检索结果-内蒙古大学图书馆

光学精密工程 2007年第5期15卷 699-705页

作者：杨广立冯飞熊斌王跃林中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

研究了具有“双材料梁-微镜一体化”特征结构的光读出红外成像阵列器件的机械特性对其性能的影响。通过理论计算和ANSYS模拟,分析了器件的热-机械灵敏度,对器件的结构参数进行了优化,并得到其热-机械灵敏度为2.14×10-3rad/K;从器... 详细信息

研究了具有“双材料梁-微镜一体化”特征结构的光读出红外成像阵列器件的机械特性对其性能的影响。通过理论计算和ANSYS模拟,分析了器件的热-机械灵敏度,对器件的结构参数进行了优化,并得到其热-机械灵敏度为2.14×10-3rad/K;从器件的频率和阻尼特性出发,研究了器件的机械特性对热振动噪声和机械稳定性能的影响。研究结果表明:绝热梁断裂所需冲击载荷为8 945 g;器件的工作气压确定在50-200 Pa时,其热机械噪声和外界机械振动引起的噪声对器件性能的影响可忽略。该器件基本满足红外成像阵列器件的高灵敏度、低噪声的要求。

关键词：红外成像器件热-机械灵敏度机械特性热振动噪声机械稳定性微机械

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130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计

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国防科技大学学报 2020年第3期42卷 17-21页

作者：常永伟余超刘海静王正董业民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂... 详细信息

针对航天电子系统控制模块对集成电路的抗辐射需求,在130 nm部分耗尽绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺平台上设计了一款基于比例、积分、微分控制算法的控制芯片,并分别从晶圆材料、制备工艺、版图设计的角度对芯片进行了总剂量辐射加固。流片测试结果表明,芯片的调节精度达到了5×10-12,与进口抗辐射现场可编程门阵列水平相当;在长时间频率稳定度方面,芯片优于国外抗辐射现场可编程门阵列。对芯片进行的模拟辐照试验表明,芯片在300 krad(Si)的总剂量辐照条件下依然可以正常工作。

关键词：集成电路抗辐射绝缘体上硅控制芯片

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有机半导体荧光传感材料及危险化学品检测应用

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中国科学：化学 2020年第1期50卷 92-107页

作者：徐炜贺庆国程建功中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

荧光传感材料作为有机半导体光电功能材料的重要组成之一,以其灵敏度高、选择性强、响应速度快等优势,成为当前化学传感领域的一个研究热点,近年来在反恐、禁毒等领域有着广泛的应用.然而目前,对荧光敏感材料各项性能参数的设计与优化,... 详细信息

荧光传感材料作为有机半导体光电功能材料的重要组成之一,以其灵敏度高、选择性强、响应速度快等优势,成为当前化学传感领域的一个研究热点,近年来在反恐、禁毒等领域有着广泛的应用.然而目前,对荧光敏感材料各项性能参数的设计与优化,依然存在着经验性问题,需要基于构效结合思维,从待测物质的分子层次的物性认知出发,更有针对性地设计相应的传感材料.本文基于国内外前沿工作,结合本课题组多年在危险化学品荧光传感方向的经验,以爆炸物、神经毒剂和合成毒品的检测为例,对荧光敏感材料的设计原则和传感的分子级微观作用机制进行了系统论述.

关键词：有机光电材料荧光传感设计策略痕量检测分子级机制

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PbTe中红外光伏探测器

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红外与毫米波学报 2011年第4期30卷 293-296页

作者：魏晓东蔡春峰张兵坡胡炼吴惠桢张永刚冯靖文林加木林春方维政戴宁浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙江杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院上海技术物理研究所上海200083

利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量... 详细信息

利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量的探测率为2×1010 ***1/2W-1,由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010 ***1/2W-1.随着温度的升高,截止波长发生蓝移,探测率降低.分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素.

关键词： PbTe 光伏探测器中红外

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Pb_(1-x)Mn_xTe稀磁半导体外延薄膜的光学特性

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红外与毫米波学报 2007年第4期26卷 261-264页

作者：夏明龙吴惠桢斯剑霄徐天宁王擎雷戴宁谢正生浙江大学物理系浙江杭州310027 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用分子束外延（MBE）方法在BaF2（111）衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe（0≤x≤0.012）稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0-11.0μm中红外透射谱的分析并应用透射光谱上干涉峰峰值的位置计算获得了Pb1-xMnxTe薄膜的折射率,由最小平方... 详细信息

采用分子束外延（MBE）方法在BaF2（111）衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe（0≤x≤0.012）稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0-11.0μm中红外透射谱的分析并应用透射光谱上干涉峰峰值的位置计算获得了Pb1-xMnxTe薄膜的折射率,由最小平方根拟合得到折射率的一阶Sellmeier色散关系.在吸收边附近,通过直接跃迁吸收系数与光子能量的关系外推得到其光学带隙.结果表明,在中红外区域其折射率随着Mn含量的增加而减小,其光学带隙则随着Mn含量的增加而增大,在温度T=295K时,随着Mn含量x由0变化到0.012,其光学带隙Eg由0.320eV增加到0.370eV. 基金

关键词： Pb1-xMnxTe外延薄膜红外透射谱折射率光学带隙

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Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜材料的微结构和光学特性

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无机材料学报 2007年第6期22卷 1108-1112页

作者：王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋浙江大学物理系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用分子束外延的方法在BaF_2衬底(111)上制备出了高质量的Pb_(1-x)Sr_xSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随S... 详细信息

采用分子束外延的方法在BaF_2衬底(111)上制备出了高质量的Pb_(1-x)Sr_xSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb_(1-x)Sr_xSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.

关键词： Pb1-xSrxSe外延薄膜透射光谱折射率吸收系数

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基于Android平台的便携式痕量重金属离子检测仪的研制

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分析化学 2015年第7期43卷 1098-1103页

作者：黄善洛金妍郭慧蔡奇杜晓薇金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室中国科学院大学

基于Android平台,设计了一种用于痕量重金属离子检测的便携式电化学分析检测仪。仪器输出电压范围为03;V,精度为0.1%,分辨率<1 m V;电流检测范围为010;0 m A,精度为0.1%,最小分辨率为10 p A,已达到普通电化学分析的要求。借助Androi... 详细信息

基于Android平台,设计了一种用于痕量重金属离子检测的便携式电化学分析检测仪。仪器输出电压范围为03;V,精度为0.1%,分辨率<1 m V;电流检测范围为010;0 m A,精度为0.1%,最小分辨率为10 p A,已达到普通电化学分析的要求。借助Android智能设备在人机交互方面的优势,仪器设有专业检测模式与快速检测模式,简化了复杂的电化学检测分析过程,可同时满足专业用户与普通用户的操作需求。使用本仪器,并结合商品化的电极对Cu,Cd,Pb及Hg等常见的重金属离子进行了初步检测,线性范围、重复性及结果准确度方面都获得了满意的结果。

关键词： Android平台便携式重金属离子电化学分析仪

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Pb_(1-x)Mn_xSe薄膜的光学特性

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物理学报 2007年第8期56卷 4950-4954页

采用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xMnxSe薄膜为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐... 详细信息

采用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xMnxSe薄膜为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小,Mn含量由Vegard公式得到.通过理论模拟Pb1-xMnxSe薄膜的透射光谱,得到了Pb1-xMnxSe薄膜的带隙与Mn组分的关系,Pb1-xMnxSe薄膜的带隙宽度由0.28eV(x=0)按e指数形式增加到0.49eV(x=0.0681).同时还获得了Pb1-xMnxSe薄膜在波长为4—9.5μm间的折射率.

关键词： Pb1-xMnxSe外延薄膜透射光谱带隙折射率

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双模冗余汉明码的设计与验证

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哈尔滨工业大学学报 2020年第10期52卷 161-166页

作者：乔冰涛吴旭凡刘海静王正董业民信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050 材料与光电研究中心(中国科学院大学) 北京100049

集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径之一.因此,本文对汉明码做出改进,提出了一种双模冗余汉明码,... 详细信息

集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径之一.因此,本文对汉明码做出改进,提出了一种双模冗余汉明码,该方法能够修正存储单元中出现的一位翻转和两位翻转.首先,对汉明码编码模块进行逻辑优化,有效减少了编码电路的延迟,再把该模块生成的校验码进行双模冗余处理,作为双模冗余汉明码编码模块的输出.之后依据汉明码解码规则分别对每份校验码与原码的组合进行处理,得到修正后的数据位与两位翻转标志位.通过分析发现当两位翻转未同时发生在原码内时,可以依据两位错误标志位的值得到正确的输出.最后,采用版图分割技术消除了两位原码同时翻转的情况,进一步提高了存储器的可靠性.在本文中,分别实现了字长为4、8和11的双模冗余汉明码,并与其它修正码的性能进行比较,结果表明:它们的电路延迟分别为8位字长汉明码的85%、89%和96%,低于两位修正能力的BCH码.

关键词：双模冗余纠错码高可靠存储器两位翻转

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采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)

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红外与毫米波学报 2011年第6期30卷 481-485页

作者：顾溢王凯李成方祥曹远迎张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039

利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs... 详细信息

利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优.

关键词：光电探测器高In组分缓冲层 InGaAs InAlAs

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