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第十四届全国超导学术研讨会

作者：吕越伍文涛赵家琳王梦高波王镇超导电子学卓越创新中心中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院大学北京 100049

超导转变边沿探测器(TES)是一种高灵敏度的光子探测器,其利用超导薄膜在超导态到正常态转变过程中电阻随温度改变而急剧变化的特性来探测入射光子能量大小.我们使用稀释制冷机、AC370 交流电桥及Arduino 可编程硬件,搭建了一套极低温9 ...

超导转变边沿探测器(TES)是一种高灵敏度的光子探测器,其利用超导薄膜在超导态到正常态转变过程中电阻随温度改变而急剧变化的特性来探测入射光子能量大小.我们使用稀释制冷机、AC370 交流电桥及Arduino 可编程硬件,搭建了一套极低温9 通道薄膜电阻-温度特性测试系统.系统的电阻测量范围为2mΩ 至2MΩ,通道切换时间为5s,单通道内采样率为10Hz.

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300 mm硅片技术发展趋势探讨

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微纳电子与智能制造 2022年第1期4卷 14-29页

作者：刘赟薛忠营魏星李炜中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海新昇半导体科技有限公司上海201306 上海硅产业集团股份有限公司上海201306

单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一... 详细信息

单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一代450 mm硅片发展前景及困难进行分析。针对每种器件应用场景,本文从晶体生长、掺杂、热处理等方面对提高硅片性能要求的技术发展进行了简要阐述与分析。最后,简单介绍了上海硅产业集团在300 mm硅片制造技术方面的研发进展。

关键词：单晶硅 450 mm 300 mm 器件应用硅片性能

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直拉单晶硅晶体缺陷研究进展

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微纳电子与智能制造 2022年第1期4卷 64-74页

作者：刘赟薛忠营魏星李炜信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京100049 上海新昇半导体科技有限公司上海201306 上海硅产业集团股份有限公司上海201306

直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,... 详细信息

直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,成为指导直拉单晶硅晶体生长工艺改进、实现晶体缺陷有效调控的重要技术手段。本文首先综述了晶体生长过程中控制缺陷形成的v/G理论的发展,并介绍了探测不同原生缺陷的表征方法。最后,简述了本文在缺陷表征方法的最新研究进展情况。

关键词：直拉单晶硅 v/G理论表征方法

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一种高参数容差的SQUID自举电路

一种高参数容差的SQUID自举电路

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：张国峰张懿董慧谢晓明 Hans-Joachim Krause Andreas Offenh(a)usser 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425 Germany Joint Research 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioele

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Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究

Ge2Sb2Te5抛光液的电化学及其化学机械抛光研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：刘奇斌张楷亮王良咏封松林宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程研究中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院研究生院

Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI12... 详细信息

Ge2Sb2Te5目前被公认为在相变存储器(PCRAM)中最好的材料.本文主要是从电化学角度考查Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中作用.我们研究了Ge2Sb2Te5薄膜在不同的PH值和H2O2浓度下的电化学特性.在实验中我们用的电化学设备是SolartronSI1287,主要测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位,动电位扫描.开路电位结果显示在PH值等于10时,出现钝化行为,当PH等于11时,钝化开始向活化转变,当PH为12时,薄膜一直处于活化状态.在动电位扫描过程中,在不同的PH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状是相似的,变化也不大,说明薄膜腐蚀的反应机理是相同的.利用电化学实验结果,配置出GST抛光液,用于相变存储器的结构制作过程中.

关键词： Ge2Sb2Te5 相变存储器化学机械抛光电化学抛光液

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一种应用于SBC(SQUID Bootstrap Circuit)的大带宽、高摆率组合前置放大器

一种应用于SBC(SQUID Bootstrap Circuit)的大带宽、高摆率组合前...

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：常凯荣亮亮伍俊王会武张懿谢晓明 Andreas Offenh(a)usser 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioele 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany Joint Research

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立方相ZnMgO的电学特性研究

立方相ZnMgO的电学特性研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：金国芬梁军吴惠桢劳燕锋余萍徐天宁浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得C-ZnMgO材料的介电常数为10.5... 详细信息

立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1MHz到8MHz频率范围内,介电常数由10.7降到6.4.测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行讨论与分析。

关键词： ZnMgO合金薄膜立方相宽带隙半导体材料漏电性能电学性能 ZnMgO纳米薄膜 MIS结构

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微振动传感与声振特征识别的输电线路环境异变预警研究

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电力信息与通信技术 2020年第9期18卷 57-63页

作者：何冰孟夏卿顾俊杰俞杰李伟国网上海市电力公司检修公司上海200063 中光华研电子科技有限公司上海201800 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

输电线路常常遭受施工机械破坏导致停电事故,而传统的人工巡检和视频监控不具有实时性,光纤传感“后知后觉”,不能起到及时预警的作用。针对上述情况,文章通过研究声信号的特性及其在传播过程中的衰减特性,分析工程机械声信号的产生机... 详细信息

输电线路常常遭受施工机械破坏导致停电事故,而传统的人工巡检和视频监控不具有实时性,光纤传感“后知后觉”,不能起到及时预警的作用。针对上述情况,文章通过研究声信号的特性及其在传播过程中的衰减特性,分析工程机械声信号的产生机理。并基于微振动传感器开发振动采集装置,现场采集各类工程机械不同条件下的声信号数据,分析声信号的振动特征,通过预处理和梅尔频率倒谱系数(Mel Frequency Cepstrum Coefficient,MFCC)特征提取,构建模型数据库,利用对数似然比的评价指标进行被测声信号识别。实际测试结果表明,典型工程机械的识别率达到93%以上,验证了声信号振动特征的准确性和识别算法的有效性,实现了输电线路环境异变监测和预警。

关键词：微振动传感器特征识别输电线路

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工作于准电压偏置下的SQUID自举电路(SBC)研究

工作于准电压偏置下的SQUID自举电路(SBC)研究

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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会

作者：董慧张国锋王永良 Yi Zhang 谢晓明 Hans-Joachim Krause Andreas Offenh(a)usser 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Joint Research Laboratory on Superconductivity and Bioele 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ)Jülich 52425Germany Joint Research

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InAs/GaAs量子点激光器材料中的深能级

InAs/GaAs量子点激光器材料中的深能级

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第十四届全国发光学学术会议

作者：王海龙孙丽芹李媛媛李士玲曹春芳龚谦山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜 273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

半导体材料中杂质和缺陷对半导体器件的性能有重要的影响。随着对材料的结构、力学、化学和电学特性的深入研究，其缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷相互作用将是需要进行深入研究的很重要的方面。

关键词： InAs/GaAs量子点深中心深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)

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