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文献类型

  • 24 篇 期刊文献
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  • 42 篇 电子文献
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学科分类号

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主题

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  • 2 篇 击穿电压
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机构

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  • 2 篇 中国科学院上海微...
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  • 1 篇 中国科学院上海微...
  • 1 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 华东师范大学
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作者

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  • 6 篇 冯涛
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  • 4 篇 江炳尧
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  • 4 篇 任琮欣
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  • 3 篇 林青

语言

  • 42 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程与技术研究中心"
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排序:
用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜
用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜
收藏 引用
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
作者: 邢玉梅 陶凯 俞跃辉 宋朝瑞 郑志宏 半导体功能薄膜工程技术研究中心 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)
采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O或N气氛下迅速退火以及N气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化铪薄膜结晶性能的影响;同时借助X射线光电子能谱(XPS)研究了... 详细信息
来源: 评论
高阻SOI在射频电路中的应用优势
高阻SOI在射频电路中的应用优势
收藏 引用
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
作者: 骆苏华 刘卫丽 张苗 刘奇斌 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所国家半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)
本文主要概述了基片电阻率对集成电路性能的影响,采用高阻SOI大大提高了RF电路性能,为CMOS在GHz频域的应用提供了发展基础.
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