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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家级重点实验室"
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微机械悬桥法研究LPCVD氮化硅薄膜力学性能
微机械悬桥法研究LPCVD氮化硅薄膜力学性能
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第八届敏感元件与传感器学术会议
作者: 宗登刚 王聪和 王钻开 鲍海飞 陆德仁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家联合重点实验室(上海) 香港理工大学应用物理系(香港九龙) 香港理工大学应用物理系(香港九龙) 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家联合重点实验室(上海)
介绍了用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究LPCVD氮化硅薄膜的力学特性.通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形的微桥挠度解析表达式.对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,... 详细信息
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防锈油膜在5﹪硫酸钠溶液中的半导体导电行为
防锈油膜在5﹪硫酸钠溶液中的半导体导电行为
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第四届全国腐蚀大会
作者: 钟庆东 郑金 徐乃欣 印仁和 周国定 上海电力学院电化学研究室 国家电力公司热力设备腐蚀与防护(部级)重点实验室(上海) 上海电力学院电化学研究室 国家电力公司热力设备腐蚀与防护(部级)重点实验室(上海) 上海大学化学系(上海) 中国科学院上海微系统及信息技术研究所(上海) 上海大学化学系(上海)
采用电位—电容法及Mott—Schottky分析技术研究了自腐蚀电位条件下防锈油膜在5﹪硫酸钠溶液中失效过程的导电机制转变行为.防锈油膜在5﹪硫酸钠溶液中的失效过程存在半导体导电特征,随着浸泡时间的延长,防锈油膜从浸泡初期的p型半导体... 详细信息
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p型量子阱太赫兹振荡器研究
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固体电子学研究与进展 2002年 第2期22卷 241-243页
作者: 曹俊诚 李爱珍 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 200050
采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的... 详细信息
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一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展
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物理 2002年 第4期31卷 219-223页
作者: 安正华 张苗 门传玲 谢欣云 沈勤我 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiG... 详细信息
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SOI新结构——SOI研究的新方向
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物理 2002年 第4期31卷 214-218页
作者: 谢欣云 林青 门传玲 安正华 张苗 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件 电路... 详细信息
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SOI的自加热效应与SOI新结构的研究
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功能材料与器件学报 2002年 第2期8卷 205-210页
作者: 林青 谢欣云 朱鸣 张苗 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等。结合SOI新结构制备工作... 详细信息
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基于光谱学方法半导体激光器热特性测量
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飞通光电子技术 2002年 第3期2卷 132-135页
作者: 南矿军 张永刚 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
报道了一种基于激射光谱进行半导体激光器热特性测量的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊波导应变补偿多量子阱激光器的激射光谱,可以得到该激光器的热阻等热特性参数。实验中也测量了该激光器的... 详细信息
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基于脉冲I-V测试方法的半导体激光器热特性测量
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飞通光电子技术 2002年 第4期2卷 186-189页
作者: 南矿军 张永刚 何友军 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲驱动条件下1.3μm InAsP/InGaAsP脊型波导应变补偿多量子阱激光器芯片的I—V特性,可以方便地得到该激光器... 详细信息
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射频等离子体分子束外延GaN的极性研究
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功能材料与器件学报 2002年 第4期8卷 361-364页
作者: 赵智彪 齐鸣 朱福英 李爱珍 中国科学院微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外... 详细信息
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Ga_xIn_(1-x)As/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算
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功能材料与器件学报 2002年 第3期8卷 218-222页
作者: 高少文 陈意桥 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用***提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层。研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量... 详细信息
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