检索结果-内蒙古大学图书馆

物理 2005年第4期34卷 279-286页

作者：刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电... 详细信息

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.

关键词：半导体存储器相变型研究进展抗电子干扰 FLASH 相变材料结构设计非易失性工艺问题研究现状循环寿命多级存储耐高低温制造工艺 SRAM DRAM 抗辐照抗振动器件

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等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究

等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：马小波詹达刘卫丽宋志棠沈勤我林梓鑫中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心 200050

为了降低Smart-Cut技术的热处理温度,采用等离子体表面处理和B+/H+共注的方法增强硅/二氧化硅键合界面结合力并降低硅的剥离温度.研究了等离子体表面处理对键合界面的影响,系统研究了不同硼注入剂量和不同温度退火时硅表面的剥离情况.... 详细信息

为了降低Smart-Cut技术的热处理温度,采用等离子体表面处理和B+/H+共注的方法增强硅/二氧化硅键合界面结合力并降低硅的剥离温度.研究了等离子体表面处理对键合界面的影响,系统研究了不同硼注入剂量和不同温度退火时硅表面的剥离情况.研究结果表明经适当N+等离子体低温处理后,经300℃低温处理1小时其键合能达5J/m2.B+/H+共注的硅片在300℃以内便可实现剥离.利用Smart-Cut技术,结合等离子体和B+/H+共注的技术制备出了高质量的SOI材料,原子力(AFM)测试结果表明顶层硅薄膜的粗糙度远低于单独注氢制成SOI材料.通过稀释的Secco腐蚀测试发现表面缺陷完全满足器件制造要求.该工作对降低Smart-Cut技术热预算,为特种低温硅基材料制备都具有重要指导意义.

关键词：等离子体键合低温SOI工艺硼氢离子共注

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基于低温键合技术制备SOI材料的研究

基于低温键合技术制备SOI材料的研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：詹达马小波刘卫丽宋志棠林梓鑫沈勤我中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心 200050

本文通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系,研究结果表明退火温度在100℃升到300℃的过程中,键合强度得到明显加强,高于300℃,键合强度随退火温度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处... 详细信息

本文通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系,研究结果表明退火温度在100℃升到300℃的过程中,键合强度得到明显加强,高于300℃,键合强度随退火温度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和smart-cut技术制备出SOI结构,顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度.该研究结果提供了一种SOI低温技术.

关键词： SOI材料等离子体活化键合强度低温键合

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ULSI关键工艺技术——纳米级化学机械抛光

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微纳电子技术 2005年第7期42卷 336-339页

作者：张楷亮宋志棠封松林 Chen Bomy 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化... 详细信息

IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面的平坦化要求越来越高。在比较了IC工艺中的四种平坦化技术基础上,重点综述了唯一可以实现全局平坦化的化学机械抛光(CMP)方法的发展、应用及展望。

关键词：超大规模集成电路化学机械抛光纳米抛光液全局平坦化

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Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究

Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：刘奇斌张楷亮王良咏封松林宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程研究中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院

Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI12... 详细信息

Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI1287,主要测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位,动电位扫描.开路电位结果显示在PH值等于10时,出现钝化行为,当PH等于11时,钝化开始向活化转变,当PH为12时,薄膜一直处于活化状态.在动电位扫描过程中,在不同的PH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状是相似的,变化也不大,说明薄膜腐蚀的反应机理是相同的.利用电化学实验结果,配置出GST抛光液,用于相变存储器的结构制作过程中.

关键词： Ge2Sb2Te5 相变存储器化学机械抛光电化学抛光液

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硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

硅衬底超精密CMP中抛光液的研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：钟旻张楷亮宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室200050上海

化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一,本文针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对... 详细信息

化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一,本文针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化试验获得了高速率、高平整的抛光表面:去除速率(RR)达697nm/min,粗糙度RMS降低至4.516(A),在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.

关键词：化学机械抛光胶体SiO2 抛光速率抛光液

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制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：夏吉林刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没... 详细信息

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,也就是意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低.

关键词： Ge2Sb2Te5薄膜电学性能制备条件相变

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半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究

半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：张楷亮宋志棠钟晻郑鸣捷刘卫丽封松林董尧德汪贵发楼春兰中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜材料工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室200050上海万象硅峰电子股份有限公司 324300浙江

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶... 详细信息

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nacol2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40﹪(14微米/小时VS10微米/小时);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.

关键词：硅晶片双面抛光化学机械抛光抛光液

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低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜

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功能材料 2004年第6期35卷 774-775,778页

作者：江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 中国科学院上海原子核研究所上海201800

　采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强... 详细信息

　采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。

关键词：离子束辅助沉积 Pt膜择优取向

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ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究

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电子器件 2004年第4期27卷 556-558,563页

作者：张楷亮宋志棠张建新檀柏梅刘玉岭中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心上海200050 河北工业大学微电子技术与材料研究所天津300130

针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和... 详细信息

针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和稳定性进行了表征。以低分散度硅溶胶纳米研磨料配制抛光浆料进行了二氧化硅介质的 CMP研究 ,结果表明 ,平均粒径 1 0 3 .4nm的硅溶胶浆料的去除速率达 63 0 nm/min,有效解决了二氧化硅介质

关键词：超大规模集成电路化学机械抛光纳米研磨料硅溶胶大粒径

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