检索结果-内蒙古大学图书馆

2006年中国固态离子学暨国际电动汽车动力技术研讨会

作者：娄豫皖夏保佳中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术研究中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术研究中心

MH-Ni电池具有较高的能量密度和安全性,是目前混合电动车(HEV)的首选电源。在HEV用MH-Ni电池的研究初期,提高功率密度和高温充电效率是主要的研究方向。随着HEV的逐步使用后发现,充放电引起的热效应不仅使HEV电池的充电效率降低、合金... 详细信息

MH-Ni电池具有较高的能量密度和安全性,是目前混合电动车(HEV)的首选电源。在HEV用MH-Ni电池的研究初期,提高功率密度和高温充电效率是主要的研究方向。随着HEV的逐步使用后发现,充放电引起的热效应不仅使HEV电池的充电效率降低、合金氧化严重、电池寿命大大缩短,还造成电池的自放电率增加,这不仅影响管理系统对电池组荷电状态(SOC)的误判,更严重的是,当HEV需要用电池系统启动时,由于过高的自放电率,电池组的实际SOC过低,造成电池组过放电或是只能由燃油发动机启动,这将严重影响HEV的燃油效率及电池组的寿命。因此降低自放电率是HEV用 MH-Ni电池实用化中亟待解决的一大关键。汽车行业的相关标准也对MH-Ni电池的荷电保持率(100％-自放电率=荷电保持率)提出了较高的技术要求,如国家汽车行业标准《电动道路车辆用金属氢化物镍蓄电池》(QC/T 744-2006)规定,电池满充电后,在55℃下贮存7d(天) 后,放电容量不低于额定容量的60％。而实际上,许多厂家电池的荷电保持率为30-50%, 即自放电率高达50-70％。

关键词： HEV用 MH-Ni电池自放电率功率性能

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氢镍电池放电态贮存的性能衰减规律

氢镍电池放电态贮存的性能衰减规律

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上海市化学化工学会2006年度学术年会

作者：娄豫皖李晓峰夏保佳中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术研究中心

采用涂膏式镍电极的金属氢化物-镍(MH／Ni) 电池由于具有较高的比能量和比功率、较长的循环寿命、适中的价格以及对环境友好等优点,在小型便携式电子器件、电动工具和混合电动车中获得了广泛的应用。但经过较长时间贮存(特别是放电态贮... 详细信息

采用涂膏式镍电极的金属氢化物-镍(MH／Ni) 电池由于具有较高的比能量和比功率、较长的循环寿命、适中的价格以及对环境友好等优点,在小型便携式电子器件、电动工具和混合电动车中获得了广泛的应用。但经过较长时间贮存(特别是放电态贮存)后,其性能往往出现明显的不可逆衰减,而电

关键词：氢镍电池放电态衰减规律

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CNT-FED点阵显示器件的研制及其驱动电路设计

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光电子技术 2006年第2期26卷 91-93页

作者：戴丽娟冯涛蒋军王曦柳襄怀李琼张峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062

采用丝网印刷技术和等离子体表面处理方法,制备了16×16点阵式碳纳米管场发射显示器件(Carbon N anotube F ield Em ission D isp lay,CNT-FED)。根据CNT-FED的结构特点,研究了CNT-FED的显示驱动原理,设计了以51单片机为控制核心的... 详细信息

采用丝网印刷技术和等离子体表面处理方法,制备了16×16点阵式碳纳米管场发射显示器件(Carbon N anotube F ield Em ission D isp lay,CNT-FED)。根据CNT-FED的结构特点,研究了CNT-FED的显示驱动原理,设计了以51单片机为控制核心的驱动电路,实现了点阵式显示器件的动态显示。

关键词：碳纳米管场发射显示器驱动电路丝网印刷

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CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料的研究

CMP专用大粒径纳米二氧化硅研磨料的研究

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第三届上海纳米科技与产业发展研讨会

作者：张楷亮王良咏宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜材料工程技术研究中心上海 200050

低应力、低损伤CMP要求抛光压力有所降低,从而影响了抛光效率。为改善抛光效率,大粒径胶体二氧化硅成为CMP所急需的研磨料。本文以廉价的水玻璃为原料,采用离子交换一分水控制工艺,在分析其粒径生长机理基础上进行了工艺优化,并对其进... 详细信息

低应力、低损伤CMP要求抛光压力有所降低,从而影响了抛光效率。为改善抛光效率,大粒径胶体二氧化硅成为CMP所急需的研磨料。本文以廉价的水玻璃为原料,采用离子交换一分水控制工艺,在分析其粒径生长机理基础上进行了工艺优化,并对其进行纯化研究。SEM结果表明:硅酸加料速度为影响粒径均匀的关键因素,适当加料速度下可以制得30～100nm范围内均匀分散的不同粒径的胶体二氧化硅研磨料。金属离子含量测试结果表明:通过离子交换纯化工艺可将胶体二氧化硅研磨料的金属离子含量降低至64.72ppm,低于国内外同类产品,为其在抛光液和CMP工艺应用提供了可能。

关键词：胶体二氧化硅研磨料抛光效率水玻璃离子交换分水控制粒径生长纳米磨料

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离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究

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功能材料 2005年第11期36卷 1673-1675页

作者：蒋军江炳尧郑志宏任琮欣冯涛王曦柳襄怀邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电... 详细信息

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能。实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理。

关键词：抑制电子发射铪离子束辅助沉积钼栅极

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CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺

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压电与声光 2005年第3期27卷 328-330,334页

作者：邢玉梅俞跃辉陈可炜郑志宏杨文伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050

采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40keV及80keV的碳离子注入,靶温控制在700°C左右;注入后将样品在1250°C的氩气中退火5h。通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火... 详细信息

采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40keV及80keV的碳离子注入,靶温控制在700°C左右;注入后将样品在1250°C的氩气中退火5h。通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火前后的样品进行分析,其结果证明了结晶质量较好的多晶β-SiC不连续埋层的形成。

关键词：甲烷等离子体碳化硅离子注入

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低能Ar离子束辅助沉积Ag(111)薄膜

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核技术 2005年第1期28卷 34-39页

作者：江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选柳襄怀郑里平中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 中国科学院上海应用物理研究所上海201800

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜... 详细信息

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上制备Ag膜。实验发现,用Ar离子束溅射沉积的Ag膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag膜的同时,用能量为500eV的Ar离子束沿衬底法线方向对Ag膜进行辅助轰击,当离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子到达比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为35.26°,离子/原子到达比为0.06时,Ag膜呈(111)择优取向;当离子/原子比增大到0.18时,Ag膜呈(111)和微弱的(100)混合晶向。若Ar离子的入射角为54.7°,离子/原子到达比为0.06时,沉积的Ag膜呈很强的(111)择优取向。

关键词：离子束辅助沉积 Ag膜沟道效应择优取向

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多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展

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半导体技术 2005年第8期30卷 21-24页

作者：陈苏张楷亮宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050

对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步... 详细信息

对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步探讨。

关键词：超大规模集成电路化学机械抛光铜抛光液多层互连

来源：评论

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SOI在射频电路中的应用

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微电子学 2005年第1期35卷 67-70页

作者：骆苏华刘卫丽张苗狄增峰王石冶宋志棠孙晓玮林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所国家半导体功能薄膜工程技术研究中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所射频与微波集成系统实验室上海200050

随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示... 详细信息

随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。

关键词：射频集成电路高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX

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相变型半导体存储器研究进展

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物理 2005年第4期34卷 279-286页

作者：刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电... 详细信息

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.

关键词：半导体存储器相变型研究进展抗电子干扰 FLASH 相变材料结构设计非易失性工艺问题研究现状循环寿命多级存储耐高低温制造工艺 SRAM DRAM 抗辐照抗振动器件

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