检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2005年第2期11卷 183-186页

作者：唐田张永刚郑燕兰李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一... 详细信息

研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓。

关键词： InGaAsSb 分子束外延多量子阱光致发光

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In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析

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功能材料与器件学报 2005年第2期11卷 192-196页

作者：郝国强张永刚顾溢刘天东李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈... 详细信息

从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈现出相应的温度特性。还从理论与实验两方面探讨了噪声对探测器R0A的影响,结果表明:在低温段,产生-复合噪声起主要作用,在高温段,俄歇复合噪声起主要作用。

关键词：光电探测器暗电流探测率温度特性

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气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构

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功能材料与器件学报 2005年第2期11卷 173-176,191页

作者：刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μmVCSEL... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μmVCSEL,器件在室温下可连续单模激射,阈值电流约为4mA。实验测得的VCSEL结构反射光谱包括高反射带和腔模等参数与传递矩阵法拟合的反射光谱相符合;边发射电致发光谱的增益峰与腔模位置一致。

关键词：垂直腔面发射激光器气态源分子束外延光电特性

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带有片上天线的非接触式IC卡设计

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复旦学报（自然科学版） 2005年第1期44卷 65-69页

作者：王元高丹黄均鼐复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

介绍了一种基于ISO/IEC14443协议的带有片上天线的近耦合非接触式IC卡的芯片设计,它将天线集成到芯片中并用状态机代替MCU作为芯片的控制器,采用0.35μm工艺模型,用HSPICE对天线、模拟电路进行了仿真,采用Verilog语言和Synopsys综合工... 详细信息

介绍了一种基于ISO/IEC14443协议的带有片上天线的近耦合非接触式IC卡的芯片设计,它将天线集成到芯片中并用状态机代替MCU作为芯片的控制器,采用0.35μm工艺模型,用HSPICE对天线、模拟电路进行了仿真,采用Verilog语言和Synopsys综合工具对数字电路进行了VLSI设计.芯片仿真结果表明功能及各项性能达到了原定指标.

关键词：天线非接触式IC卡芯片设计模拟电路数字电路 VLSI设计协议仿真结果 Verilog语言状态机

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立方Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的制备和性能

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材料研究学报 2005年第3期19卷 277-281页

作者：余萍吴惠桢陈奶波徐天宁浙江大学浙江大学中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石... 详细信息

采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石英玻璃衬底上沉积的MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜表面平整,均呈立方结构,且具有高度的(001)择优取向.立方MgxZn1-xO薄膜具有从紫外到近红外波段良好的透明性,折射率为1.7-1.8,随着波长的增大或Mg组分的增大而降低.

关键词：无机非金属材料 MgxZn1-xO晶体薄膜低温物理沉积立方相MgxZn1-xO 折射率

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YBCO熔融织构准单晶中的进氧和脱氧扩散研究

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物理学报 2005年第7期54卷 3380-3385页

作者：张玉龙姚忻张宏金燕苹上海交通大学物理系上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室

采用热重法研究了YBCO熔融织构准单晶中氧的化学扩散过程.与以往的实验不同,采用固定氧偏压变化温度的方法获得氧浓度梯度.拟合实验所得重量等温弛豫曲线可知,在375—600℃温区内,熔融织构准单晶的氧化学扩散系数比单晶体高出约50%,但... 详细信息

采用热重法研究了YBCO熔融织构准单晶中氧的化学扩散过程.与以往的实验不同,采用固定氧偏压变化温度的方法获得氧浓度梯度.拟合实验所得重量等温弛豫曲线可知,在375—600℃温区内,熔融织构准单晶的氧化学扩散系数比单晶体高出约50%,但都约为10-10cm2s-1,激活能为～1eV.对YBCO熔融织构准单晶中的进氧和脱氧研究表明两者具有相同的速率,证实实验过程中环境氧分压的改变会导致进氧和脱氧过程不一致.

关键词：熔融织构 YBCO 准单晶氧扩散扩散过程浓度梯度扩散系数实验过程热重法 600 激活能氧分压化学脱氧

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无通孔共面波导到微带的转换效应

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高技术通讯 2005年第3期15卷 17-19页

作者：李凌云孙晓玮毛军发区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室上海交通大学上海200030上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海200050 上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海200050 区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室上海交通大学上海200030

分析了无通孔接地板对共面波导(CPW)至微带转换过渡的影响.计算和实验结果显示,如果在缩短其长度的同时加宽其宽度,可以有效地增加转换的带宽.通过等效电路做出了一定的解释,同时提供了简单的无通孔CPW至微带转换设计指导方法.

关键词：微带共面波导通孔 CPW 带宽等效电路接地转换设计显示加宽

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相变型半导体存储器研究进展

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物理 2005年第4期34卷 279-286页

作者：刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电... 详细信息

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.

关键词：半导体存储器相变型研究进展抗电子干扰 FLASH 相变材料结构设计非易失性工艺问题研究现状循环寿命多级存储耐高低温制造工艺 SRAM DRAM 抗辐照抗振动器件

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应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：刘玉菲刘文平李四华吴亚明罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃条件下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃条件下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过5atmHe气保压2... 详细信息

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃条件下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃条件下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过5atmHe气保压2小时,测得BCB封装后样品的气密性达到(5.5±0.5)×10-9atmcc/sHe;剪切力在9.0(∪)13.4MPa之间,完全达到了封装工艺要求;实验中封装成品率达到100﹪.表明应用BCB材料键合是一种有效的圆片级低温气密性封装方法.文章还根据渗流模型理论,讨论了简易模型下气密性(即渗流率)和器件腔体边缘到划片边缘的间距的关系.

关键词：低温键合气密性封装苯并环丁烯渗流模型气密性

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掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用

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江西科学 2005年第5期23卷 557-561页

作者：吴惠桢刘成劳燕锋黄占超曹萌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在(100)InP衬底上分别了生长了δ掺杂的p+-A lInAs-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-A lInAs-n+-InP隧道结性能好于p+-InP-n+-InP隧... 详细信息

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在(100)InP衬底上分别了生长了δ掺杂的p+-A lInAs-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-A lInAs-n+-InP隧道结性能好于p+-InP-n+-InP隧道结。接着在(100)InP衬底上生长了包含p+-A lInAs-n+-InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的PIN结VCSEL小,室温下其电致荧光谱波长在1.29μm。

关键词：隧道结垂直腔面发射激光器光电特性

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