检索结果-内蒙古大学图书馆

稀有金属材料与工程 2008年第A04期37卷 420-423页

作者：谢晓明孙越中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

旋转超导体会在其内部产生一均匀磁场,称为伦敦磁场。伦敦磁场的研究具有重要理论和应用价值。本文对微弱伦敦磁场的探测方法进行了初步研究,使用多层超导筒屏蔽外界环境磁场的干扰,采用超导量子干涉器件(SQUID)来读出旋转超导体产生的... 详细信息

旋转超导体会在其内部产生一均匀磁场,称为伦敦磁场。伦敦磁场的研究具有重要理论和应用价值。本文对微弱伦敦磁场的探测方法进行了初步研究,使用多层超导筒屏蔽外界环境磁场的干扰,采用超导量子干涉器件(SQUID)来读出旋转超导体产生的磁场。通过对冻结磁通产生的干扰信号的有效分离,成功地观测到了伦敦磁场信号.通过理论分析,确定了伦敦磁场探测对应屏蔽性能的要求,对提高伦敦磁场探测信噪比的措施进行了讨论。

关键词：旋转超导体伦敦磁场超导屏蔽冻结磁通超导量子干涉器件(SQUID)

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SQUID读出电路的仿真及其调试电路的设计

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稀有金属材料与工程 2008年第A04期37卷 457-460页

作者：王永良王会武谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

超导量子干涉器件(SQUID)配合其读出电路可实现极其微弱磁场的测量,设计低噪声高性能的读出电路是SQUID应用中的一个重要工作。本文介绍了根据电路数学模型进行电路行为仿真的方法,对电路进行模块划分,建立各模块的数学模型,通过仿真分... 详细信息

超导量子干涉器件(SQUID)配合其读出电路可实现极其微弱磁场的测量,设计低噪声高性能的读出电路是SQUID应用中的一个重要工作。本文介绍了根据电路数学模型进行电路行为仿真的方法,对电路进行模块划分,建立各模块的数学模型,通过仿真分析影响电路性能的关键参数,进而指导具体电路的设计实现,同时介绍了一种调试电路的研制,可实现基于交流调制的磁通锁定式读出电路在常温下的调试。

关键词： SQUID 读出电路电路仿真调试电路

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室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装

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红外与毫米波学报 2008年第3期27卷 176-179页

作者：赵伟明甘新慧戴明徐岭孙萍李卫马懿马忠元吴良才徐骏陈坤基南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系江苏南京210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像... 详细信息

应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.

关键词：半导体纳米晶体自组装双功能分子刻蚀

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高电子迁移率晶体管太赫兹探测器特性

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功能材料与器件学报 2008年第4期14卷 787-792页

作者：王立敏中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系。结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且... 详细信息

计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系。结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且高度有所上升。这些研究在太赫兹等离子探测器的设计上有着重要的作用。

关键词： HEMT terahertz 导纳响应率

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基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文)

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功能材料与器件学报 2008年第5期14卷 889-894页

作者：梅斌徐刚毅李爱珍李华李耀耀魏林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度... 详细信息

高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料。利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好。

关键词：高分辨X射线衍射 InGaAs InAlAs 错向角摇摆曲线倒空间mapping

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SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析

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功能材料与器件学报 2008年第6期14卷 995-1000页

作者：杨志峰陈静孙佳胤武爱民王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型。对具体样品的模拟计算表明,GaN层... 详细信息

通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型。对具体样品的模拟计算表明,GaN层中张应力的值约为0.5GPa,曲率半径为9.1m。SOI结构中SiO2埋层以及顶层硅厚度变化对GaN层的热应力影响很小,但是对SOI自身各层中应力影响较大。通过合理简化模型,我们分析了蓝宝石基以及SiC基GaN生长中的热应力的分布问题。

关键词： SOI GaN 热膨胀系数热应力

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GaAs/InGaP异质界面的湿法腐蚀

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功能材料与器件学报 2008年第3期14卷 634-638页

作者：林玲王伟徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表... 详细信息

对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜(AFM)、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP异质界面的腐蚀形貌,找到了简单有效的办法,可获得很好的表面平整度,同时侧向腐蚀也较小。

关键词：湿法腐蚀 GaAs InGaP 柠檬酸

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InGaAs/InAlAs异质结的H_3PO_4/H_2O_2系的湿法腐蚀

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功能材料与器件学报 2008年第4期14卷 799-803页

作者：田招兵张永刚李爱珍顾溢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用了H3PO4/H2O2系化学腐蚀液对GSMBE外延的InGaAs/InP和InA lAs/InP材料湿法腐蚀特性进行了研究,研究了不同浓度和配比对于腐蚀速率和形貌影响。结果表明该腐蚀液体系具有良好的均匀性,腐蚀速率随浓度呈指数关系,表面形貌基本不受浓... 详细信息

采用了H3PO4/H2O2系化学腐蚀液对GSMBE外延的InGaAs/InP和InA lAs/InP材料湿法腐蚀特性进行了研究,研究了不同浓度和配比对于腐蚀速率和形貌影响。结果表明该腐蚀液体系具有良好的均匀性,腐蚀速率随浓度呈指数关系,表面形貌基本不受浓度影响。在增加腐蚀液中双氧水含量时,腐蚀速率先增大后减小,表面形貌良好;增加磷酸浓度腐蚀速率亦有增大趋势,表面出现尖锥状小丘。并对腐蚀液配比变化对腐蚀特性影响及腐蚀机理进行了讨论分析。

关键词： InGaAs/InAlAs 湿法腐蚀异质结

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GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计

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功能材料与器件学报 2008年第3期14卷 614-618页

作者：刘盛张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2-3μm中红外波段量子阱激光器的... 详细信息

采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2-3μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。

关键词：量子阱结构半导体激光器带间跃迁

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低能Ar离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜

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核技术 2008年第1期31卷 10-14页

作者：江炳尧冯涛任琮欣柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心华东师范大学上海200062

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向。当辅助轰击的Ar... 详细信息

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向。当辅助轰击的Ar离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)择优取向。采用Monte Carlo方法模拟能量为500eV的Ar离子入射单晶Ag所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar离子入射单晶Ag(100)面、(111)面时,Ar离子的溅射率与入射角和方位角的关系。对离子注入的沟道效应和薄膜表面的自由能对薄膜择优取向的影响作了初步的探讨和分析。

关键词：离子束辅助沉积,Cu Ag Pt薄膜,择优取向

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