检索结果-内蒙古大学图书馆

随着射频电路(RF)工作频率及集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势.本文分析了RF电路发展中遇到的挑战以及SOI在RF电路中应用优势,综述了当前国际上SOIRF电路的研究进展.

关键词：射频集成电路高阻SOI 串扰芯片集成

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离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究

离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：江炳尧任琮欣冯涛蒋军柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)

本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜的组份.... 详细信息

本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜的组份.研究分析了铪膜起皮脱落的原因.确定了制备具有良好耐热应力性能铪膜的工艺条件.

关键词：钼栅极电子发射离子束辅助沉积行波管铪膜耐热应力工艺条件

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SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析

SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析

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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

作者：朱鸣林青张正选林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)

本文对SiGe源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制.并且,随着Ge含量的提高,浮体效应得到进... 详细信息

本文对Si<,1-X>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制.并且,随着Ge含量的提高,浮体效应得到进一步的抑制.

关键词：半导体器件体硅材料浮体效应 SOI电路 SiGe源结构

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SOI在高压器件中的应用

SOI在高压器件中的应用

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论。

关键词： SOI 高压器击穿电压

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硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究

硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究

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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

作者：张楷亮宋志棠刘玉岭中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心河北工业大学微电子技术与材料研究所(天津)

本文对硅单晶材料到抛光片的关键加工工艺:切割、磨片、化学机械抛光、清洗等工序进行了分析,并对相应的工艺化学品进行研究和应用.研究表明工艺过程中适当增强化学作用可以降低机械损伤、减少机械和热应力导致的缺陷,提高硅片质量和成... 详细信息

本文对硅单晶材料到抛光片的关键加工工艺:切割、磨片、化学机械抛光、清洗等工序进行了分析,并对相应的工艺化学品进行研究和应用.研究表明工艺过程中适当增强化学作用可以降低机械损伤、减少机械和热应力导致的缺陷,提高硅片质量和成品率,尤其是清洗工艺中特性吸附的研究大大提高了清洗表面质量,并降低了清洗成本.

关键词：半导体硅材料集成电路工艺切片化学机械抛光清洗

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SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析

SiGe源结构SOI器件浮体效应的模拟与分析

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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

作者：朱鸣林青张正选林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)

本文对Si<,1-x>Ge<,x>源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现象得到了减弱,击穿电压得到了提高,说明浮体效应得到了明显的抑制.并且,随着Ge含量的提高,浮体效应得到进一步的抑制.

关键词： SiGe SOI器件浮体效应 SOI器件

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用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜

用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜

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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

作者：邢玉梅陶凯俞跃辉宋朝瑞郑志宏半导体功能薄膜工程技术研究中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)

采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O或N气氛下迅速退火以及N气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化铪薄膜结晶性能的影响;同时借助X射线光电子能谱(XPS)研究了... 详细信息

采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O<,2>或N<,2>气氛下迅速退火以及N<,2>气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化铪薄膜结晶性能的影响;同时借助X射线光电子能谱(XPS)研究了靶材及氧化铪薄膜退火前后的成分与化学配比,电子结合状态情况;最后采用扩展电阻测量法分析了氧化铪薄膜的电介质绝缘性能.

关键词： IBED方法 SOI 氧化铪薄膜离子束辅助增强沉积系统 X射线衍射技术电介质绝缘性能

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高阻SOI在射频电路中的应用优势

高阻SOI在射频电路中的应用优势

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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

作者：骆苏华刘卫丽张苗刘奇斌林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所国家半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)

本文主要概述了基片电阻率对集成电路性能的影响,采用高阻SOI大大提高了RF电路性能,为CMOS在GHz频域的应用提供了发展基础.

关键词：高阻SOI 射频电路 RF电路性能

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