检索结果-内蒙古大学图书馆

光学精密工程 2011年第11期19卷 2685-2692页

作者：陈涛陈立国潘明强孙立宁苏州大学机器人与微系统研究中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室哈尔滨工业大学机器人研究所

针对偶件装配对同轴度的要求,提出了一种基于柔性解耦梁和显微视觉技术的同轴定位调整系统。为满足同轴度在线调整和轴套的位姿保持,设计了一种"田"字型两自由度柔性解耦梁机构,并结合微动平台和夹具来实现同轴度调整时零件... 详细信息

针对偶件装配对同轴度的要求,提出了一种基于柔性解耦梁和显微视觉技术的同轴定位调整系统。为满足同轴度在线调整和轴套的位姿保持,设计了一种"田"字型两自由度柔性解耦梁机构,并结合微动平台和夹具来实现同轴度调整时零件轴的精确定位。根据力学原理,建立了柔性梁的刚度模型,结合有限元法进行仿真分析,确定出梁的结构参数尺寸。对同轴定位调整系统中的显微视觉功能和过程进行了设计,并通过Hough算法实现精密同轴定位的实时检测功能,计算出同轴偏差作为调整的数值依据。大量的同轴定位调整实验显示,同轴度定位精度优于8μm,同时大大提高了装配效率。结果表明,该定位调整系统为器件的装配提供了精确的定位参数,可以准确、高效地实现定位装配。

关键词：柔性解耦梁显微视觉同轴定位

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卫星激光通信MEMS快速反射镜可靠性研究进展

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红外与激光工程 2023年第9期52卷 222-234页

作者：朱伟鸿汪洋王栎皓刘艺晨武震宇上海大学微电子学院上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 上海微技术工业研究院上海201800 中国科学院大学北京100049

快速反射镜(Fast Steering Mirror,FSM)具有响应快、精度高、分辨率高等优势,被广泛应用于卫星激光通信、超分辨率成像、高精度激光瞄准等领域,是捕获、跟踪和瞄准(Acquisition Tracking and Pointing,ATP)系统中的核心部件。传统快反... 详细信息

快速反射镜(Fast Steering Mirror,FSM)具有响应快、精度高、分辨率高等优势,被广泛应用于卫星激光通信、超分辨率成像、高精度激光瞄准等领域,是捕获、跟踪和瞄准(Acquisition Tracking and Pointing,ATP)系统中的核心部件。传统快反镜主要由压电陶瓷和音圈电机驱动,而基于微机电(Micro Electro Mechanical System,MEMS)技术制备的快反镜具有小型化及批量化等优势,是技术发展的趋势,但其应用于卫星激光通信领域的可靠性尚未进行全面论证。文中介绍了快反镜的工作原理、环境适应性要求以及国内外快反镜的可靠性水平,结合致动原理和结构分析了现有快反镜的失效机理、评估方法和可靠性加固技术,最后指出了高可靠性快反镜的结构和加固技术发展方向,并通过综合分析与仿真验证了MEMS快反镜应用于卫星激光通信的可行性。

关键词：卫星激光通信快速反射镜微机电系统技术环境适应性可靠性

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单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文)

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无机化学学报 2011年第4期27卷 759-763页

作者：张泽芳俞磊刘卫丽宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果... 详细信息

以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂所得的产物进行了分析,结果发现只有含有KH550才能获得菱形CeOHCO3片状物,并且在灼烧过程中产物的形貌仍保持菱形。然后采用TEM对菱形CeOHCO3和CeO2进行了表征,结果发现CeOHCO3为单晶产物而灼烧后所得的CeO2为多晶产物。

关键词： CeOHCO3 CeO2 KH550 菱形沉淀法

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InAs/InP量子点激光器中欧姆接触合金层特性研究

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光电子．激光 2015年第1期26卷 30-34页

作者：李世国龚谦曹春芳王新中沈晓霞周志文张卫丰范金坪深圳信息职业技术学院电子与通信技学院广东深圳518172 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光器的性能有很大影响,而接触电阻的大小与合金材料、退火温度和退火时间有关。本文采用Au/Ni/Au/Ge做InAs/InP量子点激光器的欧姆接触合金层,通过改变退火温度和退火时间调节量子点激光器... 详细信息

合金层与InAs/InP量子点激光器的接触电阻对激光器的性能有很大影响,而接触电阻的大小与合金材料、退火温度和退火时间有关。本文采用Au/Ni/Au/Ge做InAs/InP量子点激光器的欧姆接触合金层,通过改变退火温度和退火时间调节量子点激光器中接触电阻的阻值。实验发现,退火时间对接触电阻的改变不大,但是提高退火温度却能极大地降低接触电阻的阻值。实验获得了Au/Ni/Au/Ge合金层与InAs/InP量子点激光器最佳欧姆接触条件,通过矩阵传输法测得相应接触电阻率为1.34×10-6Ω·cm2。在此条件下,制备激射中心波长为1.577μm的多模量子点激光器,室温下单面最大输出功率达到和超过39mW。

关键词：量子点激光器接触电阻合金化

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低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯

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人工晶体学报 2013年第12期42卷 2589-2594页

作者：孙雷沈鸿烈李金泽吴天如丁古巧朱云谢晓明南京航空航天大学材料科学与技术学院南京211100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的... 详细信息

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;"溶解析出"型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨"块";金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱。

关键词：石墨烯 Cu-In合金化学气相沉积

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基于柔性MEMS皮肤技术温度传感器阵列的研究

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光学精密工程 2005年第6期13卷 674-680页

作者：肖素艳车录锋李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

采用MEMS皮肤技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功研制出8×8阵列铂薄膜热敏电阻温度传感器。实验采用热氧化硅片为机械载体,以便于旋涂液态聚酰亚胺柔性衬底上器件的加工。最后用湿法腐蚀方法将柔性器件从载体上释放下来。试验表明聚酰... 详细信息

采用MEMS皮肤技术,在聚酰亚胺柔性衬底上成功研制出8×8阵列铂薄膜热敏电阻温度传感器。实验采用热氧化硅片为机械载体,以便于旋涂液态聚酰亚胺柔性衬底上器件的加工。最后用湿法腐蚀方法将柔性器件从载体上释放下来。试验表明聚酰亚胺衬底上的铂薄膜热敏电阻与温度的变化具有良好的线性,其电阻温度系数达0.0023/℃。与固态聚酰亚胺膜衬底相比,采用旋涂液态聚酰亚胺解决了制备中遇到的两大主要困难:其一,消除了涂聚酰亚胺衬底与载体界面之间的气泡,聚酰亚胺衬底表面能保持良好平整度;其二,制备过程中由于热循环而使柔性衬底产生的热膨胀明显减小。这种柔性温度传感器阵列易贴于高曲率物体表面以探测小面积温度场分布。

关键词：皮肤技术聚酰亚胺柔性衬底铂薄膜电阻温度传感器

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曲面保护高量程加速度传感器阻尼特性研究

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光电工程 2006年第9期33卷 138-144页

作者：杨尊先李昕欣于映福州大学电子科学与应用物理系福建福州350002 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

利用有限元模拟方法,对一种高量程MEMS加速度计进行10万g正弦加速度脉冲下的动态冲击响应分析。首先,建立适用于该器件曲面阻尼的分段近似叠加理论模型;随后,采用ANSYS有限元模拟技术分别研究器件阻尼带隙宽度及其阻尼介质特性对器件动... 详细信息

利用有限元模拟方法,对一种高量程MEMS加速度计进行10万g正弦加速度脉冲下的动态冲击响应分析。首先,建立适用于该器件曲面阻尼的分段近似叠加理论模型;随后,采用ANSYS有限元模拟技术分别研究器件阻尼带隙宽度及其阻尼介质特性对器件动态冲击响应特性的影响。器件动态冲击响应实际上是受迫振动与传感器悬臂梁固有频率振动的叠加。当阻尼带隙较小时,输出结果表现为冲击载荷下的受迫振动响应;随着阻尼带隙变宽,悬臂梁固有频率振动渐突显,响应峰值电压也近线性增加,而峰值电压所对应时间则非线性减小。在其它条件相同情况下,阻尼介质粘滞系数越大,响应输出曲线越光滑,但其峰值电压也相应越低。在空气阻尼介质中,过载保护曲面的平移距离控制在0.5～0.65μm范围内,以获取较好的动态响应效果。

关键词：高g加速度传感器压膜阻尼曲面过载保护冲击响应

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不同能量和注量电子辐照对InP HEMT材料电学特性影响

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原子能科学技术 2021年第12期55卷 2274-2281页

作者：周书星方仁凤陈传亮张欣魏彦锋曹文彧类淑来艾立鹍湖北文理学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室湖北襄阳441053 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文采用气态源分子束外延法(GSMBE)制备了匹配型InGaAs/InAlAs磷化铟基高电子迁移率器件(InP HEMT)外延结构材料。针对该外延结构材料开展了不同能量和注量电子束辐照试验,测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气(2DEG)辐照前后的电学特... 详细信息

本文采用气态源分子束外延法(GSMBE)制备了匹配型InGaAs/InAlAs磷化铟基高电子迁移率器件(InP HEMT)外延结构材料。针对该外延结构材料开展了不同能量和注量电子束辐照试验,测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气(2DEG)辐照前后的电学特性,获得了辐照前后InP HEMT外延材料二维电子气浓度和迁移率归一化退化规律,分析了不同能量和注量电子束辐照对外延材料电学特性的影响。结果发现:在相同辐照注量2×10^(15) cm^(-2)条件下,电子束辐照能量越高,InP HEMT外延材料电学特性退化越严重;1.5 MeV电子束辐照时,当辐照注量超过4×10^(14) cm^(-2)后,外延材料电学特性开始明显退化,当电子辐照注量达到3×10^(15) cm^(-2)后,外延材料电学特性退化趋势减弱趋于饱和。产生上述现象原因如下:电子束与材料晶格发生能量传递,产生非电离能损(NIEL),破坏晶格完整性,高能量电子束具有较高的非电离能损,会产生更多的位移损伤缺陷,导致InP HEMT外延材料电学特性更严重退化;InP HEMT外延材料电学特性主要受沟道InGaAs/InAlAs异质界面能带结构和各种散射过程影响,随着电子辐照注量的增加,位移损伤剂量增大,辐射损伤诱导缺陷会在沟道异质界面处集聚直至饱和。

关键词： InP HEMT 二维电子气电子辐照位移损伤

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1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制

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Journal of Semiconductors 2005年第9期26卷 1798-1803页

作者：龙文华李广波贾科淼屈红昌唐衍哲吴亚明杨建义王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行... 详细信息

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.

关键词：阵列波导光栅硅基二氧化硅光波导光波分复用器/解复用器集成光学

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基于压缩感知的无线阵列及协同信号处理

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计算机研究与发展 2014年第1期51卷 180-188页

作者：余恺印明宗晓杰王营冠王智工业控制技术国家重点实验室(浙江大学) 浙江工商大学计算机与信息工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所

传感器阵列信号处理是目标监测重要手段之一,传感器节点向后端数据融合中心发送原始信号不可避免地导致传输延时大、能耗高等问题.为实现低功耗、高精度、灵活部署的目标监测,提出了基于压缩采样的无线阵列.借助新兴的压缩感知理论,解... 详细信息

传感器阵列信号处理是目标监测重要手段之一,传感器节点向后端数据融合中心发送原始信号不可避免地导致传输延时大、能耗高等问题.为实现低功耗、高精度、灵活部署的目标监测,提出了基于压缩采样的无线阵列.借助新兴的压缩感知理论,解决低功耗低速率无线通信难以满足阵列原始信号的实时传输的问题,并保证阵列测向性能;同时根据相邻节点信号的相关性,设计了基于模型先验知识的信号协同重构算法,以较低的运算负荷完成信号的重构.仿真表明基于压缩感知的无线阵列能实现有效的目标测向,同时在数据量严重受限时性能明显优于传统方法.最后,通过简易实验验证了该方法在低成本平台上的可行性.

关键词：阵列信号处理压缩感知随机压缩采样无线通信声阵列

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