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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：张楷亮宋志棠钟晻郑鸣捷刘卫丽封松林董尧德汪贵发楼春兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜材料工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室200050上海万象硅峰电子股份有限公司 324300浙江

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶... 详细信息

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nacol2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40﹪(14微米/小时VS10微米/小时);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.

关键词：硅晶片双面抛光化学机械抛光抛光液

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低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜

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功能材料 2004年第6期35卷 774-775,778页

作者：江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 中国科学院上海原子核研究所上海201800

　采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强... 详细信息

　采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。

关键词：离子束辅助沉积 Pt膜择优取向

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ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究

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电子器件 2004年第4期27卷 556-558,563页

作者：张楷亮宋志棠张建新檀柏梅刘玉岭中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 河北工业大学微电子技术与材料研究所天津300130

针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和... 详细信息

针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和稳定性进行了表征。以低分散度硅溶胶纳米研磨料配制抛光浆料进行了二氧化硅介质的 CMP研究 ,结果表明 ,平均粒径 1 0 3 .4nm的硅溶胶浆料的去除速率达 63 0 nm/min,有效解决了二氧化硅介质

关键词：超大规模集成电路化学机械抛光纳米研磨料硅溶胶大粒径

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SOI在高压器件中的应用

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功能材料 2004年第Z1期35卷 983-987页

作者：王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.

关键词： SOI 高压器击穿电压

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SOI在射频电路中的应用

SOI在射频电路中的应用

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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

作者：骆苏华刘卫丽张苗孙晓玮林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所射频与微波集成系统(上海) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海微系统与信息技术研究所射频与微波集成系统(上海)

随着射频电路(RF)工作频率及集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大... 详细信息

随着射频电路(RF)工作频率及集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势.本文分析了RF电路发展中遇到的挑战以及SOI在RF电路中应用优势,综述了当前国际上SOIRF电路的研究进展.

关键词：射频集成电路高阻SOI 串扰芯片集成

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离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究

离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：江炳尧任琮欣冯涛蒋军柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)

本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜的组份.... 详细信息

本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜的组份.研究分析了铪膜起皮脱落的原因.确定了制备具有良好耐热应力性能铪膜的工艺条件.

关键词：钼栅极电子发射离子束辅助沉积行波管铪膜耐热应力工艺条件

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SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析

SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析

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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

作者：朱鸣林青张正选林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)

本文对SiGe源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制.并且,随着Ge含量的提高,浮体效应得到进... 详细信息

本文对Si<,1-X>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制.并且,随着Ge含量的提高,浮体效应得到进一步的抑制.

关键词：半导体器件体硅材料浮体效应 SOI电路 SiGe源结构