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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家重点实验室"
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微型光纤磁传感器的设计与制作
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光学精密工程 2013年 第9期21卷 2294-2302页
作者: 龙亮 钟少龙 徐静 吴亚明 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室微系统技术重点实验室 上海200050 中国科学院大学微系统与信息技术学院 上海200050
提出了一种基于微机电系统(MEMS)扭镜结构的光纤磁场传感器,并利用对角度变化非常敏感的双光纤准直器对扭镜的扭转角度进行了检测。该MEMS光纤磁传感器由MEMS扭镜结构、磁性敏感薄膜和双光纤准直器组成。文中分析了器件的磁敏感原理和... 详细信息
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2~3微米波段InP基无锑激光器和光电探测器
收藏 引用
红外与毫米波学报 2016年 第3期35卷 275-280页
作者: 张永刚 顾溢 陈星佑 马英杰 曹远迎 周立 奚苏萍 杜奔 李爱珍 李好斯白音 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.5μm波段I型InGaAs多量子阱激光器、采用虚拟衬底异变方案的2.5~3μm波段I型InAs多量子阱激光器、... 详细信息
来源: 评论
直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究
收藏 引用
物理学报 2005年 第9期54卷 4334-4339页
作者: 劳燕锋 吴惠桢 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
通过对直接键合InPGaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InPGaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3.509μm波长光的强... 详细信息
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一种新颖的基于MEMS技术的光读出热成像系统性能分析与制作
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红外与毫米波学报 2004年 第2期23卷 125-130页
作者: 冯飞 焦继伟 熊斌 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
提出了一种新颖的光读出红外热成像系统设计 .该系统利用光学读出技术将红外图像直接转化为可见光图像 ,其核心部件是一个基于微电子机械技术 (MEMS)制作的法布里 泊罗 (Fabry Perot)微腔红外探测器列阵 (F PMCIRDA) .通过对Au/SiNx双... 详细信息
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基于聚酰亚胺柔性衬底微温度传感器阵列的关键技术研究
收藏 引用
中国机械工程 2005年 第z1期16卷 184-188页
作者: 肖素艳 车录锋 李昕欣 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050
基于柔性MEMS技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功制作出8×8阵列的铂薄膜电阻微温度传感器.该器件特别适用于复杂几何体高曲率表面温度的实时监控.采用了两种方法制作柔性器件:第一种方法是将液态聚酰亚胺旋涂在有氧化物牺牲层的载体硅... 详细信息
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GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征
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稀有金属材料与工程 2007年 第4期36卷 587-591页
作者: 谢正生 吴惠桢 劳燕锋 刘成 曹萌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明,采用5s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs ... 详细信息
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低温Au-In-Au金属键合及其在VCSELs制作中的应用
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金属学报 2007年 第3期43卷 264-268页
作者: 谢正生 吴惠桢 劳燕锋 刘成 曹萌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率.实验结果表明,InP基外延半腔VC... 详细信息
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InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)
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红外与毫米波学报 2008年 第2期27卷 81-85页
作者: 田招兵 顾溢 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子... 详细信息
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氢离子注入法提高InAsP/InP应变多量子阱发光特性(英文)
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红外与毫米波学报 2008年 第4期27卷 317-320页
作者: 曹萌 吴惠桢 劳燕峰 曹春芳 刘成 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
采用气态源分子束外延系统生长了InAsP/InP应变多量子阱,研究了H+注入对量子阱光致发光谱的影响以及高温快速退火对离子注入后的量子阱发光谱的影响。发现采用较低H+注入能量(剂量)时,量子阱发光强度得到增强;随着H+注入能量(剂量)的增... 详细信息
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pn结对微机械p/n多晶Si热电堆性能的影响
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光电子.激光 2010年 第8期21卷 1176-1180页
作者: 李艳龙 王翊 周宏 刘延祥 李铁 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点实验室微系统技术国家实验室上海200050
为了研究pn结对微机械p/n多晶Si热电堆性能的影响,设计了两种结构的热电堆器件,采取不同的退火条件,对其结构进行了研究实验结果表明,工艺过程中形成的pn结会使得热电堆的电阻变大,信号变小,退火条件决定了热电堆器件能否正常工作。因... 详细信息
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