检索结果-内蒙古大学图书馆

飞通光电子技术 2002年第4期2卷 186-189页

作者：南矿军张永刚何友军李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器... 详细信息

报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器的热阻等热特性参数。本文还对该激光器在不同脉冲驱动条件下的驱动电流和结电压波形进行了讨论。该方法也可用于其它波段的半导体激光器的热特性表征。

关键词：脉冲I-V测试方法半导体激光器热特性表征多量子阱

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SOI器件中浮体效应的研究进展

引用

功能材料与器件学报 2002年第3期8卷 297-302页

作者：朱鸣林成鲁邢昆山中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国兵器工业第二一四研究所蚌埠233042

SOI(SiliconOnInsulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响,并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典... 详细信息

SOI(SiliconOnInsulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响,并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构。

关键词： SOI器件浮体效应研究进展翘曲效应寄生双极晶体管效应

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负有效质量亚毫米波振荡器的电流振荡模式

负有效质量亚毫米波振荡器的电流振荡模式

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

理论上研究了在直流偏置下量子阱负有效质量p+pp+二极管中时空电流振荡模式以及电流自振荡频率特性.计算中考虑了杂质散射、声学声子散射、极化光学声子散射以及非极化光学声子散射.计算表明,外加偏压和掺杂浓度强烈影响电流自振荡的模... 详细信息

理论上研究了在直流偏置下量子阱负有效质量p+pp+二极管中时空电流振荡模式以及电流自振荡频率特性.计算中考虑了杂质散射、声学声子散射、极化光学声子散射以及非极化光学声子散射.计算表明,外加偏压和掺杂浓度强烈影响电流自振荡的模式和频率.电流自振荡频率在太赫兹(THz,1THz=10<'12>Hz)范围.负有效质量p+pp+二极管可望作为可调频的THz振荡源.

关键词：亚毫米波振荡器电流振荡模式振荡频率掺杂浓度

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宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量

宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张永刚南矿军何友军李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

本文介绍了基于宽范围脉冲测量条件下的半导体激光器热阻测量方案以及具有宽范围和大电流驱动能力、能覆盖从可见光至中红外波段的半导体激光器测量表征系统,并给出了具体测量实例.

关键词：半导体激光器脉冲测量热阻测量

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