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文献类型

  • 17 篇 期刊文献
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  • 19 篇 电子文献
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学科分类号

  • 18 篇 工学
    • 8 篇 信息与通信工程
    • 6 篇 电子科学与技术(可...
    • 4 篇 仪器科学与技术
    • 3 篇 计算机科学与技术...
    • 2 篇 光学工程
    • 2 篇 材料科学与工程(可...
    • 2 篇 电气工程
    • 1 篇 机械工程
    • 1 篇 控制科学与工程
    • 1 篇 软件工程
    • 1 篇 网络空间安全
  • 2 篇 军事学
    • 2 篇 军队指挥学
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学
  • 1 篇 管理学
    • 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

  • 4 篇 正交频分复用
  • 3 篇 压缩感知
  • 2 篇 硅微机械加工技术
  • 2 篇 微机械
  • 2 篇 燃料电池
  • 2 篇 压阻
  • 2 篇 信道估计
  • 2 篇 质子交换膜
  • 1 篇 负载均衡
  • 1 篇 路由算法
  • 1 篇 复杂度
  • 1 篇 运动目标检测
  • 1 篇 假设检验
  • 1 篇 短波近红外
  • 1 篇 背景建模
  • 1 篇 动态背景
  • 1 篇 浏览器隐私
  • 1 篇 峰均功率比
  • 1 篇 重建算法
  • 1 篇 三轴加速度计

机构

  • 9 篇 中国科学院上海微...
  • 8 篇 中国科学院大学
  • 6 篇 中国科学院上海微...
  • 5 篇 国防科技大学
  • 4 篇 中国科学院上海微...
  • 2 篇 中国科学院上海微...
  • 2 篇 上海科技大学
  • 1 篇 华中科技大学
  • 1 篇 中国人民解放军国...
  • 1 篇 信息功能材料国家...
  • 1 篇 中国科学院
  • 1 篇 中国电子信息产业...
  • 1 篇 中国科学院上海技...
  • 1 篇 电子元器件可靠性...
  • 1 篇 深圳中国计量科学...
  • 1 篇 上海微系统与信息...
  • 1 篇 国仪量子技术有限...
  • 1 篇 中国科学院长春光...
  • 1 篇 中国科学院上海技...
  • 1 篇 中国科学院精密测...

作者

  • 8 篇 李宝清
  • 7 篇 li bao-qing
  • 4 篇 封松林
  • 4 篇 李圣怡
  • 4 篇 李昕欣
  • 4 篇 董培涛
  • 3 篇 袁晓兵
  • 3 篇 王跃林
  • 2 篇 赵龙慧
  • 2 篇 xie yong-sheng
  • 2 篇 li xin-xin
  • 2 篇 zhao long-hui
  • 2 篇 wang yue-lin
  • 2 篇 zhou lei-lei
  • 2 篇 feng song-lin
  • 2 篇 夏保佳
  • 2 篇 周磊磊
  • 2 篇 陈聪
  • 2 篇 解永生
  • 2 篇 li sheng-yi

语言

  • 19 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国防科技重点实验室"
19 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
基于AODV的无线自组织网络负载均衡路由算法
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计算机工程 2015年 第11期41卷 142-146页
作者: 陈昕韡 袁晓兵 李宝清 中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国防科技重点实验室 上海200050
传统无线自组织网络的负载不均,导致端到端时延增大、传输比下降、节点大量死亡等问题。为此,以无线自组织网络按需距离矢量(AODV)路由协议为基础,提出一种改进的负载均衡算法。采用单路径负载均衡方法,考虑节点的即时负载和过往负载,... 详细信息
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OFDM稀疏信道估计中改进的OMP算法
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计算机工程与设计 2015年 第7期36卷 1701-1705页
作者: 赵龙慧 潘乐炳 李宝清 中国科学院上海微系统与信息技术研究所无线传感网与通信重点实验室 上海200050 中国科学院大学 北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国防科技重点实验室 上海200050
针对传统的最小二乘(LS)算法需要导频数多而估计精度不高、正交匹配追踪(OMP)算法估计效果好但计算复杂度高的缺点,从硬件实现的角度出发,提出一种基于动态门限的OMP信道估计算法,对OFDM的信道响应进行估计。该算法可减少OMP算法寻找匹... 详细信息
来源: 评论
三梁-质量块敏感结构高性能压阻式碰撞加速度计
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传感技术学报 2007年 第8期20卷 1752-1756页
作者: 董培涛 周伟 李昕欣 张屯国 王跃林 封松林 李圣怡 国防科技大学机电工程与自动化学院 长沙410073 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
研究了一种主要应用于碰撞测试领域的硅微机械高性能压阻式加速度计,量程范围为2000gn.为满足技术性能要求,加速度计采用一种三梁-质量块结合梳齿阻尼器的新颖结构,从而可以同时具有高灵敏度及高动态特性(包括高谐振频率及精确阻... 详细信息
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基于统计的浏览器指纹采集技术
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信息网络安全 2019年 第11期 49-55页
作者: 张良峰 汪毅 吴源燚 孔睿 上海微系统与信息技术研究所 上海科技大学信息学院 中国科学院大学 信息系统安全技术国防科技重点实验室
浏览器指纹是一项识别用户浏览器的新技术,它能够通过用户使用浏览器的各种独一无二的特征来区别不同用户并标记。浏览器指纹可以被用于广告营销和对抗网络诈骗,同时也可以被攻击者用来跟踪用户。为了保护用户隐私安全,研究者们提出了... 详细信息
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InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展
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红外与激光工程 2009年 第1期38卷 14-18页
作者: 龚海梅 张可锋 唐恒敬 李雪 张永刚 缪国庆 宋航 方家熊 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国防科技创新实验室 上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春130033
研制出光谱响应为0.9~1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-... 详细信息
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单片集成的高性能压阻式三轴高g加速度计的设计、制造和测试
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Journal of Semiconductors 2007年 第9期28卷 1482-1487页
作者: 董培涛 李昕欣 张鲲 吴学忠 李圣怡 封松林 国防科技大学机电工程与自动化学院 长沙410073 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
设计、制造并测试了一种单片集成的压阻式高性能三轴高g加速度计,量程可达105g.x和y轴单元均采用一种带微梁的三梁-质量块结构,z轴单元采用三梁-双岛结构.与传统的单悬臂梁结构或者悬臂梁-质量块结构相比,这两种结构均同时具有高灵敏度... 详细信息
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光纤海洋温盐深传感器研究进展
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激光与光电子学进展 2021年 第13期58卷 267-281页
作者: 周灵钧 于洋 孟洲 国防科技大学文理学院 湖南长沙410073 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050 国防科技大学气象海洋学院 湖南长沙410073
针对海洋水文环境参量实际测量需求,重点介绍了现有各型光纤温盐深仪(CTD)传感器的传感机理、研究进展、性能指标、存在的技术瓶颈等问题,并简要介绍海洋环境参量传感阵列研究进展与工程应用情况。综合国内外研究进展来看,光纤光栅型CT... 详细信息
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基于ICI干扰消除的OFDM线性时变信道估计方法
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信息技术 2018年 第1期42卷 67-70页
作者: 解永生 周磊磊 刘建坡 中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国防科技重点实验室 上海200050
多普勒频移破坏了OFDM子载波的正交性,导致系统产生子载波间干扰。针对此问题,文中提出了一种基于ICI干扰消除的时变信道估计方法。该方法利用前一符号的信道斜率,消除当前系统符号受到的ICI干扰。在归一化多普勒频小于0.15时,述算... 详细信息
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MEMS微型质子交换膜燃料电池的阴极极板模型研究与优化设计
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传感技术学报 2006年 第5B期19卷 2156-2159页
作者: 董培涛 李昕欣 陈聪 夏保佳 王跃林 封松林 李圣怡 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 国防科技大学机电工程与自动化学院 长沙410073
针对一种基于MEMS技术制造的H2/air自呼吸式微型质子交换膜燃料电池,建立了二维等温的阴极数学模型,计算了电池的平均电流密度及功率密度.由于阴极采用空气自呼吸式,阴极流场板结构的空占比就成为影响电池性能的重要因素.通过优化,确定... 详细信息
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栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响
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固体电子学研究与进展 2010年 第3期30卷 350-352,452页
作者: 恩云飞 何玉娟 罗宏伟 潘金辉 肖庆中 西安电子科技大学微电子学院 西安710071 电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室 广州510610 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050
采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。
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