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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家级重点实验室"
836 条 记 录,以下是731-740 订阅
排序:
离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
收藏 引用
功能材料信息 2006年 第3期3卷 7-11页
作者: 吴惠桢 曹萌 劳燕锋 刘成 谢正生 曹春芳 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室 浙江杭州310027
采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面... 详细信息
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立方相ZnMgO的电学特性研究
立方相ZnMgO的电学特性研究
收藏 引用
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 金国芬 梁军 吴惠桢 劳燕锋 余萍 徐天宁 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得C-ZnMgO材料的介电常数为10.5... 详细信息
来源: 评论
Pb1-xMnxSe薄膜的光学特性
Pb1-xMnxSe薄膜的光学特性
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 王擎雷 吴惠桢 斯剑霄 徐天宁 夏明龙 谢正生 劳燕锋 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
我们用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明Pb1-xMnxSe为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底晶面(111).晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减... 详细信息
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应变对PbSe材料晶格振动的影响
应变对PbSe材料晶格振动的影响
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者: 曹春芳 吴惠桢 徐天宁 斯剑霄 陈静 沈文忠 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海交通大学物理系 上海200030
本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,... 详细信息
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纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储
纳米硅基双势垒MOS结构的原位制备、F-N隧穿及电荷存储
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第三届上海纳米科技与产业发展研讨会
作者: 吴良才 陈坤基 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室 半导体功能薄膜工程技术中心上海市长宁路865号200050 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室南京市汉12路22号210093 南京大学物理系 固体微结构物理国家重点实验室南京市汉12路22号210093 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室 半导体功能薄膜工程技术中心上海市长宁路865号200050
利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrystalline Si,nc-Si)量子点,然后再原位等离子体氧化nc-Si量子点表面制备控制SiO2层,从而形成nc-Si量子点阵... 详细信息
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直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究
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物理学报 2005年 第9期54卷 4334-4339页
作者: 劳燕锋 吴惠桢 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
通过对直接键合InPGaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InPGaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3.509μm波长光的强... 详细信息
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1.31μm垂直腔面发射激光器材料生长及其物理特性
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Journal of Semiconductors 2005年 第z1期26卷 121-125页
作者: 吴惠桢 黄占超 劳燕锋 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到... 详细信息
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梳齿的不平行对电容式微机械传感器阶跃信号响应的影响
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传感技术学报 2005年 第3期18卷 525-530页
作者: 董林玺 孙玲玲 车录锋 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 杭州电子科技大学微电子CAD研究所 杭州310018
分析了梳齿电容式传感器在三种电容驱动方式下,梳齿电容极板的不平行对传感器受到阶跃加速度信号作用时可靠工作条件的影响。得到了梳齿倾斜效应对传感器阶跃加速度响应影响的分析模型。结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下,若电容极板... 详细信息
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偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析
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机械强度 2005年 第4期27卷 465-469页
作者: 董林玺 孙玲玲 王跃林 杭州电子科技大学微电子CAD研究所 杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件... 详细信息
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反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究
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物理学报 2005年 第10期54卷 4938-4943页
作者: 贺莉蓉 顾春明 沈文忠 曹俊诚 小川博司 郭其新 上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 佐贺大学理工学部电气与电子工程系
运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0·25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面... 详细信息
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