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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议

作者：徐德辉熊斌王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海 200050 中国科学院研究生院北京 100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海 200050

微机械热电堆红外探测器由于无需致冷，后续检测电路简单，成本低等优点在许多领域得到了广泛应用。本文设计并制造了两种2.2微机械热电堆红外探测器阵列，热电堆的热电偶材料采用N型多晶硅和铝，结构支撑膜为氧化硅-氮化硅-氧化硅的复... 详细信息

微机械热电堆红外探测器由于无需致冷，后续检测电路简单，成本低等优点在许多领域得到了广泛应用。本文设计并制造了两种2.2微机械热电堆红外探测器阵列，热电堆的热电偶材料采用N型多晶硅和铝，结构支撑膜为氧化硅-氮化硅-氧化硅的复合介质膜，悬浮绝热结构是通过前端XeF2干法各向同性硅腐蚀工艺而制备。阵列器件采用两维的面阵列结构，单元探测器则以串联和并联两种方式分别组成阵列，并联方式的阵列可以实现红外探测并行扫描的功能，串联的阵列则可以进一步提高红外探测器的输出电压及探测率，但不能提高器件的响应率。由于采用XeF2干法工艺对器件进行最终释放，器件的良率可以得到很大的提高;热电堆的材料及制造工艺都与标准CMOS技术完全兼容，器件的成本可以进一步的降低。

关键词：微机械热电堆红外探测器热电偶材料多晶硅结构支撑膜干法各向同性硅腐蚀工艺

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不同面积顶电极本征Josephson结的电流电压特性

不同面积顶电极本征Josephson结的电流电压特性

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第十届超导学术交流会

作者：王兴尤立星杨晓燕信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院研究生院北京 100190 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

采用单面工艺制备了mesa结构的本征Josephson结,用四引线法测试了本征结的电流电压特性,比较和分析了不同面积顶电极测试时本征结中产生的热效应的差异.实验结果表明相同偏置电流下小面积顶电极作为电流支路引起的负阻变化更明显.通过... 详细信息

采用单面工艺制备了mesa结构的本征Josephson结,用四引线法测试了本征结的电流电压特性,比较和分析了不同面积顶电极测试时本征结中产生的热效应的差异.实验结果表明相同偏置电流下小面积顶电极作为电流支路引起的负阻变化更明显.通过准粒子电阻Rqp(T)与～V曲线得到了mesa的实际温度Tmesa,并由Tmesa与热功率耗散P的关系得到了mesa的热阻α。

关键词：本征Josephson结顶电极电流电压特性热效应热功率耗散

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两维碰撞加速度传感器及其实用化

两维碰撞加速度传感器及其实用化

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第11届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：周伟刘民姜伟李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

基于MEMS加工和模块化封装来制作用于碰撞冲击测量的加速度传感器。该传感器采用新型三梁-质量块敏感结构,在提高灵敏度的同时拓宽了频带范围。通过压阻效应形成惠斯通电桥,在500g的量程下,灵敏度达到0.3mV/g/5V,固有频率15kHz。传感器... 详细信息

基于MEMS加工和模块化封装来制作用于碰撞冲击测量的加速度传感器。该传感器采用新型三梁-质量块敏感结构,在提高灵敏度的同时拓宽了频带范围。通过压阻效应形成惠斯通电桥,在500g的量程下,灵敏度达到0.3mV/g/5V,固有频率15kHz。传感器贴装在PCB板上,由经济实用的放大电路进行处理,可以实现两维的加速度测量,电压输出1～4V,带宽500Hz。传感器在车辆运输等实际环境下进行了试用,性能可靠稳定,具有良好的实用化前景。

关键词：加速度传感器碰撞冲击测量两维碰撞 MEMS加工模块化封装

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注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响

注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：王茹张正选俞文杰田浩毕大炜张帅陈明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院

采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固,分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件,对器件进行辐照试验,得到I-V特性曲线。运用中带电压法对I-V特性曲线进行参数提取,进行电荷分离,得到埋氧层中的氧化... 详细信息

采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固,分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件,对器件进行辐照试验,得到I-V特性曲线。运用中带电压法对I-V特性曲线进行参数提取,进行电荷分离,得到埋氧层中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷信息。结果表明注硅改性工艺在BOX中引入了一定量的固定正电荷,但更重要的是在改性样品的BOX中引入大量电子陷阱,这补偿了辐射感生正空间电荷,抑制了辐射感生的陷阱电荷,最终得到具有优越的抗辐射性能的改性SIMOX材料。

关键词： SIMOX材料总剂量效应氧化物陷阱电荷界面态陷阱电荷

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注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究

注硅改性SIMOX材料的总剂量效应研究

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：张帅张正选毕大炜陈明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院

采用Si注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料,对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。结果表明注Si减小了辐照时NMOSFET阈值电压的漂移。截面高分辨TEM分析表明注Si的BOX层中形成了硅纳米晶体... 详细信息

采用Si注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料,对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。结果表明注Si减小了辐照时NMOSFET阈值电压的漂移。截面高分辨TEM分析表明注Si的BOX层中形成了硅纳米晶体团簇,其作为深电子陷阱大幅减小了辐射诱生氧化物陷阱电荷的累积。Si注入并退火能够提高全耗尽SIMOX材料的抗总剂量效应能力。

关键词：全耗尽 SIMOX材料总剂量效应 pseudo-MOSFET 硅纳米晶体

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浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展

浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：刘张李张正选毕大炜张帅田浩俞文杰陈明王茹中国科学院研究生院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论,主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出:总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷,引起浮栅上电荷的变化。

关键词：控制电路存储单元总剂量辐射效应电荷损失

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二维硅柱子光子晶体中的负折射及亚波长成像

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徐州工程学院学报（自然科学版） 2009年第1期24卷 71-75页

作者：孙建沈义峰吕海萍殷春浩中国矿业大学理学院江苏徐州221008 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在空气中放置三角格子硅柱子,构造了一种二维晶格结构.通过等频图分析及FDTD模拟,证明该晶格结构存在一个有效折射率为-1的频率.利用该晶格结构,设计了一个能形成一个非近场的像的超透镜.进一步的研究证明由该晶格结构构成的超透镜还具... 详细信息

在空气中放置三角格子硅柱子,构造了一种二维晶格结构.通过等频图分析及FDTD模拟,证明该晶格结构存在一个有效折射率为-1的频率.利用该晶格结构,设计了一个能形成一个非近场的像的超透镜.进一步的研究证明由该晶格结构构成的超透镜还具有亚波长成像的能力.

关键词：光子晶体负折射超透镜亚波长成像

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InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)

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红外与毫米波学报 2008年第2期27卷 81-85页

作者：田招兵顾溢张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子... 详细信息

建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子效率的影响.在此基础上提出了两种改进的背照射InGaAs/InP探测器结构,并讨论了其结构参数的优化.

关键词：短波红外光伏型探测器 InGaAs 量子效率

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氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性(英文)

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红外与毫米波学报 2008年第4期27卷 317-320页

作者：曹萌吴惠桢劳燕峰曹春芳刘成中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增... 详细信息

采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增大,量子阱发光强度随之减小。H+注入过程中,部分隧穿H+会湮灭掉量子阱结构界面缺陷,同时H+也会对量子阱结构带来损伤,两者的竞争影响量子阱发光强度的变化。高温快速退火处理后,离子注入后的量子阱样品发光峰位在低温10K相对于未注入样品发生蓝移,蓝移量随着H+注入能量或剂量的增大而增加。退火过程中缺陷扩散以及缺陷扩散导致的阱层和垒层之间不同元素互混是量子阱发光峰位蓝移的原因。

关键词：离子注入光致发光量子阱互混

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带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

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固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 138-141,148页

作者：艾立鹍徐安怀孙浩朱福英齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)... 详细信息

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。

关键词：双异质结双极晶体管气态源分子束外延磷化铟阶梯缓变集电区

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