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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家级重点实验室"
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InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究
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功能材料与器件学报 2005年 第2期11卷 183-186页
作者: 唐田 张永刚 郑燕兰 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一... 详细信息
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In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器的温度特性分析
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功能材料与器件学报 2005年 第2期11卷 192-196页
作者: 郝国强 张永刚 顾溢 刘天东 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性。结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈... 详细信息
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气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构
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功能材料与器件学报 2005年 第2期11卷 173-176,191页
作者: 刘成 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 曹萌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μmVCSEL... 详细信息
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带有片上天线的非接触式IC卡设计
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复旦学报(自然科学版) 2005年 第1期44卷 65-69页
作者: 王元 高丹 黄均鼐 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
介绍了一种基于ISO/IEC14443协议的带有片上天线的近耦合非接触式IC卡的芯片设计,它将天线集成到芯片中并用状态机代替MCU作为芯片的控制器,采用0.35μm工艺模型,用HSPICE对天线、模拟电路进行了仿真,采用Verilog语言和Synopsys综合工... 详细信息
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立方Mg_xZn_(1-x)O晶体薄膜的制备和性能
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材料研究学报 2005年 第3期19卷 277-281页
作者: 余萍 吴惠桢 陈奶波 徐天宁 浙江大学 浙江大学 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))和石英玻璃上生长出了MgxZn1-xO(x>0.5)晶体薄膜,并用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)图谱和紫外-可见光透射光谱对其进行了表征.结果表明,在SiO2/Si(100)和石... 详细信息
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YBCO熔融织构准单晶中的进氧和脱氧扩散研究
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物理学报 2005年 第7期54卷 3380-3385页
作者: 张玉龙 姚忻 张宏 金燕苹 上海交通大学物理系 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室 上海200030 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室
采用热重法研究了YBCO熔融织构准单晶中氧的化学扩散过程.与以往的实验不同,采用固定氧偏压变化温度的方法获得氧浓度梯度.拟合实验得重量等温弛豫曲线可知,在375—600℃温区内,熔融织构准单晶的氧化学扩散系数比单晶体高出约50%,但... 详细信息
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无通孔共面波导到微带的转换效应
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技术通讯 2005年 第3期15卷 17-19页
作者: 李凌云 孙晓玮 毛军发 区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室 上海交通大学上海200030上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海200050 上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海200050 区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室 上海交通大学上海200030
分析了无通孔接地板对共面波导(CPW)至微带转换过渡的影响.计算和实验结果显示,如果在缩短其长度的同时加宽其宽度,可以有效地增加转换的带宽.通过等效电路做出了一定的解释,同时提供了简单的无通孔CPW至微带转换设计指导方法.
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相变型半导体存储器研究进展
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物理 2005年 第4期34卷 279-286页
作者: 刘波 宋志棠 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050
文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电... 详细信息
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应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究
应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
作者: 刘玉菲 刘文平 李四华 吴亚明 罗乐 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050
应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃条件下的圆片低温键合实验,同时进行了300℃条件下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究.测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过5atmHe气保压2... 详细信息
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掩埋隧道结的研制及其在1.3μm VCSEL结构中的应用
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江西科学 2005年 第5期23卷 557-561页
作者: 吴惠桢 刘成 劳燕锋 黄占超 曹萌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在(100)InP衬底上分别了生长了δ掺杂的p+-A lInAs-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-A lInAs-n+-InP隧道结性能好于p+-InP-n+-InP隧... 详细信息
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