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机构

  • 2 篇 中国科学院微电子...
  • 2 篇 中国科学院上海微...
  • 1 篇 中国科学院上海微...
  • 1 篇 中国科学院上海微...

作者

  • 2 篇 徐安怀
  • 2 篇 金智
  • 2 篇 张毕禅
  • 2 篇 艾立鹍
  • 2 篇 苏永波
  • 2 篇 丁芃
  • 1 篇 王石冶
  • 1 篇 刘卫丽
  • 1 篇 宋志棠
  • 1 篇 孙晓玮
  • 1 篇 林成鲁
  • 1 篇 陈欣璐
  • 1 篇 张苗
  • 1 篇 汪丽丹
  • 1 篇 狄增峰
  • 1 篇 骆苏华

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所射频与微波集成系统实验室"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
fmax=521GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件
fmax=521GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件
收藏 引用
第13届全国MOCVD学术会议
作者: 丁芃 汪丽丹 陈欣璐 张毕禅 苏永波 艾立鹍 徐安怀 金智 中国科学院微电子研究所 微波器件和集成电路研究室北京100029 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料实验室上海200050
InP基HEMT器件因其高载流子浓度和高电子迁移率,是目前截止频率最高的固态三端电子器件[1],加之其良好的低噪声特性,是目前发展固态太赫兹电路的主流方向[2].本文中,栅宽为50 μm×2的InP基HEMT器件的外延结构为InP衬底上依次生长的...
来源: 评论
采用步进式光刻技术研制的fmax>600GHz InP DHBT共基极多指器件
采用步进式光刻技术研制的fmax>600GHz InP DHBT共基极多指器件
收藏 引用
第13届全国MOCVD学术会议
作者: 苏永波 张毕禅 丁芃 艾立鹍 徐安怀 金智 中国科学院微电子研究所 微波器件和集成电路研究室北京100029 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料实验室上海200050
InP HBT器件以其自身材料特性,如能带结构丰富、电子迁移率高、饱和漂移速度大等特点,非常适合于超高频器件和电路的应用.国外多家研究机构在外延层生长工艺、器件工艺以及电路设计研制等方面展开了深入的研究[1],国际上InP HBT的发展...
来源: 评论
SOI在射频电路中的应用
收藏 引用
微电子学 2005年 第1期35卷 67-70页
作者: 骆苏华 刘卫丽 张苗 狄增峰 王石冶 宋志棠 孙晓玮 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所国家半导体功能薄膜工程技术研究中心 中国科学院上海微系统与信息技术研究所射频与微波集成系统实验室 上海200050
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示... 详细信息
来源: 评论