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第十二届全国超导学术研讨会

作者：孙秋娟谢晓明李巧高波张学富陈吉吴天如邓联文胡照文王浩敏中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中南大学物理与电子学院长沙410000

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InGaAsBi掺碳特性及欧姆接触特性研究

InGaAsBi掺碳特性及欧姆接触特性研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：周书星齐鸣艾立鹍徐安怀王庶民郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐北京南路40-1号830011 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐北京南路40-1号830011

稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研究发现有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响... 详细信息

稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研究发现有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等.因为铋元素是五族元素中最大最重的元素,当被引入三五族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合,价带边上升,剪裁能带.在本文中，详细介绍利用V90GSMBE生长掺碳InGaAsBi薄膜的研究。实验证明在InGaAs掺碳中引入稀铋可以提高掺碳效率和固溶度，275℃生长条件下，获得应力匹配的n型InGaAsBi薄膜，其体电子浓度可以达到1x1021cm3，通过传输线模型测试得到其比接触电阻为2.86e-08Ω·cm2。

关键词：半导体薄膜铟镓砷铋晶体生长掺碳效率固溶度欧姆接触特性

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电压偏置下欠阻尼SQUID研究

电压偏置下欠阻尼SQUID研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：刘超张懿张树林孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 德国于利希研究中心 PGI-8 于利希 52425

在电压偏置的直读电路下,我们研究了不同结旁路电阻RJ的低温SQUID,发现大RJ可以提高SQUID的磁通-电压转换系数(e)V/(e)Φ,进而抑制前置放大器的噪声贡献.当RJ增大到一定值时,由于(e)V/(e)Φ已经足够高,可以用一个商业化的前置放大器(比...

在电压偏置的直读电路下,我们研究了不同结旁路电阻RJ的低温SQUID,发现大RJ可以提高SQUID的磁通-电压转换系数(e)V/(e)Φ,进而抑制前置放大器的噪声贡献.当RJ增大到一定值时,由于(e)V/(e)Φ已经足够高,可以用一个商业化的前置放大器(比如AD797)直接读出SQUID,而无须再借助任何附加的反馈电路比如APF、SBC等来抑制前置放大器的噪声.

关键词：

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基于高密度PDMS通孔膜的循环肿瘤细胞筛选微流控芯片

基于高密度PDMS通孔膜的循环肿瘤细胞筛选微流控芯片

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第九届全国微全分析系统学术会议、第四届全国微纳尺度生物分离分析学术会议、2014国际微流控芯片与微纳尺度生物分离分析学术会议

作者：范晓云贾春平李刚赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室上海市长宁路865号 200050

循环肿瘤细胞(CTC)的检测对于预测肿瘤的复发,早期转移以及分阶段治疗有着重大的指导意义,目前常用的CTC分离方法主要有密度梯度离心法、过滤分离法和免疫分选法等,其中过滤法因其简便、快速的优势而受到众多科研及临床工作者的关注[1]... 详细信息

循环肿瘤细胞(CTC)的检测对于预测肿瘤的复发,早期转移以及分阶段治疗有着重大的指导意义,目前常用的CTC分离方法主要有密度梯度离心法、过滤分离法和免疫分选法等,其中过滤法因其简便、快速的优势而受到众多科研及临床工作者的关注[1],尤其是近年来基于MEMS工艺的过滤膜技术的快速发展为过滤式CTC筛选方法走向临床提供了技术基础.比如,基于硅基、聚对二甲苯、聚酰亚胺等材料的高密度过滤膜.不过这几种过滤膜都是通过刻蚀的方法制备的,对工艺设备要求较高,制作成本高昂,在一定程度上限制了过滤式CTC筛选技术的实际应用.针对现有CTC过滤膜技术的不足,本文提出了一种低成本的、基于PDMS浇注复制制作CTC过滤膜的工艺方法,并将其与微流控技术结合,应用于CTC的高效、低成本筛选.本文所设计和制作的CTC过滤芯片分为三层结构：上层进样腔层、高密度PDMS过滤膜和下层废液腔层(图1),其制作流程如图2所示：首先,在含玻璃支撑层的PDMS片上旋涂PVA溶液,加热去除水分制得PVA膜,该膜用作水溶性转移支撑层从模具上剥离转移机械强度较低的PDMS通孔过滤膜[2];然后,将“玻璃-PDMS垫片-PVA膜”压盖在浇注PDMS预聚物的含高密度微柱阵列的模具上;加热固化后,移除玻璃并剥离“PDMS垫片-PVA膜-PDMS通孔膜”;接着,利用Plasma方法将上述组合结构的通孔膜面与包含废液腔层结构的PDMS片键合;键合完成后,将键合组合体浸入去离子水中,数分钟后PVA膜溶解,顺利移除PDMS垫片;最后,再利用Plasma方法将“PDMS通孔膜-PDMS废液腔层”组合体与包含进样腔结构的PDMS片键合,完成芯片的制备.由于上述方法采用韧性强的水溶性PVA膜作为PDMS薄膜的转移支撑层,因此可以顺利地制备完整的PDMS通孔过滤膜,通孔大小、分布与模具一致,且分布均匀(图3).为了验证芯片对CTC的捕获能力,我们加入了A549(20-30μm),SK-MES-1(16-25μm),H446(15-18μm)三种尺寸、种类均不同的细胞进行测试.将已知个数细胞,依次取100以内的0,20,40,60,80,100个细胞作为检测源加入健康人全血中,负压抽吸驱动方式进样测试,样本流速控制在10 mL/h.在此我们获得总体上不低于92％的回收率(回收率=回收细胞数/加入细胞数).由图4可知,芯片对不同数目细胞样本检测性能稳定,具有很高可重复性.本文提出的基于软光刻技术制作出高密度PDMS过滤膜的方法,避免了传统刻蚀方法每制作一批次过滤膜均需多次光刻的复杂工艺过程,大大降低了过滤膜的制作成本,且基于该方法制作的过滤式微流控芯片可以高效的捕获全血样本中的CTC,操作简单,处理样本速度快,捕获的细胞形态完整,有望促进过滤式CTC筛选方法在临床的应用.

关键词：循环肿瘤细胞水溶性转移支撑层过滤膜微流控芯片

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NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应

NiW基底上金属氧化物缓冲层界面应力及其厚度效应

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：范峰鲁玉明刘志勇应利良蔡传兵上海大学超导及应用技术研究中心上海大学上海200444中国信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050中国

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微机械悬桥法研究LPCVD氮化硅薄膜力学性能

微机械悬桥法研究LPCVD氮化硅薄膜力学性能

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第八届敏感元件与传感器学术会议

作者：宗登刚王聪和王钻开鲍海飞陆德仁中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室(上海) 香港理工大学应用物理系(香港九龙) 香港理工大学应用物理系(香港九龙) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室(上海)

介绍了用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究LPCVD氮化硅薄膜的力学特性.通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形的微桥挠度解析表达式.对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,... 详细信息

介绍了用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究LPCVD氮化硅薄膜的力学特性.通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形的微桥挠度解析表达式.对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,从而得到杨氏模量、残余应力和弯曲强度等力学特性参数.分析了误差的来源及其对实验结果的影响.报道了低应力和标准LPCVD氮化硅薄膜的研究结果.

关键词：微机械微桥法 LPCVD氮化硅杨氏模量残余应力弯曲强度

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基于铅铟合金线的SFQ多芯片超导互连方法研究

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低温物理学报 2021年第1期43卷 61-68页

作者：周全徐高卫赵文博任洁王镇谢晓明罗乐杨伟光上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院超导电子学卓越创新中心中国科学院大学

用基于铅铟合金线的引线键合(WB)工艺对单磁通量子(SFQ)多芯片的超导互连方法进行了研究,将铅含量75%,铟含量25%的铅铟合金线制备成WB线材,用超声楔形焊工艺成功实现SFQ芯片I/O接口焊盘的超导互连.拉力测试表明室温下铅铟合金线键合强... 详细信息

用基于铅铟合金线的引线键合(WB)工艺对单磁通量子(SFQ)多芯片的超导互连方法进行了研究,将铅含量75%,铟含量25%的铅铟合金线制备成WB线材,用超声楔形焊工艺成功实现SFQ芯片I/O接口焊盘的超导互连.拉力测试表明室温下铅铟合金线键合强度与同线径金线相当,优于同线径铝线;用开尔文四端法测量了铅铟合金线互连的多级超导转变温度以及线材与超导芯片之间的接触电阻,结果表明该铅铟合金线的超导转变温度为6.63 K,当温度降低至6.63 K或更低时,铅铟合金线的线阻以及线材与SFQ芯片I/O接口焊盘的接触电阻为0,实现了超导互连;并通过热冲击实验验证该WB结构具有优异的热稳定性.

关键词：引线键合(WB) 超导互连铅铟合金线单磁通量子(SFQ)电路

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广义计算压缩转发:一种新型中继策略

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电子设计工程 2018年第24期26卷 144-149页

作者：程海袁晓军中科院上海微系统与信息技术研究所上海200050 上海科技大学信息科学与技术学院上海201210 中国科学院大学北京101408 电子科技大学通信抗干扰国家级重点实验室四川成都611731

计算转发是一种可以通过结构码来管理无线通信网络中的干扰信号的中继策略。它的核心思想是每个中继计算出多个信源的码字的一个整数线性组合,而不是解码单独的码字。在本文中,我们考虑基于计算转发的无线通信中继系统的压缩模块的设计... 详细信息

计算转发是一种可以通过结构码来管理无线通信网络中的干扰信号的中继策略。它的核心思想是每个中继计算出多个信源的码字的一个整数线性组合,而不是解码单独的码字。在本文中,我们考虑基于计算转发的无线通信中继系统的压缩模块的设计。我们建立了一种广泛的压缩框架,叫做广义计算压缩转发。我们说明了广义计算压缩转发能够取得更大的可达压缩速率区域。此外,广义计算压缩转发在达到最小总压缩速率意义上是最优的。本文还考虑了将广义计算压缩转发策略应用到一个两跳的中继网络中。数值仿真结果表明了本文提出的广义计算压缩转发策略相比于其他策略的优异性。

关键词：计算转发嵌套网格码分布式信源编码量化和取模计算压缩转发

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分子束外延生长的GaSbBi薄膜的扫描隧道显微镜表征

分子束外延生长的GaSbBi薄膜的扫描隧道显微镜表征

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：齐鑫宋禹忻邵军王庶民查访星上海大学理学院物理系与微结构实验室上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院上海技术物理研究所与红外物理国家重点实验室上海200083

新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表征.发现未经腐蚀的样品表面电子态存在较大空间不均匀性，表...

新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表征.发现未经腐蚀的样品表面电子态存在较大空间不均匀性，表观带隙在0.35eV ～ 0.64eV之间变化.经化学腐蚀处理，获得较好空间一致性的带隙测量结果且符合生长参数对带隙的预期.

关键词：

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纳米SiO2抛光液的制备及其在蓝宝石CMP中的应用

纳米SiO2抛光液的制备及其在蓝宝石CMP中的应用

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第十三届全国LED产业发展与技术研讨会

作者：张泽芳刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 上海新安纳电子科技有限公司上海201506

本文制备了一种纳米氧化硅抛光液，采用扫描电镜、激光粒度仪、大颗粒计数仪对其进行了表征.进而研究了其在蓝宝石表面的抛光性能，采用FRT、Candela、原子力显微镜等对抛光后的表面进行了表征.结果表明制备的纳米氧化硅抛光液在LED蓝... 详细信息

本文制备了一种纳米氧化硅抛光液，采用扫描电镜、激光粒度仪、大颗粒计数仪对其进行了表征.进而研究了其在蓝宝石表面的抛光性能，采用FRT、Candela、原子力显微镜等对抛光后的表面进行了表征.结果表明制备的纳米氧化硅抛光液在LED蓝宝石衬底表面具有优异的抛光性能，达到了无划伤、无腐蚀坑，且粗糙度小于0.2 nm的光滑表面.

关键词：纳米二氧化硅抛光液发光二极管蓝宝石衬底性能表征

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