检索结果-内蒙古大学图书馆

第八届敏感元件与传感器学术会议

作者：宗登刚王聪和王钻开鲍海飞陆德仁中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室(上海) 香港理工大学应用物理系(香港九龙) 香港理工大学应用物理系(香港九龙) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室(上海)

介绍了用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究LPCVD氮化硅薄膜的力学特性.通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形的微桥挠度解析表达式.对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,... 详细信息

介绍了用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究LPCVD氮化硅薄膜的力学特性.通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形的微桥挠度解析表达式.对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,从而得到杨氏模量、残余应力和弯曲强度等力学特性参数.分析了误差的来源及其对实验结果的影响.报道了低应力和标准LPCVD氮化硅薄膜的研究结果.

关键词：微机械微桥法 LPCVD氮化硅杨氏模量残余应力弯曲强度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

防锈油膜在5﹪硫酸钠溶液中的半导体导电行为

防锈油膜在5﹪硫酸钠溶液中的半导体导电行为

引用

第四届全国腐蚀大会

作者：钟庆东郑金徐乃欣印仁和周国定上海电力学院电化学研究室国家电力公司热力设备腐蚀与防护(部级)重点实验室(上海) 上海电力学院电化学研究室国家电力公司热力设备腐蚀与防护(部级)重点实验室(上海) 上海大学化学系(上海) 中国科学院上海微系统及信息技术研究所(上海) 上海大学化学系(上海)

采用电位—电容法及Mott—Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在5﹪硫酸钠溶液中失效过程的导电机制转变行为.防锈油膜在5﹪硫酸钠溶液中的失效过程存在半导体导电特征,随着浸泡时间的延长,防锈油膜从浸泡初期的p型半导体... 详细信息

采用电位—电容法及Mott—Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在5﹪硫酸钠溶液中失效过程的导电机制转变行为.防锈油膜在5﹪硫酸钠溶液中的失效过程存在半导体导电特征,随着浸泡时间的延长,防锈油膜从浸泡初期的p型半导体转变为n型半导体,转变过程中,防锈油膜中出现两个空间电荷过渡层.随着浸泡时间的延长,防锈油膜中的空间电荷层厚度皆逐渐减小,载流子密度则逐渐增加,并且计算了不同转变时期防锈油膜中的电子给体(N<,D>)和电子受体(N<,A>)密度大小.

关键词：防锈油膜失效导电机制绝缘薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

p型量子阱太赫兹振荡器研究

引用

固体电子学研究与进展 2002年第2期22卷 241-243页

作者：曹俊诚李爱珍封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 200050

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的... 详细信息

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的依赖性 ,提出了设计可调谐

关键词： P型量子阱太赫兹振荡器负有效质量自振荡二极管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展

引用

物理 2002年第4期31卷 219-223页

作者：安正华张苗门传玲谢欣云沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiG... 详细信息

SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 .

关键词：绝缘层硅锗硅集成电路 SiGe Si SOI结构 iGe-OI材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SOI新结构——SOI研究的新方向

引用

物理 2002年第4期31卷 214-218页

作者：谢欣云林青门传玲安正华张苗林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件电路... 详细信息

SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件电路的要求 ,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点 .如SOIM ,GPSOI,GeSiOI,SionAlN ,SiCOI,GeSiOI ,SSOI等 .文章将结合作者的部分工作 ,报道SOI新结构研究的新动向及其应用 .

关键词： SOI新结构绝缘体上半晶硅薄膜技术硅集成电路硅材料 SOI

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SOI的自加热效应与SOI新结构的研究

引用

功能材料与器件学报 2002年第2期8卷 205-210页

作者：林青谢欣云朱鸣张苗林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作... 详细信息

阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展。

关键词：自加热效应沟道电流跨导畸变负微分迁移率 SOI

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于光谱学方法半导体激光器热特性测量

引用

飞通光电子技术 2002年第3期2卷 132-135页

作者：南矿军张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了一种基于激射光谱进行半导体激光器热特性测量的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导应变补偿多量子阱激光器的激射光谱,可以得到该激光器的热阻等热特性参数。实验中也测量了该激光器的... 详细信息

报道了一种基于激射光谱进行半导体激光器热特性测量的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导应变补偿多量子阱激光器的激射光谱,可以得到该激光器的热阻等热特性参数。实验中也测量了该激光器的其他与热特性相关的光谱特性,如激光器激射光谱随驱动电流的变化等。该方法也可用于其他波段半导体激光器的热特性测量。

关键词：激射光谱半导体激光器热特性参数多量子阱激光器参数测量脊波导

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于脉冲I-V测试方法的半导体激光器热特性测量

引用

飞通光电子技术 2002年第4期2卷 186-189页

作者：南矿军张永刚何友军李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器... 详细信息

报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器的热阻等热特性参数。本文还对该激光器在不同脉冲驱动条件下的驱动电流和结电压波形进行了讨论。该方法也可用于其它波段的半导体激光器的热特性表征。

关键词：脉冲I-V测试方法半导体激光器热特性表征多量子阱

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

射频等离子体分子束外延GaN的极性研究

引用

功能材料与器件学报 2002年第4期8卷 361-364页

作者：赵智彪齐鸣朱福英李爱珍中国科学院微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外... 详细信息

对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar。

关键词：分子束外延原子力显微镜光辅助湿法刻蚀极性氮化镓

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算

引用

功能材料与器件学报 2002年第3期8卷 218-222页

作者：高少文陈意桥李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用***提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层。研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量... 详细信息

对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用***提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层。研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系。

关键词： GaInAs/GaInAsP 应变量子阱色散能带粒体激光器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：