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作者

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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
1142 条 记 录,以下是151-160 订阅
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基于低温超导量子干涉器件的脑听觉激励磁场探测
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物理学报 2012年 第2期61卷 158-162页
作者: 张树林 刘扬波 曾佳 王永良 孔祥燕 谢晓明 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
本文利用磁屏蔽和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率... 详细信息
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深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
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物理学报 2012年 第5期61卷 92-96页
作者: 胡志远 刘张李 邵华 张正选 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的... 详细信息
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外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响
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物理学报 2013年 第23期62卷 308-312页
作者: 王文娟 王海龙 龚谦 宋志棠 汪辉 封松林 山东省激光偏光与信息技术重点实验室 曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海高等研究院 上海201203
在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后... 详细信息
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石墨烯修饰铂电极传感器测定水中微量重金属镉和铅
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分析化学 2013年 第2期41卷 278-282页
作者: 唐逢杰 张凤 金庆辉 赵建龙 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 中国科学院大学
建立了石墨烯修饰铂电极(G/Pt)共沉积铋膜测定水中微量重金属镉和铅的方法。采用微机电系统(MEMS)工艺制作铂电极,并利用CVD法在铂电极上原位生长石墨烯,制备了石墨烯修饰铂电极,与Ag/AgCl参比电极、铂丝对电极构成三电极体系;采用差分... 详细信息
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化学气相沉积法在Cu-Ni合金衬底上生长多层六方氮化硼
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科学通报 2017年 第20期62卷 2279-2286页
作者: 杨鹏 吴天如 王浩敏 卢光远 邓联文 黄生祥 中南大学物理与电子学院 长沙410083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维... 详细信息
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一种非球形纳米二氧化硅颗粒制备新方法
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材料导报 2018年 第10期32卷 1683-1687页
作者: 孔慧 刘卫丽 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学微电子学院 北京100049
以低成本工业级硅酸钠为原料,采用离子交换法制备了非球形纳米二氧化硅颗粒。在制备过程中,采用控制无机碱催化剂1%(质量分数)氢氧化钠水溶液滴加到活性硅酸速度的方法来控制二氧化硅晶核成核的形貌,进而控制二氧化硅颗粒的形貌,避免了... 详细信息
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InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化(英文)
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红外与毫米波学报 2018年 第6期37卷 699-703,710页
作者: 张见 陈星佑 顾溢 龚谦 黄卫国 杜奔 黄华 马英杰 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049 上海科技大学物质科学与技术学院 上海201210
利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手... 详细信息
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基于微机电系统的法布里珀罗可调光滤波器
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中国激光 2017年 第6期44卷 224-232页
作者: 郭智慧 李拥华 杨恒 钟少龙 上海大学理学院 上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200000
为实现调谐范围宽、调谐速度快、带宽窄、驱动电压低以及可批量化生产的可调光学滤波器,提出了一种新型微机电系统(MEMS)可调光学滤波器。由高反射率可动光学镜面与准直扩束光纤端面组成法布里-珀罗(F-P)腔。通过静电驱动改变F-P腔的腔... 详细信息
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以金属有机骨架材料ZIF-8为固定相的硅基微气相色谱柱
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高等学校化学学报 2021年 第6期42卷 1736-1741页
作者: 赵阳洋 刘启勇 陈泊鑫 赵斌 周海梅 李昕欣 郑丹 冯飞 上海应用技术大学化学与环境工程学院 上海201418 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
基于微机电技术制备了一种含有椭圆微柱阵列的半填充柱;采用水热法合成了一种金属有机骨架材料ZIF-8,将其涂敷在微色谱柱的微沟道内壁上作为固定相.在30℃恒温下对芯片的分离性能进行了测试,结果表明,以ZIF-8为固定相的微色谱柱可以在7... 详细信息
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基于XeF_2硅刻蚀工艺的低阻硅衬底低损耗共面波导
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固体电子学研究与进展 2012年 第5期32卷 456-462页
作者: 刘米丰 熊斌 徐德辉 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
在低阻硅(1-10Ω.cm)衬底上采用XeF2硅腐蚀工艺成功制备了长度为2 mm、结构尺寸为w/s=40/60μm间断悬浮和全悬浮两种结构的共面波导。SEM照片显示器件释放后的悬浮结构未出现粘附或破裂现象。通过WYKO三维形貌观察得到两种结构共面波... 详细信息
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