

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射频等离子体分子束外延GaN的极性研究

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功能材料与器件学报 2002年第4期8卷 361-364页

作者：赵智彪齐鸣朱福英李爱珍中国科学院微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外... 详细信息

对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar。

关键词：分子束外延原子力显微镜光辅助湿法刻蚀极性氮化镓

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基于光谱学方法半导体激光器热特性测量

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飞通光电子技术 2002年第3期2卷 132-135页

作者：南矿军张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了一种基于激射光谱进行半导体激光器热特性测量的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导应变补偿多量子阱激光器的激射光谱,可以得到该激光器的热阻等热特性参数。实验中也测量了该激光器的... 详细信息

报道了一种基于激射光谱进行半导体激光器热特性测量的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导应变补偿多量子阱激光器的激射光谱,可以得到该激光器的热阻等热特性参数。实验中也测量了该激光器的其他与热特性相关的光谱特性,如激光器激射光谱随驱动电流的变化等。该方法也可用于其他波段半导体激光器的热特性测量。

关键词：激射光谱半导体激光器热特性参数多量子阱激光器参数测量脊波导

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