检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2012年第2期61卷 158-162页

作者：张树林刘扬波曾佳王永良孔祥燕谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100049

本文利用磁屏蔽室和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率... 详细信息

本文利用磁屏蔽室和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率激励下,N100m峰出现延时,100 Hz和1000 Hz之间的延时差别达到25 ms.相比于1 kHz特定频率的声音激励,1—4 kHz随机变频下的N100m峰幅度增强,出现了数毫秒的延时.本研究为下一步利用软件梯度计进行多通道脑磁系统和听觉机理研究奠定了一定的基础.

关键词：超导量子干涉器件脑磁梯度计听觉激励

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响

引用

物理学报 2012年第5期61卷 92-96页

作者：胡志远刘张李邵华张正选宁冰旭毕大炜陈明邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的... 详细信息

研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的关态泄漏电流.这个电流与沟道长度存在一定的关系,沟道长度越短,泄漏电流越大.首次发现辐照会增强这个电流的沟道长度调制效应,从而使得器件进一步退化.

关键词：总剂量效应浅沟槽隔离氧化层陷阱正电荷金属氧化物半导体场效晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响

引用

物理学报 2013年第23期62卷 308-312页

作者：王文娟王海龙龚谦宋志棠汪辉封松林山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海高等研究院上海201203

在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后... 详细信息

在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应.

关键词：激子 InGaAsP InP量子阱结合能电场

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

石墨烯修饰铂电极传感器测定水中微量重金属镉和铅

引用

分析化学 2013年第2期41卷 278-282页

作者：唐逢杰张凤金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室中国科学院大学

建立了石墨烯修饰铂电极(G/Pt)共沉积铋膜测定水中微量重金属镉和铅的方法。采用微机电系统(MEMS)工艺制作铂电极,并利用CVD法在铂电极上原位生长石墨烯,制备了石墨烯修饰铂电极,与Ag/AgCl参比电极、铂丝对电极构成三电极体系;采用差分... 详细信息

建立了石墨烯修饰铂电极(G/Pt)共沉积铋膜测定水中微量重金属镉和铅的方法。采用微机电系统(MEMS)工艺制作铂电极,并利用CVD法在铂电极上原位生长石墨烯,制备了石墨烯修饰铂电极,与Ag/AgCl参比电极、铂丝对电极构成三电极体系;采用差分脉冲阳极溶出伏安法对水中微量的镉和铅进行测定。在pH=4.5的醋酸-醋酸钠(HAc-NaAc)底液中,Cd2+和Pb2+分别在#0.72和#0.48 V灵敏地产生溶出峰,线性范围分别为0.05～10 mg/L和0.03～5 mg/L,检出限均为10!g/L。本方法操作简单、安全快速、重现性好,适合于废水、地表水、及生活用水中镉和铅的测定。

关键词：石墨烯修饰铂电极差分脉冲阳极溶出伏安法铋膜重金属离子

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

化学气相沉积法在Cu-Ni合金衬底上生长多层六方氮化硼

引用

科学通报 2017年第20期62卷 2279-2286页

作者：杨鹏吴天如王浩敏卢光远邓联文黄生祥中南大学物理与电子学院长沙410083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维... 详细信息

六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维半导体材料的基底对其下方衬底表面悬挂键及电荷的屏蔽效果有限,多层h-BN可以提高屏蔽效果.本文通过化学气相沉积法,采用生长-刻蚀-再生长的方案在铜镍合金衬底上成功制备得到多层h-BN晶畴,刻蚀过程使铜镍合金重新漏出,显著提高了下一阶段生长过程中多层h-BN的外延生长速率,通过该方案得到三角形状的多层h-BN晶畴尺寸可达10~20mm.同时,使用扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、拉曼光谱、透射电子显微镜等一系列测试手段对多层h-BN表面形貌、化学成分及微观结构做了进一步表征.结果表明,h-BN中B 1s和N 1s的电子能谱峰值分别为190.4和397.8 e V,并且B和N两种元素的含量比为1.02:1;多层h-BN的拉曼光谱峰值位移在1365 cm^(-1),半高峰宽为18 cm^(-1);选区电子衍射结果说明,多层h-BN层间具有严格的AA′堆垛且每一层h-BN都具有相同的晶格取向.所有表征结果说明本文所得的多层h-BN单晶具有较好的晶体质量.

关键词：六方氮化硼多层化学气相沉积铜镍合金刻蚀结构表征

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种非球形纳米二氧化硅颗粒制备新方法

引用

材料导报 2018年第10期32卷 1683-1687页

作者：孔慧刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学微电子学院北京100049

以低成本工业级硅酸钠为原料,采用离子交换法制备了非球形纳米二氧化硅颗粒。在制备过程中,采用控制无机碱催化剂1%(质量分数)氢氧化钠水溶液滴加到活性硅酸速度的方法来控制二氧化硅晶核成核的形貌,进而控制二氧化硅颗粒的形貌,避免了... 详细信息

以低成本工业级硅酸钠为原料,采用离子交换法制备了非球形纳米二氧化硅颗粒。在制备过程中,采用控制无机碱催化剂1%(质量分数)氢氧化钠水溶液滴加到活性硅酸速度的方法来控制二氧化硅晶核成核的形貌,进而控制二氧化硅颗粒的形貌,避免了传统方法(通过引入有机碱或者引入二价或三价阳离子)制备非球形二氧化硅颗粒的不足。扫描电镜显示所制备的二氧化硅颗粒为非球形(呈花生、哑铃或枣状),轴向粒径为10~20nm,径向粒径为45~80nm。激光粒度分析仪测试表明非球形颗粒高斯分布平均粒径为39.0nm,多分散指数高达0.261。该方法制备非球形二氧化硅颗粒步骤简单、环境友好,非常有利于工业化生产与应用。

关键词：非球形纳米二氧化硅轴向粒径径向粒径

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化（英文）

引用

红外与毫米波学报 2018年第6期37卷 699-703,710页

作者：张见陈星佑顾溢龚谦黄卫国杜奔黄华马英杰张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210

利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手... 详细信息

利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手段进行了表征.结果表明,InAlAs异变缓冲层的生长温度越低,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽就越宽,外延层和衬底之间的倾角就越大,同时样品表面粗糙度越高.这意味着材料的缺陷增加,弛豫不充分.对于生长在具有相同生长温度的InAlAs异变缓冲层上的In0.83Ga0.17As外延层,采用较高的生长温度时,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽较小,77K下有更强的光致发光,但是表面粗糙度会有所增加.这说明生长温度提高后,材料中的缺陷得到抑制.

关键词：分子束外延 InGaAs InAlAs异变缓冲层生长温度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于微机电系统的法布里珀罗可调光滤波器

引用

中国激光 2017年第6期44卷 224-232页

作者：郭智慧李拥华杨恒钟少龙上海大学理学院上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200000

为实现调谐范围宽、调谐速度快、带宽窄、驱动电压低以及可批量化生产的可调光学滤波器,提出了一种新型微机电系统(MEMS)可调光学滤波器。由高反射率可动光学镜面与准直扩束光纤端面组成法布里-珀罗(F-P)腔。通过静电驱动改变F-P腔的腔... 详细信息

为实现调谐范围宽、调谐速度快、带宽窄、驱动电压低以及可批量化生产的可调光学滤波器,提出了一种新型微机电系统(MEMS)可调光学滤波器。由高反射率可动光学镜面与准直扩束光纤端面组成法布里-珀罗(F-P)腔。通过静电驱动改变F-P腔的腔长以调整滤波器的输出光波长,分析了可调光学滤波器的波长调谐原理和静电驱动原理,给出了器件的结构参数和综合设计考虑。利用体硅加工工艺成功制作了可调光学滤波器样品,并进行了实验测试。实验结果表明,通过改变准直扩束光纤的初始位置,3dB带宽与自由谱域之间具有可调性。该可调光学滤波器兼备了MEMS技术与光纤技术的优点,并且结构紧凑、工艺简单、驱动电压低,可用于光通信等场合。

关键词：光纤光学微机电系统法布里-珀罗腔可调光滤波器静电驱动

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

以金属有机骨架材料ZIF-8为固定相的硅基微气相色谱柱

引用

高等学校化学学报 2021年第6期42卷 1736-1741页

作者：赵阳洋刘启勇陈泊鑫赵斌周海梅李昕欣郑丹冯飞上海应用技术大学化学与环境工程学院上海201418 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

基于微机电技术制备了一种含有椭圆微柱阵列的半填充柱;采用水热法合成了一种金属有机骨架材料ZIF-8,将其涂敷在微色谱柱的微沟道内壁上作为固定相.在30℃恒温下对芯片的分离性能进行了测试,结果表明,以ZIF-8为固定相的微色谱柱可以在7... 详细信息

基于微机电技术制备了一种含有椭圆微柱阵列的半填充柱;采用水热法合成了一种金属有机骨架材料ZIF-8,将其涂敷在微色谱柱的微沟道内壁上作为固定相.在30℃恒温下对芯片的分离性能进行了测试,结果表明,以ZIF-8为固定相的微色谱柱可以在75 s内实现甲烷、乙烷和丙烷(C1~C3)的基线分离,其中甲烷-乙烷的分离度达到了2.23,与以介孔硅为固定相的微色谱柱相比提高了99%;甲烷、乙烷的峰面积以及甲烷-乙烷分离度重复性的相对标准偏差均小于3%.以上结果表明,以ZIF-8为固定相的微色谱柱在针对油田气实时分离的便携式微色谱系统中具有广泛的应用前景.

关键词：微色谱柱金属有机骨架材料固定相微机电系统轻烃的分离

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导

引用

固体电子学研究与进展 2012年第5期32卷 456-462页

作者：刘米丰熊斌徐德辉王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

在低阻硅（1-10Ω.cm）衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为w/s=40/60μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导。SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象。通过WYKO三维形貌观察得到两种结构共面波... 详细信息

在低阻硅（1-10Ω.cm）衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为w/s=40/60μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导。SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象。通过WYKO三维形貌观察得到两种结构共面波导悬浮信号线最大翘曲量分别为10μm和16μm。微波性能测试结果表明两种悬浮结构共面波导在1-10 GHz频率范围内插入损耗分别低于4.5 dB/2 mm和3.2 dB/2 mm,远小于制作在低阻硅衬底上的普通共面波导插入损耗9.4 dB/2 mm;在1-3 GHz频率范围内插入损耗分别低于0.54 dB/2 mm和0.17 dB/2 mm,小于制作在高阻硅（1 400-1 500Ω.cm）衬底上普通共面波导的插入损耗0.55 dB/2 mm。

关键词：共面波导插入损耗二氟化氙硅腐蚀低阻硅衬底

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：