检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料信息 2006年第3期3卷 7-11页

作者：吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室浙江杭州310027

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面... 详细信息

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。

关键词：半导体刻蚀应变多量子阱损伤

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SQUID梯度计对射频干扰响应的实验研究

SQUID梯度计对射频干扰响应的实验研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：王美玲李明陈桦王毅王海孔祥燕中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049

基于SQUID 梯度计的心磁图仪可为心脏疾病提供一种无创且高灵敏度的诊断方法，其探测部分置于无磁杜瓦内部，杜瓦的外部由高电导率材料(如超级绝缘材料)包覆以屏蔽外界射频干扰。在实际应用中，心磁图仪对射频干扰的响应值得关注。

关键词：

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从微到纳尺度缩小进程中的传感器技术应对方略探讨

从微到纳尺度缩小进程中的传感器技术应对方略探讨

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第九届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：李昕欣王跃林鲍敏杭焦继伟李铁杨恒罗乐车录锋传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 复旦大学微电子学系上海200433

本文回顾和概括了MEMS传感器进入微米尺度后解决的几个关键性问题.文中结合微传感器发展的典型事例进行分析,并对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定.在总结的基础上分析目前传感器走向纳米尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳... 详细信息

本文回顾和概括了MEMS传感器进入微米尺度后解决的几个关键性问题.文中结合微传感器发展的典型事例进行分析,并对我国科学工作者在其中的贡献给予肯定.在总结的基础上分析目前传感器走向纳米尺度的一些相关概念理解和需要着重研究的纳米效应问题.对传感器从微到纳的发展趋势进行了展望.

关键词：传感器微米尺度纳米效应

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面向SQUID生物磁应用的磁场环境监测与评估

面向SQUID生物磁应用的磁场环境监测与评估

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：王毅陈威杨康孔祥燕中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050

心磁探测是SQUID 在生物磁探测典型应用，心磁信号的信噪比直接决定心磁图质量。不同的磁场环境中，为获取高信噪比的心磁信号，除了对轴向梯度计模块基线、阶数等参数进行优化，对环境磁场的监测和评估十分重要。

关键词：

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用于胎儿心磁探测的轴向梯度计研制与性能优化

用于胎儿心磁探测的轴向梯度计研制与性能优化

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：王佳磊杨康王毅杨瑞虎陈桦孔祥燕中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050

以SQUIDs 为核心的轴向梯度计模块在胎儿心磁探测系统中发挥着巨大作用，其性能直接决定了探测到的心磁信号的质量。在简易磁屏蔽环境中，为了得到最佳的胎儿心磁信噪比，需要对轴向梯度计的基线长度进行优化。

关键词：

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GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究

GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：周书星艾立鹍徐安怀王庶民齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等....

稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等.因为铋元素是Ⅴ族元素中最大最重的元素,当被引入Ⅲ-Ⅴ族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合,导致价带边上升,剪裁能带.同时研究发现,在不同的生长条件下,掺碳还可分别获得超高浓度的p型或n型InGaAsBi,可用于异质结双极晶体管(HBT)等器件的基区或欧姆接触层.

关键词：

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NbN在超导电子学的应用前景

NbN在超导电子学的应用前景

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：王镇尤立星谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学上海科技大学中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学

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面向临床研究的多通道心磁图仪优化

面向临床研究的多通道心磁图仪优化

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：陈威李明王毅杨康王佳磊鲁丽孔祥燕中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049

目前9 通道心磁系统安装在徐汇区中心医院的简易磁屏蔽室内联合开展临床研究，已经正常运行一年多，在使用过程中，针对临床研究需要做了进一步的性能优化。包括：采用自主三轴磁强计和二阶梯度计(基线5 cm)与进口器件进行性能对比，实...

目前9 通道心磁系统安装在徐汇区中心医院的简易磁屏蔽室内联合开展临床研究，已经正常运行一年多，在使用过程中，针对临床研究需要做了进一步的性能优化。包括：采用自主三轴磁强计和二阶梯度计(基线5 cm)与进口器件进行性能对比，实现自主替代。

关键词：

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立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

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第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海) 浙江大学物理系(浙江杭州)

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgZnO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgZnO薄膜的... 详细信息

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜的折射率.与己报道的六方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400~800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55﹪增至100﹪时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgZnO薄膜微结构光学特性纳米晶体

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一种联合心磁图仪(MCG)和心电图仪(ECG)的心磁信号自动评估方法

一种联合心磁图仪(MCG)和心电图仪(ECG)的心磁信号自动评估方法

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：鲁丽杨康杨瑞虎陈威孔祥燕中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050

心磁信号的质量直接影响着从心磁信号中抽取的一些重要参数的可靠性，如RR间隔、QT 间隔和ST 间隔等。此外，差的心磁信号容易触发假警报，而过多的假警报容易导致护理人员对警报脱敏。

关键词：

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