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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：李明颖方爱华谢晓明黄富强中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 2000501 中国科学院上海硅酸盐研究所能量转换材料重点实验室上海 2000502

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张应变对Ge迁移率的改善

张应变对Ge迁移率的改善

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：王凯龚谦周海飞康传振严进一柳庆博王庶民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 曲阜师范大学物理工程学院曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Department of Microtechnology Chalmers University of Techn

随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影... 详细信息

随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影响进行了研究。本文中所有样品均在V90气态源分子束外延设备上进行材料生长，其中As和P由AsH3和PH:经1000℃高温裂解获得，其束流大小由压力控制;In,Al,Ga都使用固态源，束流大小由温度进行精确控制。测试结果表明，随着InAIP中In组分的增大，Ge的张应变量随之增大，表明在InAIP虚拟衬底上生长Ge可以对其张应变量进行很好地控制;原子力显微镜测试结果表明即使Ge的张应变量达到2.0％，仍然能够保持二维生长和高质量的表面;霍尔测试结果表明Ge迁移率随着张应变量的增大而增大，显示出其在未来集成电路应用的良好前景。

关键词：集成电路半导体技术锗材料迁移率张应变量分子束外延

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1.3μm波段InAs/GaAs量子点激光器性能研究

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通信技术 2018年第6期51卷 1268-1272页

作者：杨维凯王海龙曹春芳严进一周长帅龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用气态源分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点材料,研制出激射波长为1.3μm波段由5层量子点组成的3 mm腔长、3μm脊条宽度的InAs/GaAs量子点激光器。在室温连续波模式下,研究了激光器的输出性能和光谱性能,激光器的阈值电流为91... 详细信息

利用气态源分子束外延技术在GaAs衬底上生长InAs量子点材料,研制出激射波长为1.3μm波段由5层量子点组成的3 mm腔长、3μm脊条宽度的InAs/GaAs量子点激光器。在室温连续波模式下,研究了激光器的输出性能和光谱性能,激光器的阈值电流为91 mA,相应的阈值电流密度为1 011.1 A/cm^2,激光输出功率斜效率为115 mW/A,最高输出功率达到30 mW。在温度范围10~50℃内,测得激光器的特征温度为40K。另外,研究了改变注入电流和改变激光器的工作温度条件下的器件激射波长的调谐特性。

关键词：量子点激光器分子束外延阈值电流密度特征温度

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NbN基SFS约瑟夫森结的制备与特性研究

NbN基SFS约瑟夫森结的制备与特性研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：李峰张露王会武彭炜王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学上海科技大学

只有配备与之兼容的的低温存储器，以超导/绝缘/超导(SIS)结为基础的SFQ 数字电路才能充分发挥其作用。在当前研究的多种低温存储器中，以超导/铁磁/超导(SFS)结为基础的磁性约瑟夫森结(MJJ)是目前最具潜力的解决方案之一。

关键词：

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X射线能谱方法在稀土能源材料中的研究应用

X射线能谱方法在稀土能源材料中的研究应用

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中国稀土学会2021学术年会

作者：余毅章辉刘志上海科技大学大科学中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

基于二氧化铈的稀土能源催化材料具有可逆氧化还原对Ce/Ce、可调控氧空位和表面酸碱性质等优异性质,在能源催化和有机合成等领域取得了广泛的应用和研究。探究氧化铈电催化体系中的微观化学机制、理解电催化过程的界面构效关系,对设计... 详细信息

基于二氧化铈的稀土能源催化材料具有可逆氧化还原对Ce/Ce、可调控氧空位和表面酸碱性质等优异性质,在能源催化和有机合成等领域取得了广泛的应用和研究。探究氧化铈电催化体系中的微观化学机制、理解电催化过程的界面构效关系,对设计下一代高活性稀土能源材料具有重要的科学价值和实践意义。本报告将围绕原位X射线能谱方法展开,基于氧化铈模型电化学器件,讨论X射线能谱方法在稀土能源材料研究中的应用,并结合多种X射线原位谱学方法,探讨稀土材料设计和研究的新范式,展望X射线原位技术在稀土材料催化和电催化研究中的应用。

关键词： X射线能谱方法原位氧化铈电催化

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基于HHT的输电线路雷击点定位研究

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功能材料与器件学报 2018年第3期24卷 174-178页

作者：曾宪武李生福李伟贵州电网有限责任公司遵义供电局遵义563000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

针对目前输电线路的雷击监测定位问题,提出一种基于希尔伯特-黄变换(HHT)的输电线路雷击点定位方法。OPGW遭受雷击时其内部通信光纤中传输光由于法拉第(Faraday)效应产生偏振态突变信号,首先对偏振态信号进行降噪,然后对降噪处理后的偏... 详细信息

针对目前输电线路的雷击监测定位问题,提出一种基于希尔伯特-黄变换(HHT)的输电线路雷击点定位方法。OPGW遭受雷击时其内部通信光纤中传输光由于法拉第(Faraday)效应产生偏振态突变信号,首先对偏振态信号进行降噪,然后对降噪处理后的偏振态信号进行希尔伯特-黄变换和处理得到其幅值、频率随时间变化的图谱,从而得到偏振态突变信号到达偏振态解调设备的时刻来进行雷击点定位。结果表明,HHT可以准确的反映OPGW雷击点处光偏振态突变信息,具有较高的定位精度和可靠性,为实现输电线路雷击点更高精度和更快速的检测定位提供了新的方法和思路。

关键词：偏振态降噪希尔伯特-黄变换雷击点定位

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立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室浙江大学物理系

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 详细信息

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-x(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400-800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgxZn1-xO薄膜微结构光学特性

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对DC-SQUID磁通调制读出方案的分析

对DC-SQUID磁通调制读出方案的分析

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第十三届全国超导学术研讨会

作者：王海洪韬孔祥燕张懿中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ) D-52425 Jülich Germany

通过升压变压器连接SQUID与前放的磁通调制方案(FMS)是一种标准的SQUID读出技术。变压器的初级线圈串联一个大电容后并联到SQUID两端,次级线圈连接到前放。一个典型频率在100 kHz调制磁通会在SQUID两端产生一个交流的电压信号V(Φ),该...

通过升压变压器连接SQUID与前放的磁通调制方案(FMS)是一种标准的SQUID读出技术。变压器的初级线圈串联一个大电容后并联到SQUID两端,次级线圈连接到前放。一个典型频率在100 kHz调制磁通会在SQUID两端产生一个交流的电压信号V(Φ),该电压信号会被变压器放大。由于电容的隔直作用,习惯上认为恒定的直流偏置电流Ib只流经SQUID,在该技术方案中SQUID工作于电流偏置模式。然而,在FMS中SQUID的工作模式既不是纯粹的电流偏置也不是电压偏置,而是混合偏置。通过分析,并定量比较了FMS与直读方案(DRS)的SQUID电流电压(I-V)特性曲线实验测量数据,我们发现：由于变压器的并联分流作用使得流经SQUID的电流Is≠Ib,且不是恒定的,,使得SQUID在FMS中的V(Φ)信号与DRS相比减小了。更重要的是,变压器的通带效应使得SQUID信号变得接近正弦波,这就降低了SQUID工作点附近的(e)V/(e)Φ。

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NbTiN与NbN薄膜超导纳米线单光子探测器性能比较

NbTiN与NbN薄膜超导纳米线单光子探测器性能比较

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：杨晓燕尤立星张露陈思井吕超林李浩刘晓宇周慧王镇中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

超导纳米线单光子探测器(SNSPD)具有探测效率高、计数率高、暗计数低、时间抖动小等特点。目前在量子密钥分发、量子纠缠、量子随机数发生器，以及星地测距、地月测距、成像等应用方面具有大量的器件需求。

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基于超导接收的低阻覆盖区瞬变电磁勘探

基于超导接收的低阻覆盖区瞬变电磁勘探

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第十三届全国超导学术研讨会

作者：荣亮亮常凯王远蒋坤王永良嵇艳鞠谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京100039 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室吉林大学长春130000 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室

低阻覆盖区探测是瞬变电磁勘探的难点和技术前沿,传统的感应线圈接收受灵敏度和频率特性的制约,低阻覆盖区探测效果有限.基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的传感器具有磁场噪声水平低(fT量级),带宽大,灵敏度不随频率变化以及直接测量磁...

低阻覆盖区探测是瞬变电磁勘探的难点和技术前沿,传统的感应线圈接收受灵敏度和频率特性的制约,低阻覆盖区探测效果有限.基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的传感器具有磁场噪声水平低(fT量级),带宽大,灵敏度不随频率变化以及直接测量磁场等特点和优势,适合瞬变电磁(TEM)应用.与传统的空心线圈接收相比,超导接收的晚期信号信噪比高,探测深度显著增大.本文基于欠阻尼低温SQUID和单片低噪声直读电路构建了高摆率、大带宽的超导瞬变电磁接收传感器,磁传感器本底噪声水平7fT/√Hz@1kHz,噪声转折频率20Hz,带宽4MHz,摆率3 nT·μs-1.我们在上海市横沙岛开展了验证实验,上海横沙岛地表电阻率为10欧姆米左右,为典型的低阻覆盖区,我们基于超导接收实现了1400米的有效探测深度,对比线圈700米探测深度,应用优势明显.

关键词：

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