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  • 1,897 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术实验室"
1897 条 记 录,以下是1721-1730 订阅
排序:
InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计
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半导体光电 2004年 第5期25卷 376-379页
作者: 唐田 张永刚 郑燕兰 李爱珍 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
 采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果... 详细信息
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偏置电压极性对力反馈电容式微加速度计特性的影响分析
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技术通讯 2004年 第12期14卷 67-72页
作者: 董林玺 车录锋 王跃林 浙江大学信息学院信电系,杭州311027//中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海200050
对电容式加速度计,为测量其电容的变化,通常需要带直流偏置的交流电压信号来驱动。驱动信号产生的静电力有时会干扰器件的测量和正常工作。文章中定量分析了带有电压反馈的双边驱动信号对器件特性的影响。对于这种驱动方式,正-负和正... 详细信息
来源: 评论
低损耗SOI单模脊形光波导的制备
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中国激光 2004年 第S1期31卷 230-232页
作者: 林志浪 程新利 王永进 张峰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室 上海200050
表面散射损耗与菲涅耳反射损耗是SOI(Silicon-on-msulator)脊形光波导的主要损耗机理.通过降低光波导损耗的研究,在厚膜SOI材料上制备了长度为20 mm,插入损耗小于2.15 dB的单模脊形光波导.
来源: 评论
离子注入制备掺铒富硅氧化硅退火温度对光致发光的影响
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中国激光 2004年 第S1期31卷 459-461页
作者: 张昌盛 肖海波 林志浪 张峰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室 上海200050
研究了离子注入掺铒富硅氧化硅材料的光致发光和发光强度随退火温度的变化.在实验中发现,材料在1.54 μm处的发光波形与发光强度均与退火温度有关.在1100℃退火条件,材料形成较好的硅纳米晶,提高了Er的激发和发光效率.在T>100K时,Er... 详细信息
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力反馈微加速度计的准静态和阶跃响应模型
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机械工程学报 2004年 第10期40卷 102-108页
作者: 车录锋 徐志农 熊斌 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 浙江大学机械与能源工程学院 杭州310027
对于微机械电容式加速度计,为了检测微小电容变化,必须引入交直流电压驱动信号,然而该静电力的存在显著影响传感器的最大可靠工作范围。对准静态惯性信号和阶跃惯性信号,深入研究了力反馈加速度计的可靠工作范围,建立了不同偏压配置的... 详细信息
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SIMOX大截面单模脊型光波导的研制
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光电子.激光 2004年 第1期15卷 25-28页
作者: 林志浪 程新利 王永进 张峰 中国科学院上海微系统信息技术研究所离子束实验室 上海200050
以注入氧隔离(SIMOX)技术制备的SOI(silicon on insulator)为衬底,利用气相外延生长技术获得了质量良好的厚膜SOI材料,进而通过反应离子刻蚀方法在厚膜SOI材料上成功研制了SIMOX大截面单模脊型光波导。对于波长为1.55μm的光,其传输损... 详细信息
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锂离子蓄电池高容量含硅负极材料研究进展
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电源技术 2004年 第11期28卷 719-722页
作者: 文钟晟 王可 解晶莹 杨军 中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术实验室 上海200050
锂离子蓄电池用高容量负极材料普遍存在首次不可逆容量高、循环性能差等问题。综述了锂离子蓄电池高容量含硅负极材料发展现状,总结了这类含硅材料的制备工艺和含硅负极材料的种类,包括Si/M(M为金属元素)、SiOx(0<x<2)、Si/C等二... 详细信息
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硅基脊型波导器件过渡区损耗及偏振效应
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光学学报 2004年 第2期24卷 203-207页
作者: 唐衍哲 王跃林 吴亚明 浙江大学信息与电子工程学系 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室 上海200050
在绝缘层上的硅材料上制作了四种具有不同输入输出结构的星形耦合器并进行了测试 ,对脊形波导与平板波导相互过渡时过渡区的损耗问题进行了研究和讨论 ,计算得到在使用的材料参量下利用锥形结构可以得到1dB左右的最小损耗 ,这一损耗... 详细信息
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MEMS器件真空封装模型模拟
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传感器技术 2004年 第12期23卷 86-88页
作者: 程迎军 朱锐 许薇 罗乐 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室 上海200050
结合典型的MEMS器件真空封装工艺,应用真空物理的相关理论,建立了MEMS器件真空封装的数学物理模型,确定了其数值模拟算法。据此,对一封装示例进行了计算,获得了真空回流炉内干燥箱及密封腔体真空度的变化情况,实现了MEMS器件真空封装工... 详细信息
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GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究
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稀有金属 2004年 第3期28卷 569-571页
作者: 李爱珍 李华 李存才 胡建 唐雄心 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得... 详细信息
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