检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2007年第3期13卷 207-212页

作者：詹达马小波刘卫丽朱鸣宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室&半导体功能薄膜工程技术研究中心新加坡国立大学硅纳米器件研究室新加坡117565

研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落。利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge... 详细信息

研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落。利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge片与热生长SiO2片的键合,通过热处理完成SiO2上的Ge薄膜转移,形成了GOI(Germanium-on-insulator)结构。采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、以及X射线四晶衍射对GOI的微结构进行了表征和分析。研究表明,获得的GOI中顶层Ge具有较好的晶体质量,锗和二氧化硅埋层界面陡直。

关键词： GOI smart—cut 键合

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制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 155-157页

作者：夏吉林刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050

研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明... 详细信息

研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低.

关键词： Ge2Sb2Te5 电学性能制备条件相变

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MH-Ni电池中正极材料β-Ni(OH)_2微结构的对比

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中国科学（E辑） 2006年第5期36卷 467-482页

作者：娄豫皖杨传铮张熙贵马丽萍夏保佳中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050

微结构主要指微应变、微晶和堆垛层错,它们都会引起X射线衍射线的宽化现象.在总结前人工作的基础上,提出并建立了分离微晶-堆垛层错二重、微晶-微应变-层错三重宽化效应的最小二乘方方法和相关的计算程序,于是可分别计算出微应变(微应力... 详细信息

微结构主要指微应变、微晶和堆垛层错,它们都会引起X射线衍射线的宽化现象.在总结前人工作的基础上,提出并建立了分离微晶-堆垛层错二重、微晶-微应变-层错三重宽化效应的最小二乘方方法和相关的计算程序,于是可分别计算出微应变(微应力)、微晶大小和堆垛层错几率.用这种方法对不同来源的β-Ni(OH)2原材料、普通MH-Ni电池活化前后和循环寿命试验前后的β-Ni(OH)2、正极中加有Ca化合物的电池在循环寿命试验后β-Ni(OH)2的微结构进行了对比分析和研究.实验结果表明,活化和循环充放电的影响是巨大的,使微晶形状和尺度、微应变状态和堆垛层错几率都发生重大变化,而且这些微结构参数与电池的电化学性能之间有一定的对应关系.

关键词： MH-Ni电池 β-Ni(OH)2 微结构 XRD

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基于低温键合技术制备SOI材料

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 189-192页

作者：詹达马小波刘卫丽宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 中国科学院研究生院北京100049

通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut... 详细信息

通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut技术制备出SOI结构,顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度.该研究结果提供了一种SOI低温技术.

关键词： SOI 等离子体活化键合强度

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Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 161-164页

作者：刘奇斌张楷亮王良咏宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 中国科学院研究生院北京100049

从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛... 详细信息

从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为;而抛光液的pH值为11时,开始向活化转变;当pH值为12时,薄膜处于活化状态.在动电位扫描过程中,不同的pH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状相似,表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理.自制碱性抛光液,对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光,用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析.结果表明,通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构.

关键词： Ge2Sb2Te5 相变存储器化学机械抛光电化学

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ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型

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润滑与密封 2006年第5期31卷 170-173页

作者：钟旻张楷亮宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050

CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和... 详细信息

CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和研究方向提出了展望。

关键词：化学机械抛光平坦化材料去除机制模型集成电路

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改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 252-256页

作者：张苗狄增峰刘卫丽骆苏华宋志棠朱剑豪林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050 香港城市大学中国香港

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化... 详细信息

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.

关键词： SiGe-on-insulator 氧化扩散

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相变存储器器件单元测试系统

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半导体技术 2006年第8期31卷 614-617页

作者：梁爽宋志棠刘波陈小刚封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些... 详细信息

通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试。该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试和疲劳特性测试等模块组成。通过这些测试从而找出写脉冲信号与擦脉冲信号的高度和宽度的最佳参数、C-RAM器件的阈值电压、循环寿命等重要参数。此系统不仅为研究C-RAM器件的速度、功耗、可靠性等提供了一个途径,又为C-RAM的工艺和结构参数的研究提供了试验平台。

关键词：硫系化合物随机存储器远程控制测试系统相变

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HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究

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真空电子技术 2006年第1期19卷 48-50,57页

作者：蒋军冯涛张继华戴丽娟程新红宋朝瑞王曦柳襄怀邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050

利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳... 详细信息

利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。

关键词：碳纳米管场发射碳化铪

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HEV用低自放电率D型MH-Ni电池的研制

HEV用低自放电率D型MH-Ni电池的研制

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2006年中国固态离子学暨国际电动汽车动力技术研讨会

作者：娄豫皖夏保佳中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术研究中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室半导体功能薄膜工程技术研究中心

MH-Ni电池具有较高的能量密度和安全性,是目前混合电动车(HEV)的首选电源。在HEV用MH-Ni电池的研究初期,提高功率密度和高温充电效率是主要的研究方向。随着HEV的逐步使用后发现,充放电引起的热效应不仅使HEV电池的充电效率降低、合金... 详细信息

MH-Ni电池具有较高的能量密度和安全性,是目前混合电动车(HEV)的首选电源。在HEV用MH-Ni电池的研究初期,提高功率密度和高温充电效率是主要的研究方向。随着HEV的逐步使用后发现,充放电引起的热效应不仅使HEV电池的充电效率降低、合金氧化严重、电池寿命大大缩短,还造成电池的自放电率增加,这不仅影响管理系统对电池组荷电状态(SOC)的误判,更严重的是,当HEV需要用电池系统启动时,由于过高的自放电率,电池组的实际SOC过低,造成电池组过放电或是只能由燃油发动机启动,这将严重影响HEV的燃油效率及电池组的寿命。因此降低自放电率是HEV用 MH-Ni电池实用化中亟待解决的一大关键。汽车行业的相关标准也对MH-Ni电池的荷电保持率(100％-自放电率=荷电保持率)提出了较高的技术要求,如国家汽车行业标准《电动道路车辆用金属氢化物镍蓄电池》(QC/T 744-2006)规定,电池满充电后,在55℃下贮存7d(天) 后,放电容量不低于额定容量的60％。而实际上,许多厂家电池的荷电保持率为30-50%, 即自放电率高达50-70％。

关键词： HEV用 MH-Ni电池自放电率功率性能

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