检索结果-内蒙古大学图书馆

机械强度 2003年第4期25卷 395-400页

作者：宗登刚王钻开陆德仁王聪和中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 香港理工大学应用物理系

用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14... 详细信息

用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14 .0GPa± 2 9.2GPa ,残余应力为 2 65 .0MPa± 3 4.1MPa。探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响 ,得到低应力氮化硅的弯曲强度为 6.9GPa± 1.1GPa。对微桥法测量误差的分析表明 ,衬底变形。

关键词：微电子机械系统低压化学气相沉积氮化硅弹性模量残余应力弯曲强度微机械悬桥法误差分析

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对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识

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原子能科学技术 2021年第12期55卷 2157-2167页

作者：刘春媚杨旭朱慧龙胡志远毕大炜张正选中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 华天科技(昆山)电子有限公司江苏昆山215300

通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退... 详细信息

通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退化。在不同的应力条件下,其效果也有所不同。对改性器件施加热载流子应力时,改性器件的前栅和背栅之间存在着更明显的相互作用。同时,探讨了总剂量辐照对改性器件热载流子退化的影响。在改性器件中存在辐照增强的热载流子退化,高温退火只能部分消除这一影响。

关键词：热载流子效应总剂量效应辐射加固 PDSOI NMOS 改性器件

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PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构

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材料研究学报 2006年第6期20卷 621-625页

作者：徐天宁吴惠桢斯剑霄曹春芳黄占超浙江大学物理系杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20005

用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构．结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0．4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有... 详细信息

用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构．结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0．4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构；降低Se/PbSe束流比至0．2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构；当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫．在BaF_2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃．

关键词：无机非金属材料 PbSe单晶薄膜分子束外延应变弛豫螺旋结构

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氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究

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核技术 2007年第8期30卷 675-678页

作者：宋朝瑞程新红张恩霞邢玉梅俞跃辉郑志宏沈勤我张正选王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 温州大学物理系温州325000

本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元... 详细信息

本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理。

关键词：高kHfON介电薄膜总剂量辐射陷阱电荷

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基于溶出伏安法的铋微阵列电极检测饮料中的铅和镉

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分析化学 2011年第11期39卷 1748-1752页

作者：刘德盟金妍金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室中国科学院研究生院

建立了基于溶出伏安法的铋微阵列电极检测饮料中重金属的方法。该传感器采用三电极体系,铋微阵列电极为工作电极,铂薄膜电极为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极。铋是一种低毒的重金属,采用铋作为反应物质可以使检测过程更加安全。微阵列... 详细信息

建立了基于溶出伏安法的铋微阵列电极检测饮料中重金属的方法。该传感器采用三电极体系,铋微阵列电极为工作电极,铂薄膜电极为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极。铋是一种低毒的重金属,采用铋作为反应物质可以使检测过程更加安全。微阵列电极具有高通量测定、便于微型化、抗干扰性等优点。实验表明,该传感器可同时检测出Pb2+和Cd2+,检出限分别为0.067和0.064 mg/L,且具有很好的重复性。此传感器用于检测橙汁中的Pb2+和Cd2+,结果令人满意。

关键词：铋阵列电极重金属离子铅镉溶出伏安法

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MEMS加速度计信号光电检测与电容检测的噪声分析

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传感技术学报 2008年第5期21卷 785-790页

作者：曾凡林钟少龙徐静吴亚明中国科学院上海微系统信息技术研究所:传感技术国家重点联合实验室微系统技术国家级重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

在高精度MEMS扭摆式加速度计电容检测和光电检测实现原理的基础上,分析了该加速度计热机械噪声和电学噪声特性。该加速度计结构在品质因数Q=1和Q=85时,热机械噪声分别为2.4μgn/Hz和0.28μgn/Hz。对于电学噪声,电容检测的电学噪声为3.27... 详细信息

在高精度MEMS扭摆式加速度计电容检测和光电检测实现原理的基础上,分析了该加速度计热机械噪声和电学噪声特性。该加速度计结构在品质因数Q=1和Q=85时,热机械噪声分别为2.4μgn/Hz和0.28μgn/Hz。对于电学噪声,电容检测的电学噪声为3.27μgn/Hz,光电检测在只考虑电学噪声时能分辨的最小加速度可达0.05μgn。对比得出对于扭摆式加速度计结构,光电检测具有比电容检测更小的系统总噪声。

关键词：电容检测光电检测热机械噪声电学噪声

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基于锁相环接口电路的高性能扭转谐振模态微悬臂梁传感器研究

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传感技术学报 2007年第10期20卷 2234-2238页

作者：包涵菡李昕欣张志祥王跃林于海涛刘民中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感器国家重点实验室上海200050

扭转谐振模态微悬臂梁低能耗、高品质因数的特性,使它比传统的弯曲模态悬臂梁拥有更高的灵敏度和分辨率.将微传感器加工技术和生物检测技术相结合,利用扭转谐振模态微悬臂梁传感器对生物素和亲和素的特异性反应进行检测,结果传感器的灵... 详细信息

扭转谐振模态微悬臂梁低能耗、高品质因数的特性,使它比传统的弯曲模态悬臂梁拥有更高的灵敏度和分辨率.将微传感器加工技术和生物检测技术相结合,利用扭转谐振模态微悬臂梁传感器对生物素和亲和素的特异性反应进行检测,结果传感器的灵敏度为0.9pg/Hz,分辨可达到49fg.本文还着重介绍了为谐振梁传感器设计的以锁相环(Phase-Locked Loop简称PLL)为核心的闭环接口电路,分析了悬臂梁和电路在闭环系统中的工作特性,并探讨了解决谐振式传感器在使用中常见的稳定性差、噪声干扰强等问题的方法.:

关键词：扭转谐振模态微悬臂梁闭环接口电路 PLL

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中红外微环谐振器及应用的研究进展

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激光与光电子学进展 2020年第23期57卷 44-57页

作者：胡玉洁王书晓汪大伟余明斌蔡艳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

微环谐振器是实现硅基光电子片上集成的重要器件.为此,从微环谐振器的原理出发,主要描述了中红外领域高品质因子微环谐振器的研究意义与发展历程,分析了不同材料体系微环谐振器在工艺和实际应用上的优缺点;介绍了基于Vernier效应的级联... 详细信息

微环谐振器是实现硅基光电子片上集成的重要器件.为此,从微环谐振器的原理出发,主要描述了中红外领域高品质因子微环谐振器的研究意义与发展历程,分析了不同材料体系微环谐振器在工艺和实际应用上的优缺点;介绍了基于Vernier效应的级联微环谐振器在中红外波段的传感和滤波领域的理论研究;并回顾了中红外克尔光学频率梳的产生原理和发展历程,在理论上证明了锗条形波导微环可以在泵浦功率低至80 mW的情况下实现带宽接近一个倍频程的宽谱光频梳,并对研究进展进行了总结和展望.

关键词：集成光学硅基光电子微环谐振器 Vernier效应光学频率梳

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六方氮化硼表面石墨烯纳米带生长与物性研究

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物理学报 2019年第16期68卷 91-103页

作者：陈令修王慧山姜程鑫陈晨王浩敏中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 上海科技大学物质学院上海200031

石墨烯作为二维原子晶体家族的典型代表,由于其优异的物理与化学特性而受到学术界与工业界的广泛关注.石墨烯纳米带是宽度仅有几纳米到几十纳米的石墨烯.纳米带不但继承了石墨烯大部分优异的性能,而且具备可调控带隙、自旋极化边界态等... 详细信息

石墨烯作为二维原子晶体家族的典型代表,由于其优异的物理与化学特性而受到学术界与工业界的广泛关注.石墨烯纳米带是宽度仅有几纳米到几十纳米的石墨烯.纳米带不但继承了石墨烯大部分优异的性能,而且具备可调控带隙、自旋极化边界态等石墨烯所不具有的新奇物理特性.这些特性使石墨烯纳米带成为未来探索石墨烯电子学应用所需要重点研究的对象.利用与石墨烯晶格结构相似的六方氮化硼(h-BN)作为绝缘介质衬底进行石墨烯及石墨烯纳米带制备,不仅可以有效地保持它们优异的本征性质,还可以开发出与主流半导体工艺相兼容的电子器件工艺与应用.本文回顾了近几年 h-BN 表面石墨烯及石墨烯纳米带研究的发展历程,详细阐述了最近的材料制备和物性研究的进展,并对高质量 h-BN 衬底制备的最新进展进行介绍,以期为未来实现高质量 h-BN 表面石墨烯纳米带的规模化制备并最终实现电子器件应用奠定基础.最后本文对h-BN 表面石墨烯及石墨烯纳米带的未来研究方向进行了展望.

关键词：石墨烯六方氮化硼石墨烯纳米带范德瓦尔斯异质结

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中红外波段高速硅基电光调制器设计与优化(特邀)

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红外与激光工程 2022年第3期51卷 71-78页

作者：刘雨菲李欣雨王书晓岳文成蔡艳余明斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 上海微技术工业研究院上海201800

作为中红外波段中最接近O波段和C波段的波段,2μm波段区域逐渐引起人们的广泛关注。主要对2μm波段的马赫-增德尔型调制器进行优化设计和仿真,根据2μm波长下光模场分布的特点,选用具有340 nm厚度顶层硅的SOI衬底,结合实际工艺中240 nm... 详细信息

作为中红外波段中最接近O波段和C波段的波段,2μm波段区域逐渐引起人们的广泛关注。主要对2μm波段的马赫-增德尔型调制器进行优化设计和仿真,根据2μm波长下光模场分布的特点,选用具有340 nm厚度顶层硅的SOI衬底,结合实际工艺中240 nm硅刻蚀深度,得到宽度为600 nm以及平板层厚度为100 nm的最优脊波导结构。通过优化掺杂浓度和掺杂区位置获得综合性能最优的调制器器件,在4 V反向偏压下器件光损耗为5.17 dB/cm,调制效率为2.86 V·cm,静态消光比为23.8 dB,3dB EO带宽为27.1 GHz。同时,与220 nm厚度顶层硅器件相比较,器件的综合性能更为优越。研究内容为后续器件实际制作提供了依据,也为后续2μm波段光收发集成模块所需调制器设计提供了新的方向。

关键词：硅基光电子学中红外波段调制器

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