检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2004年第7期25卷 863-868页

作者：杨尊先李昕欣王跃林鲍海飞刘民陆德仁中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050

阐述了集成纳机电探针实现超高密度存储的工作原理 ,并对所设计的结构进行了力学理论计算和有限元模拟 .采用硅基微纳机械加工工艺 ,将压阻敏感器和电热纳米针尖一体集成到硅悬臂梁上 ,实现器件制作 .对加热电阻进行温度标定 ,得到了加... 详细信息

阐述了集成纳机电探针实现超高密度存储的工作原理 ,并对所设计的结构进行了力学理论计算和有限元模拟 .采用硅基微纳机械加工工艺 ,将压阻敏感器和电热纳米针尖一体集成到硅悬臂梁上 ,实现器件制作 .对加热电阻进行温度标定 ,得到了加热电阻与温度间二次关系曲线 .在此基础上对器件进行微秒级瞬态电热特性分析和测试 ,测试结果与理论计算结果和有限元模拟结果都有较好的吻合 .测试结果表明在 4 V脉冲电压下 ,加热时间为 3μs时 ,针尖温度达到 4 6 3.1 5 K,相应的加热电阻的降温时间常数为 6 .2 μs,数据写入速度达到近百 k Hz.悬臂梁上的压阻器件敏感度 (电阻相对变化 )在 2× 1 0 - 7N预力作用针尖处时 ,达到了 5 .4 1× 1 0 - 4,满足纳米数据坑读出灵敏度的要求 .

关键词：悬臂梁-针尖探针纳机电系统技术压阻敏感电热纳米针尖数据存储技术 PACC 0670M

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MEMS悬臂式开关的失效分析

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传感技术学报 2004年第3期17卷 492-496页

作者：徐欣郭方敏葛羽屏李成诗于绍欣朱荣锦赖宗声朱自强王跃林陆卫华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点开放实验室上海200050 中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室上海200083

介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法... 详细信息

介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法测试寿命。结果寿命接近 1 0 5,应用ANSYS对几种不同的MEMS射频接触悬臂开关模型进行了力电耦合分析和失效机理。

关键词：寿命悬臂接触式开关驱动电压失效 ANSYS

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一种高灵敏度硅微机械陀螺的设计与制造

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传感器技术 2004年第12期23卷 82-85页

作者：陈雪萌宋朝晖李欣昕王跃林张鲲焦继伟杨恒中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

设计与制造了一种高灵敏度的硅微机械陀螺。陀螺用静电来驱动,用连接成惠斯顿电桥的压阻式力敏电阻应变计来检测。主梁、微梁质量块结构实现了高灵敏度。比较硬的主梁提供了一定的机械强度,并且提供了高共振频率。微梁很细,检测时微梁... 详细信息

设计与制造了一种高灵敏度的硅微机械陀螺。陀螺用静电来驱动,用连接成惠斯顿电桥的压阻式力敏电阻应变计来检测。主梁、微梁质量块结构实现了高灵敏度。比较硬的主梁提供了一定的机械强度,并且提供了高共振频率。微梁很细,检测时微梁沿轴向直拉直压。力敏电阻应变计就扩散在微梁上,质量块很小的挠动就能在微梁上产生很大的应力,输出很大的信号。5V条件下,陀螺检测部分的理论灵敏度达到27.45mV/gn。压阻式四端器件用来监测驱动振幅,可以反馈补偿压阻的温度系数。检测模态的Q值达260使陀螺能在大气下工作。陀螺利用普通的n型硅片制造,为了刻蚀高深宽比的结构,使用了深反应离子刻蚀(DRIE)工艺。

关键词：陀螺压阻深反应离子刻蚀

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相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制

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华东师范大学学报（自然科学版） 2004年第1期 49-55页

作者：郭方敏朱守正魏华征郑莹朱荣锦忻佩胜朱自强赖宗声杨根庆陆卫华东师范大学信息科学技术学院上海 200062 中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室华东师范大学信息科学技术学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合开放实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海技术物理所

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布... 详细信息

MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372°/3.5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。

关键词： MEMS 毫米波相移器相位连续可调传输损耗插入损耗启动电压

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InGaAs PIN光电探测器的暗电流特性研究

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半导体光电 2004年第5期25卷 341-344,379页

作者：郝国强张永刚刘天东李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

　从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53... 详细信息

　从理论上分析了In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器在不同掺杂浓度及反向偏压下的暗电流特性,并与研制的器件的实测结果进行了比较和讨论。模拟结果表明:在低偏压下,器件中的产生复合电流起主要作用,偏压增大时,隧道电流起主要作用,且In0.53Ga0.47As光吸收层的载流子浓度对器件的暗电流有很大的影响,实测器件特性与模拟结果完全符合。文中还对器件结面积和电极尺寸等对暗电流的影响进行了比较和分析。

关键词：光电探测器暗电流 InGaAs 化合物半导体

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立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

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功能材料 2004年第Z1期35卷 386-389页

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系浙江杭州310027 浙江大学物理系浙江杭州310027 浙江大学物理系浙江杭州310027

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 详细信息

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-xO(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400～800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgxZn1-xO薄膜微结构光学特性

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基因芯片检测结核分枝杆菌利福平和异烟肼耐药性研究

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中华结核和呼吸杂志 2004年第7期27卷 439-441页

作者：崔振玲景奉香胡忠义吴自荣赵建龙上海市肺科医院结核基础实验室 200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所华东师范大学

目的　研究基因芯片在检测结核分枝杆菌利福平和异烟肼耐药性中的应用。方法根据与利福平和异烟肼耐药相关的 4条基因上的 11个位点的 30种单核苷酸多态性设计制作芯片 ,用芯片检测结核分枝杆菌的基因突变 ,从而判断其耐药性。结果　用... 详细信息

目的　研究基因芯片在检测结核分枝杆菌利福平和异烟肼耐药性中的应用。方法根据与利福平和异烟肼耐药相关的 4条基因上的 11个位点的 30种单核苷酸多态性设计制作芯片 ,用芯片检测结核分枝杆菌的基因突变 ,从而判断其耐药性。结果　用基因芯片在 110株异烟肼耐药株中检测出 85株 (73 3% ) ,在 30株异烟肼敏感株中检测出 2 2株 (73 3% ) ,在 94株利福平耐药株中检测出 77株 (81 9% ) ,在 4 6株利福平敏感株中检测出 4 0株 (87 0 % )。芯片检测结果与部分样本的测序结果完全相符。结论　用DNA芯片检测结核分枝杆菌对利福平和异烟肼的耐药性具有较高的特异性和敏感性 ,该法快速、精确 ,可以应用于结核分枝杆菌耐药性的检测。

关键词：基因芯片检测结核分枝杆菌利福平异烟肼耐药性

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SOI在高压器件中的应用

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功能材料 2004年第z1期35卷 983-987页

作者：王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.

关键词： SOI 高压器击穿电压

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具有复合埋层的新型SIMON材料的制备

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Journal of Semiconductors 2004年第7期25卷 814-818页

作者：易万兵陈猛张恩霞刘相华陈静董业民金波刘忠立王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 香港中文大学电子工程系中国科学院半导体研究所北京10008

采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧... 详细信息

采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较。

关键词： SIMON SOI 氮氧共注入 PACC 8100

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基于膜显色结果判读的基因芯片快速检测丙型肝炎基因型方法的研究

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中华肝脏病杂志 2004年第5期12卷 301-303页

作者：张翼冠毛红菊顾士民许宝建赵建龙董子明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室上海200050 郑州大学基础医学院上海传染病医院

目的研制一种新型基于膜显色的芯片,用于丙型肝炎病毒(HCV)及其基因分型的快速检测。方法根据HCV 5′端非编码区(5′NCR)设计特异型探针和引物,制作DNA芯片。实验组为60份HCVRNA阳性血清,对照组为20份健康人血清。获得目的片段后与芯... 详细信息

目的研制一种新型基于膜显色的芯片,用于丙型肝炎病毒(HCV)及其基因分型的快速检测。方法根据HCV 5′端非编码区(5′NCR)设计特异型探针和引物,制作DNA芯片。实验组为60份HCVRNA阳性血清,对照组为20份健康人血清。获得目的片段后与芯片杂交,通过尼龙膜上的显色信息判读基因型。同时以测序法进行双盲HCV基因分型对照检测。结果实验组HCV芯片检测结果均为阳性,对照组均为阴性。实验组基因分型检测结果与测序结果两者符合率为96.7％。结论用DNA芯片来检测HCV基因分型具有快速、高特异性和高灵敏度的特性,可以应用于HCV及其基因分型临床检测。

关键词：丙型肝炎病毒 HCV 基因型 DNA芯片 5’端非编码区 5’NCR 尼龙膜显色法干扰素

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