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第九届全国超导学术研讨会

作者：王会武谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DC SQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DC SQUID器件的磁通电压转换系数的影响，比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁... 详细信息

磁通电压转换系数是衡量直流超导量子干涉器(DC SQUID)性能的重要指标。使用数值模拟分析SQUID环电感和结临界电流的不对称程度对DC SQUID器件的磁通电压转换系数的影响，比较非对称结构器件和对称结构器件的性能差别。模拟结果显示磁通电压转换系数随着DE SOUID器件不对称程度的增大有提高。在提高磁通电压转换系数的基础上，讨论DC SOUID读出电路简化为直读式电路的可能性。

关键词：超导量子干涉器磁通电压转换非对称结构数值模拟

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基于PDMS模具热模压制备微流控通道结构的方法

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微细加工技术 2007年第1期 46-50页

作者：潘欣欣陈翔陈迪庄贵生上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

介绍了一种利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)的快速成型来制备模具,再进行热模压制造微流控通道结构的方法。通过在硅片上旋涂SU-8胶进行光刻显影,得到结构模版,在此模版上浇注PDMS,脱模即得到PDMS模具。将PDMS模具进行热压,成功地在聚甲基丙... 详细信息

介绍了一种利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)的快速成型来制备模具,再进行热模压制造微流控通道结构的方法。通过在硅片上旋涂SU-8胶进行光刻显影,得到结构模版,在此模版上浇注PDMS,脱模即得到PDMS模具。将PDMS模具进行热压,成功地在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基片上复制了特定的微流控通道结构。相对于常规的硅微加工和UV-LIGA工艺制造热模压模具,本方法具有加工周期短、工艺简单、成本低等优点。另外,还对温度、压力、时间等热模压的主要工艺参数进行了初步的优化研究。

关键词： PDMS 模具热模压微流控

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短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制

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红外与毫米波学报 2006年第1期25卷 6-9页

作者：张永刚顾溢朱诚郝国强李爱珍刘天东中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征... 详细信息

采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.

关键词：光伏探测器短波红外 InGaAs 气态源分子束外延

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气态源分子束外延生长扩展波长InGaAs探测器性能分析(英文)

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红外与毫米波学报 2006年第4期25卷 241-245页

作者：郝国强张永刚顾溢李爱珍朱诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;... 详细信息

从理论与实验两方面对截止波长为1.7μm(x=0.53),1.9μm(x=0.6)和2.2μm(x=0.7)p in InxGa1-xAs探测器性能进行了研究.对探测器暗电流的研究结果表明,扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器在反向偏置低压区,欧姆电流占据主导地位;在反向偏置高压区,缺陷隧穿电流占主导地位;且扩展波长In0.6Ga0.4As,In0.7Ga0.3As探测器的暗电流比In0.53Ga0.47As探测器增加较大.对探测器R0A随温度及i层载流子浓度变化关系的研究结果表明,在热电制冷温度下探测器性能可得到较大提高,i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善.

关键词：光电子学光电探测器暗电流分析温度特性零偏压下微分电阻与面积乘积

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采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜

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光电子．激光 2006年第12期17卷 1453-1456页

作者：雷本亮于广辉孟胜齐鸣李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(A... 详细信息

采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108cm-2。

关键词： GaN 氢化物气相外延(HVPE) 低温AIN插入层

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InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究

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物理学报 2006年第9期55卷 4934-4939页

作者：余晨辉王茺龚谦张波陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及G... 详细信息

运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.

关键词：压电调制光谱 InAs/GaAs表面量子点洛伦兹线形拟合

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128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究

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红外与毫米波学报 2006年第5期25卷 333-337页

作者：吕衍秋徐运华韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温... 详细信息

报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.

关键词：探测器焦平面 InGaAs 钝化

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气态源分子束外延8元In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光伏探测器阵列

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半导体光电 2006年第5期27卷 519-521,542页

作者：田招兵张永刚李爱珍顾溢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性。探测器阵列在室温下具有良好的性能,在-10 mV反偏下... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性。探测器阵列在室温下具有良好的性能,在-10 mV反偏下探测器的暗电流约173 pA,单元间的相对标准差为1.3%;器件的峰值探测率为4.7×***1/2/W,单元间的相对标准差为0.9%。

关键词：光伏探测器焦平面阵列 InGaAs 近红外

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InAsP/InGaAsP/InP应变材料的二维倒空间衍射研究

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 58-63页

作者：黄占超吴惠桢劳燕锋刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室上海200050

采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到了处于部分弛豫状态的InGaAsP在不同方向呈现不同的应变状态.... 详细信息

采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到了处于部分弛豫状态的InGaAsP在不同方向呈现不同的应变状态.排除了外延层倾斜及应变对确定失配度的影响,准确计算得到InAsP外延层体失配度为1.446%,InGaAsP外延层体失配度为-0.5849%,并且生长了高质量的应变补偿8阱多量子阱.

关键词： X射线衍射倒空间mapping 应变量子阱

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直接键合微腔结构的光谱特性

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Journal of Semiconductors 2006年第z1期27卷 304-308页

作者：劳燕锋吴惠桢黄占超刘成曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度... 详细信息

采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度下(如580℃)进行直接键合有利于高光学性能微腔结构的制备,而提高退火温度则需要在键合结构中加入缺陷阻挡层以提高键合质量.

关键词：晶片直接键合界面缺陷反射光谱

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