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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家级重点实验室"
836 条 记 录,以下是761-770 订阅
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GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究
收藏 引用
稀有金属 2004年 第3期28卷 569-571页
作者: 李爱珍 李华 李存才 胡建 唐雄心 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得... 详细信息
来源: 评论
长波长半导体激光器波导层设计
收藏 引用
稀有金属 2004年 第3期28卷 533-535页
作者: 高少文 曹俊诚 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
研究了一种新型的 ,基于金属 /半导体界面等离子体激元的波导结构 ,从理论上对激射波长在 17μm的GaAs AlGaAs量子联激光器的波导层设计进行了讨论 ,分别研究了传统的递变低折射率波导设计和等离子体激元波导设计。结果表明 ,利用表... 详细信息
来源: 评论
GaAs/AlGaAs双量子阱结构的子带光学吸收
收藏 引用
稀有金属 2004年 第3期28卷 577-578页
作者: 伍滨和 曹俊诚 夏冠群 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
利用微观运动方程计算了超快红外泵浦光引起的半导体双量子阱结构的子带间极化。基于自洽场理论 ,可以求出瞬态探测光吸收系数。这一方法没有采用稳态假设。计算了不同泵浦强度和泵浦探测延时的吸收系数。利用这一模型可以计算半导体微... 详细信息
来源: 评论
InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制
收藏 引用
稀有金属 2004年 第3期28卷 522-525页
作者: 张永刚 刘天东 朱诚 洪婷 胡雨生 朱福英 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
研制了InGaP/GaAs串接太阳电池 ,结果表明 ,电池的转换效率在 2 1%~ 2 4%之间 ( 1AM0 ,2 8℃ ) ,填充因子在 79%~ 81%之间 ,并对其材料结构、器件工艺制作以及性能测量表征等进行了讨论。
来源: 评论
MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制
收藏 引用
稀有金属 2004年 第3期28卷 530-532页
作者: 唐田 张永刚 郑燕兰 唐雄心 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。
来源: 评论
衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响
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稀有金属 2004年 第3期28卷 499-501页
作者: 叶好华 于广辉 雷本亮 齐鸣 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响。X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明 ,不同的氮化时间导致Al2 O3表面的成核层发生变化 ,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布。
来源: 评论
半导体激光器的热场分析及热特性表征
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稀有金属 2004年 第3期28卷 551-553页
作者: 张永刚 何友军 南矿军 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数 ,对 1.3 μmInAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和 8μmInAlAs/InGaAs/InP量子联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析 ,并对研制的实际器件采... 详细信息
来源: 评论
InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究
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稀有金属 2004年 第3期28卷 516-518页
作者: 徐安怀 邹璐 陈晓杰 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
本文报道了采用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管 (HBT)材料及其特性的研究。通过对GSMBE生长工艺的优化 ,在半绝缘 ( 10 0 )InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InPHBT材料 ,InGaAs外延层与InP衬底的晶格... 详细信息
来源: 评论
隧道结在多结太阳电池中的应用
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稀有金属 2004年 第3期28卷 526-529页
作者: 朱诚 张永刚 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。结果表明 :随着掺杂浓度... 详细信息
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大孔径光电导天线产生的太赫兹脉冲时间特性研究
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稀有金属 2004年 第3期28卷 588-589页
作者: 张同意 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
在电流涌流模型中考虑了电场屏蔽效应、有限载流子寿命和有限弛豫时间的影响 ,得到了大孔径光电导天线表面辐射场和辐射远场的解析表达式 ,讨论了辐射场对载流子寿命、弛豫时间、激励光脉冲通量和脉冲宽度的依赖关系。
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