检索结果-内蒙古大学图书馆

传感技术学报 2005年第4期18卷 766-770页

作者：杨尊先于映林丽华李昕欣福州大学电子科学与应用物理系福州350002 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

进行一种用于高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研究。并采用理论计算和有限元模拟相结合方法对器件进行了设计;使用先进的微纳加工工艺技术将压阻敏感器和电阻加热器集成到超薄悬臂梁—针尖结构纳机电探针阵列器件上,实现器件制作;随... 详细信息

进行一种用于高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研究。并采用理论计算和有限元模拟相结合方法对器件进行了设计;使用先进的微纳加工工艺技术将压阻敏感器和电阻加热器集成到超薄悬臂梁—针尖结构纳机电探针阵列器件上,实现器件制作;随后,进行器件电热特性及其敏感特性测试,测试结果与模拟结果相吻合;借助于原子力学显微镜在聚合物有机薄膜上实现了数据写入,优化写入条件后,数据记录面密度达31.6 GB/in2。

关键词： NEMS 压阻敏感器纳机电探针数据存储

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制

引用

Journal of Semiconductors 2005年第9期26卷 1798-1803页

作者：龙文华李广波贾科淼屈红昌唐衍哲吴亚明杨建义王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行... 详细信息

采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引入的串扰小于-35dB.通道的插入损耗在进行光纤耦合封装后进一步提高,平均损耗约为4.9dB,不均匀性约为1.72dB.

关键词：阵列波导光栅硅基二氧化硅光波导光波分复用器/解复用器集成光学

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析

引用

机械强度 2005年第4期27卷 465-469页

作者：董林玺孙玲玲王跃林杭州电子科技大学微电子CAD研究所杭州310018 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件... 详细信息

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正—正或正—负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性为正—负配置时,传感器承受阶跃加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负—负或负—正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负—正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。

关键词：电容式传感器惯性传感器可靠工作范围阶跃信号偏置电压极性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Pt元素添加提高LiCoO_2的电化学性能

引用

无机材料学报 2005年第2期20卷 351-358页

作者：杜柯其鲁王银杰张宏北京大学化学与分子工程学院新能源与技术实验室北京100871 北京理工大学电子工程系北京100081 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

研究了Pt掺杂对LiCoO2电化学性能的影响.以氧化物形式将少量Pt元素引入到 LiCoO2中,发现形成了LiCoO2-Li2PtO3-Pt混合化合物系统.比较了纯LiCoO2和该LiCoO2 基复合材料的电化学性能,结果显示复合材料具有比纯LiCoO2材料优秀得多的倍率性... 详细信息

研究了Pt掺杂对LiCoO2电化学性能的影响.以氧化物形式将少量Pt元素引入到 LiCoO2中,发现形成了LiCoO2-Li2PtO3-Pt混合化合物系统.比较了纯LiCoO2和该LiCoO2 基复合材料的电化学性能,结果显示复合材料具有比纯LiCoO2材料优秀得多的倍率性能,表明Li离子在该复合化合物中有更快的扩散速率,恒电流滴定实验结果也证明了这一点.

关键词： LiCoO2基复合材料 Pt元素添加放电倍率扩散

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种硅基集成PCR微芯片的传热数值分析

引用

功能材料与器件学报 2005年第4期11卷 471-475页

作者：陈飞邹志清周洪波金庆辉赵建龙中国科学院上海微系统与信息技术研究所生物芯片实验室

设计和制作了一种基于MEMS技术的硅基集成PCR(聚合酶链式反应)微芯片,采用有限容积法,边界条件考虑自然对流换热和辐射换热,对PCR微芯片的传热过程进行了数值模拟。主要分析了样品的升、降温速度和样品内部的温度均一性。分析结果表明... 详细信息

设计和制作了一种基于MEMS技术的硅基集成PCR(聚合酶链式反应)微芯片,采用有限容积法,边界条件考虑自然对流换热和辐射换热,对PCR微芯片的传热过程进行了数值模拟。主要分析了样品的升、降温速度和样品内部的温度均一性。分析结果表明芯片具有较高的升、降温速度,而且样品内部的温度均一性也满足PCR反应的要求。芯片在温度控制系统下进行了热循环反应,实现了GUS基因的扩增,获得了良好的实验结果。

关键词： PCR微芯片传热数值模拟

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SOI在射频电路中的应用

引用

微电子学 2005年第1期35卷 67-70页

作者：骆苏华刘卫丽张苗狄增峰王石冶宋志棠孙晓玮林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所国家半导体功能薄膜工程技术研究中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所射频与微波集成系统实验室上海200050

随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示... 详细信息

随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。

关键词：射频集成电路高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

压阻式微机械陀螺接口电路的数学原理

引用

传感器技术 2005年第8期24卷 8-10页

作者：陈雪萌李昕欣王跃林焦继伟杨恒刘民中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

压阻式微机械陀螺是MEMS研究的重要方向之一,有效的接口电路是发挥陀螺性能的重要保证。用数学方法完整地推导了陀螺驱动和信号检测的内在机理,并据此设计了一种简单的压阻式陀螺接口电路。接口电路的最小分辨力为0.33°/s。测量结... 详细信息

压阻式微机械陀螺是MEMS研究的重要方向之一,有效的接口电路是发挥陀螺性能的重要保证。用数学方法完整地推导了陀螺驱动和信号检测的内在机理,并据此设计了一种简单的压阻式陀螺接口电路。接口电路的最小分辨力为0.33°/s。测量结果证明了数学推导的正确性。

关键词：微机械陀螺压阻接口电路数学推导

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用微机电系统技术制作微质子交换膜燃料电池

引用

电源技术 2005年第10期29卷 663-667页

作者：王涛陈聪张熙贵夏保佳中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050

采用微机电系统(MEMS)技术,在n型单晶硅片衬底上制作微型质子交换膜燃料电池(μPEMFC)的流场板,并用电子扫描电镜(SEM)观察其表面形貌。将它与用Nafion1135质子交换膜以传统热压方法制备的膜电极组装成H2/空气自呼吸式"PEMFC,该电... 详细信息

采用微机电系统(MEMS)技术,在n型单晶硅片衬底上制作微型质子交换膜燃料电池(μPEMFC)的流场板,并用电子扫描电镜(SEM)观察其表面形貌。将它与用Nafion1135质子交换膜以传统热压方法制备的膜电极组装成H2/空气自呼吸式"PEMFC,该电池的体积为0.28mL,质量不足0.65g。用电化学阻抗谱(EIS)测量了电池装配压缩比与内阻的关系,结果表明:在常温常压下,当压缩比!2%时,随压缩比增加,电池内阻减小,功率性能提高显著;当压缩比为2%时,电池功率性能最好,其峰值比功率约为83mW/cm2;而当压缩比"2%时,这种变化不显著。

关键词：微型质子交换膜燃料电池(μPEMFC) 微机电系统(MEMS) 单晶硅片压缩比

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高量程MEMS加速度计封装工艺研究

引用

传感器技术 2005年第2期24卷 83-85页

作者：蒋玉齐程迎军许薇张鲲李昕欣罗乐中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

对一种先进的双悬臂梁高量程MEMS加速度计的单芯片封装工艺进行了失效机理分析。手工粘贴芯片盖板可靠性不高,加速度计失效是由于胶粘剂(粘贴胶或灌封胶 )从芯片盖板和芯片的间隙流淌进入悬臂梁的过载保护间隙,阻碍了悬臂梁的摆动。高... 详细信息

对一种先进的双悬臂梁高量程MEMS加速度计的单芯片封装工艺进行了失效机理分析。手工粘贴芯片盖板可靠性不高,加速度计失效是由于胶粘剂(粘贴胶或灌封胶 )从芯片盖板和芯片的间隙流淌进入悬臂梁的过载保护间隙,阻碍了悬臂梁的摆动。高量程加速度计采用单芯片封装方法时,存在芯片正面和背面保护的可靠性问题,更好的封装方法是采用圆片级封装。黑胶不适宜用作加速度计的贴片胶,至少使用聚酰亚胺膜作背面保护时如此。

关键词：高量程MEMS加速度计胶粘工艺圆片级封装

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

硅KOH腐蚀<100>晶向凸角补偿技术及应用

引用

传感器技术 2005年第7期24卷 22-24页

作者：王浙辉李昕欣王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

在(100)硅上制作边沿晶向的长方形掩模,用KOH各向异性腐蚀液腐蚀可制得竖直微镜,这种微镜存在凸角削角问题。研究了边沿晶向掩模的凸角补偿技术,提出了2种凸角补偿图形,并应用于竖直微镜制作。实验表明“工”形补偿可获得方正的反射面;... 详细信息

在(100)硅上制作边沿<100>晶向的长方形掩模,用KOH各向异性腐蚀液腐蚀可制得竖直微镜,这种微镜存在凸角削角问题。研究了边沿<100>晶向掩模的凸角补偿技术,提出了2种凸角补偿图形,并应用于竖直微镜制作。实验表明“工”形补偿可获得方正的反射面;“Y”形补偿的微镜,反射面呈底角为75.96°的梯形。经补偿后的微镜,可提高光开关切换光束效率。讨论了(100)硅的<100>晶向掩模凸角补偿技术应用于微机械加速度计质量块制作的可能性。

关键词：各向异性腐蚀削角补偿微镜微机械加工

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：