检索结果-内蒙古大学图书馆

第八届敏感元件与传感器学术会议

作者：孙远程鲍敏杭杨恒王跃林微电子学系专用电路国家重点实验室复旦大学(上海) 上海微系统和信息技术研究所中国科学院(上海)

对许多微传感器和微执行器(如微加速度计、微麦克风以及微开关等),压膜空气阻尼对器件性能有重要影响.分析MEMS器件压膜空气阻尼的传统方法是采用雷诺方程.为了降低阻尼的影响,一个简单有效的方法是在板上开孔或开槽,这样,空气将主要从... 详细信息

对许多微传感器和微执行器(如微加速度计、微麦克风以及微开关等),压膜空气阻尼对器件性能有重要影响.分析MEMS器件压膜空气阻尼的传统方法是采用雷诺方程.为了降低阻尼的影响,一个简单有效的方法是在板上开孔或开槽,这样,空气将主要从孔或槽中泄出,减小了阻尼.事实上,在表面微机械技术中为了腐蚀牺牲层也需要开孔或槽.此前,我们针对孔板结构得到了修正的雷诺方程并以长条孔板为例得到了有限宽度和有限厚度孔板压膜阻尼的压强分布和阻尼力的解析结果.本文在前文的基础上推导出了一个槽板结构压膜空气阻尼的微分方程.该方程与传统雷诺方程的区别是增加了一个项以表示气体从槽流出对阻尼的影响.利用此方程结合适当的边界条件,可以求解槽板压膜阻尼的压强分布和阻尼力.该槽板结构压膜空气阻尼的微分方程对槽板的厚度和横向尺度没有限制,完善地解决了分析有限尺寸槽板的边界条件和槽板的厚度对压膜阻尼的影响的困难.

关键词：压膜空气阻尼槽板结构微电子机械器件雷诺方程

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AlMn合金超导薄膜制备与特性研究

AlMn合金超导薄膜制备与特性研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：伍文涛吕越高波王镇超导电子学卓越创新中心中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 超导电子学卓越创新中心中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院大学北京 100049

超导转变边沿(TES)探测器是一种极端灵敏的光子探测器，其突出的性能优势是兼具高能量分辨率与单光子检测能力。超导薄膜是TES 器件核心材料，基于磁性掺杂超导薄膜的软X 射线TES 探测器具有设计和制备简单的优点。

关键词：

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阶跃和脉冲信号下微机械电容式惯性传感器的可靠工作条件

阶跃和脉冲信号下微机械电容式惯性传感器的可靠工作条件

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第八届敏感元件与传感器学术会议

作者：鲍敏杭孙远程黄宜平王跃林微电子学系专用电路国家重点实验室复旦大学(上海) 上海微系统和信息技术研究所中国科学院(上海)

对用于测试惯性力的电容式传感器来说,必须引入用于检测电容变化的交变测试信号.然而由于该静电力的存在,其与惯性力和机械力联合作用必然会对传感器的可靠工作带来不利影响,如可能导致传感器的惯性质量块与静态电极永久吸合.在我们以... 详细信息

对用于测试惯性力的电容式传感器来说,必须引入用于检测电容变化的交变测试信号.然而由于该静电力的存在,其与惯性力和机械力联合作用必然会对传感器的可靠工作带来不利影响,如可能导致传感器的惯性质量块与静态电极永久吸合.在我们以前的工作中已讨论了准静态惯性信号的可靠工作条件.结果表明器件要可靠工作所能承受的最大惯性信号同静电测试信号紧密相关.测试信号越大,器件的可靠工作量程就越小.我们知道在现实条件下惯性信号往往是动态的,而且阻尼比可能很小.因此在准静态条件下,电与机械的相互作用显然被低估了.这里我们进一步对低阻尼电容式结构在动态信号(阶跃信号和脉冲信号)作用下的可靠工作量程进行了研究.分析结果表明静电力的作用远比准静态时大.本文给出了可靠工作条件下所能承受的最大脉冲加速度的表示式,并且绘出了临界加速度曲线.一般来说动态工作条件下所能承受的最大阶跃加速度信号仅为准静态时的50﹪至70﹪.对脉冲信号来说,器件的可靠工作量程同脉冲幅度与脉冲信号时间宽度的乘积有关.文中给出了解析表达式,并对双面和单面电容式结构进行了比较.

关键词：阶跃响应微电子机械器件电容式传感器

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利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜

利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：陈达贾晓云高晓强刘肃张苗兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 兰州大学物理科学与技术学院电子材料研究所兰州 730000 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征，研究... 详细信息

硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm<100>硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征，研究了RPCVD系统的负载对薄膜生长的影响，并对薄膜进行了掺杂处理。结果表明，1)SiGe薄膜中Ge浓度随着HCl流量的增加而增加;2)薄膜生长速率和Ge浓度随着锗烷流量的增大而增大;3)随着温度升高，薄膜生长速率显著提高，Ge浓度减小;4)生长的20％硅锗薄膜内部晶格质量良好，没有产生明显缺陷，并且得到了均匀掺杂的外延薄膜。

关键词：硅锗异质材料半导体薄膜减压化学气相沉积工艺参数

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环境磁场的补偿与控制

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现代科学仪器 2008年第5期 114-116页

作者：丰朋胡国四蒋式勤陈亮谢晓明同济大学控制科学与工程系烟台大学光电信息科学技术学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

实现了一种对环境磁场补偿控制的比例积分(PI)控制模拟电路,即利用磁强计测量到的环境磁场作为系统输入,经过PI模拟电路放大处理后,作为反馈信号输出到线圈,形成闭环控制,起到了补偿环境磁场的作用。该模拟控制电路与数字电路方案相比,... 详细信息

实现了一种对环境磁场补偿控制的比例积分(PI)控制模拟电路,即利用磁强计测量到的环境磁场作为系统输入,经过PI模拟电路放大处理后,作为反馈信号输出到线圈,形成闭环控制,起到了补偿环境磁场的作用。该模拟控制电路与数字电路方案相比,具有控制速度快、结构简单等特点。实验结果说明,该系统对环境磁场的低频扰动具有较好的补偿作用。

关键词：环境磁场 PI控制模拟电路

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基于无线自组网的电缆隧道综合无线监测系统研究

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功能材料与器件学报 2022年第1期28卷 79-83页

作者：袁奇邱继东钱天宇蒋晓娟许强王骁迪俞杰国家电网上海市电力公司电缆分公司上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文针对目前电缆隧道内部状态监测存在的问题,提出基于无线自组网的电缆隧道综合无线监测系统。利用mesh自组网自组织、自愈合的特点,结合MEMS传感芯片研制了无线温湿度传感器,O_(2)、CO_(2)、CO、CH_(4)等无线气体传感器,开发了监测... 详细信息

本文针对目前电缆隧道内部状态监测存在的问题,提出基于无线自组网的电缆隧道综合无线监测系统。利用mesh自组网自组织、自愈合的特点,结合MEMS传感芯片研制了无线温湿度传感器,O_(2)、CO_(2)、CO、CH_(4)等无线气体传感器,开发了监测系统软件。分析了电缆隧道结构对无线通信的影响,提出了适合电缆隧道内部的无线传感器安装布点方案,并开展现场应用,为后续在电缆隧道综合无线监测方面的研究提供基础。

关键词：自组网电缆隧道无线监测

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超导磁测量数据采集系统的信号量化与电磁兼容特性研究

超导磁测量数据采集系统的信号量化与电磁兼容特性研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：伍俊荣亮亮常凯侍文王永良孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 Joint Research Laboratory on Superconductivity & Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai & FZJ

由SQUID构建的超导磁传感器需要与高性能的数据采集模块相匹配,才能充分发挥磁测量系统中超导磁传感器的极高灵敏度优势,其中量化精度和电磁兼容是评估超导磁测量数据采集系统性能的关键指标.本文基于新型的低温SBC(SQUID Bootstrap Cir...

由SQUID构建的超导磁传感器需要与高性能的数据采集模块相匹配,才能充分发挥磁测量系统中超导磁传感器的极高灵敏度优势,其中量化精度和电磁兼容是评估超导磁测量数据采集系统性能的关键指标.本文基于新型的低温SBC(SQUID Bootstrap Circuit)分别在超导屏蔽和磁屏蔽环境中对多种常见的数据采集模块的量化精度和电磁兼容进行了定性和定量分析.实验结果表明数据采集模块在无屏蔽环境下对SQUID的干扰以辐射为主,其中基于USB和PXI的数据采集设备在100Hz左右的低频段引入的干扰将SQUID本底噪声抬高2～3个数量级,而嵌入式数据采集设备Compact RIO对SQUID的干扰甚微.

关键词：

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具有一维接触电极的双层硒化铌异质结器件制备及电学特性研究

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功能材料与器件学报 2016年第4期22卷 74-78页

作者：李蕾邓联文刘胜杨鹏王慧山谢红陈令修贺立李晓良王浩敏中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程湖南省重点实验室长沙410082 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点，但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法，在惰性环境中对... 详细信息

层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点，但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法，在惰性环境中对硒化铌进行机械剥离、转移和封装，用标准微纳加工工艺制备了以石墨烯为一维接触电极、薄层六角氮化硼为封装材料的双层硒化铌异质结器件。结果表明：双层硒化铌器件的超导转变温度约为6．8K，电荷密度波相变温度保持在32K；超导临界电流密度为30mA／μm2，超导临界磁场为3T，性能与硒化铌晶体体材料接近；该器件在空气中电学性能非常稳定，保存数月未出现性能退化。

关键词：双层硒化铌石墨烯六角氮化硼超导异质结电学特性

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基于电压偏置SBC器件数值分析和仿真

基于电压偏置SBC器件数值分析和仿真

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第十一届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：王永良王会武张树林董慧邱隆清谢晓明张懿中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 IBN-2 Juelich研究中心 D-52425 Juelich德国

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石墨烯与高温超导材料的界面接触研究

石墨烯与高温超导材料的界面接触研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：孙秋娟谢晓明李巧高波张学富陈吉吴天如邓联文胡照文王浩敏中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中南大学物理与电子学院长沙410000

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