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第二十六届全国化学与物理电源学术年会

作者：王涛陈聪李巨峰张熙贵夏保佳李昕欣国家传感技术联合实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

本文采用MEMS制作工艺在半导体单晶Si上制作一种μPEMFC,该电池正负电极的活性面积均为1cm,采用Nafion112作隔膜,组装成的电池体积约为2ml(不包括氢源).电池工作时以氢气做燃料、以"自呼吸"方式直接从空气中获得氧气作氧化剂... 详细信息

本文采用MEMS制作工艺在半导体单晶Si上制作一种μPEMFC,该电池正负电极的活性面积均为1cm<'2>,采用Nafion112作隔膜,组装成的电池体积约为2ml(不包括氢源).电池工作时以氢气做燃料、以"自呼吸"方式直接从空气中获得氧气作氧化剂,极大地减小了燃料电池的体积.电池边缘四周用有机粘结剂粘结、密封.分别在正、负极上焊接金属引线,用Arbin FCTs(Arbin Instrument Inc.)燃料电池综合测试系统测试电池性能.

关键词：质子交换膜燃料电池微机电系统封装压缩量化学电源

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Ni添加对Ti<,0.47>V<,0.28>Mn<,0.15>Cr<,0.1>储氢合金电化学性能的影响

Ni添加对Ti<,0.47>V<,0.28>Mn<,0.15>Cr<,0.1>储氢合金电化学性能...

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第五届全国氢能学术会议

作者：冯尚龙吴铸余学斌黄太仲陈金舟徐乃欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术研究室(上海)

通过X射线衍射谱(XRD)、气态吸放氢行为(PCT曲线)、电化学充放电性能、电化学阻抗谱(EIS),本文考察了Ni添加对TiVMnCr储氢合金的电化学性能的影响.结果表明:TiVMnCr的电化学活性很差,在碱液中几乎不能放电,添加Ni之后得到了明显改善.随... 详细信息

通过X射线衍射谱(XRD)、气态吸放氢行为(PCT曲线)、电化学充放电性能、电化学阻抗谱(EIS),本文考察了Ni添加对Ti<,0.47>V<,0.28>Mn<,0.15>Cr<,0.1>储氢合金的电化学性能的影响.结果表明:Ti<,0.47>V<,0.28>Mn<,0.15>Cr<,0.1>的电化学活性很差,在碱液中几乎不能放电,添加Ni之后得到了明显改善.随着Ni含量的增加,Ti<,0.47>V<,0.28>Mn<,0.15>Cr<,0.1>Ni<,x>(x=0~0.25)合金电极的放电容量先增大后减小,在x=0.15时达到最大值310mAh/g.

关键词： Ti-V基储氢合金电极材料电化学性能

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聚合物锂离子电池不同循环状态的过充性能

聚合物锂离子电池不同循环状态的过充性能

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第二十六届全国化学与物理电源学术年会

作者：黄海江解晶莹王可中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术研究室(上海)

本文研究了额定容量720mAh聚合物锂离子电池循环性与过充性的关系.循环测试表明:随着循环的进行电池内阻增加,并在电池失效时达到最大值.过充电测试分别有如下结果:对1C,循环100次后的电池起火;而对3C,25次后出现起火.电池不安全行为主... 详细信息

本文研究了额定容量720mAh聚合物锂离子电池循环性与过充性的关系.循环测试表明:随着循环的进行电池内阻增加,并在电池失效时达到最大值.过充电测试分别有如下结果:对1C,循环100次后的电池起火;而对3C,25次后出现起火.电池不安全行为主要是由于正极随着循环进行晶格内部应力增大导致LiCoO<,2>的结构崩塌,使得焦耳热增加以及热产生速率大于热扩散速率,最终导致电池热失控.

关键词：聚合物锂离子电池循环测试过充电测试安全性

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高容量的Ti-V基金属氢化物电极材料

高容量的Ti-V基金属氢化物电极材料

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第五届全国氢能学术会议

作者：余学斌吴铸夏保佳徐乃欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术研究室(上海)

研究了单一BCC相Ti-30V-15Cr-15Mn合金的电化学性能.在353K和10mA g放电电流的条件下,该合金的最大放电容量为814mAh g,这远远高于文献中关于金属氢化物作为Ni-MH电池负极材料放电容量的报道值.尽管该电极合金有着较差的循环寿命,但其... 详细信息

研究了单一BCC相Ti-30V-15Cr-15Mn合金的电化学性能.在353K和10mA g<'-1>放电电流的条件下,该合金的最大放电容量为814mAh g<'-1>,这远远高于文献中关于金属氢化物作为Ni-MH电池负极材料放电容量的报道值.尽管该电极合金有着较差的循环寿命,但其为发展高容量的Ni-MH电池负极材料提供了新的方向.

关键词： Ni-MH电池负极材料 Ti-V基合金放电容量金属氢化物

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一种新型腔体式共面波导型微机械射频开关

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功能材料与器件学报 2004年第3期10卷 350-354页

作者：黄蓉焦继伟王跃林传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院研究生院北京100039

提出了一种新型的腔体式共面波导型微机械射频开关的结构,可动的金属/电介质的复合膜结构的共面波导既可作射频开关,同时也构成微波信号的传输路径。在普通电阻率(4-8Ω·cm)的硅片上,采用表面微机械加工技术制作出体积大小为:1000... 详细信息

提出了一种新型的腔体式共面波导型微机械射频开关的结构,可动的金属/电介质的复合膜结构的共面波导既可作射频开关,同时也构成微波信号的传输路径。在普通电阻率(4-8Ω·cm)的硅片上,采用表面微机械加工技术制作出体积大小为:1000μm×600μm×300μm的射频开关,驱动电压为35V,在射频信号频率为50MHz到10GHz的范围内,该开关的插入损耗低于2dB,隔离度高于40dB。

关键词：微电子机械系统射频开关共面波导微机械

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高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究

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功能材料与器件学报 2004年第3期10卷 323-326页

作者：邢玉梅俞跃辉林梓鑫宋朝瑞杨文伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室中国科学院研究生院北京100039

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透... 详细信息

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。

关键词：碳化硅埋层离子束合成结构退火结晶性能

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短波红外光电器件及其传感应用

短波红外光电器件及其传感应用

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第一届长三角地区传感技术学术交流会

作者：张永刚信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

1-3μm短波红外波段在传感应用方面具有两个最显著的光学特征:一方面它可与许多温度较高的物体的热辐射能量集中的波段相匹配,使其在红外对抗(热目标模拟、红外欺骗和阻塞干扰…)、成像(夜视、透雾和伪装、测距、目标识别、反侦测…)以... 详细信息

1-3μm短波红外波段在传感应用方面具有两个最显著的光学特征:一方面它可与许多温度较高的物体的热辐射能量集中的波段相匹配,使其在红外对抗(热目标模拟、红外欺骗和阻塞干扰…)、成像(夜视、透雾和伪装、测距、目标识别、反侦测…)以及红外热探测(精确制导、测温传感…)等方面具有广泛的应用;另一方面此波段的光可与物质间产生具有丰富特征的相互作用从而产生一系列特殊的吸收线、吸收带以及吸收窗口,这使得此波段在信息传输、多光谱辐射计量、多光谱成像、痕量气体探测(毒气检测、生化检测、环保检测等)和医疗(非介入诊断、微型手术、理疗…)等领域显得特别重要。本文将对短波红外波段在传感方面现实的和潜在的应用进行详细介绍,并结合我们在此波段光电器件方面开展的研究工作开展深入探讨,针对一些具体应用领域给出我们的思考与展望。

关键词：短波红外光电器件

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一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器

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功能材料与器件学报 2004年第3期10卷 355-358页

作者：韩晓峰吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室中国科学院研究生院北京100039

设计并制造了一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入效率。该VOA可实现20dB的光功率衰减量,所需要的最大功率为650mW,器件的片内插入损耗约为3.6dB。

关键词：可调谐光衰减器双脊型波导 SOI材料光网络无源光器件光波分复用系统

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太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究

太赫兹辐射在半导体异质结的吸收研究

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

通过考虑多光子过程和导带—价带间碰撞离化效应,研究了强THz场辐照下异质结的自由载流子吸收率.在计算中,我们考虑了电子—声学声子散射、电子—极化光学声子散射和分别来自远程杂质和本底杂质的弹性散射.计算结果表明,越强的或频率越... 详细信息

通过考虑多光子过程和导带—价带间碰撞离化效应,研究了强THz场辐照下异质结的自由载流子吸收率.在计算中,我们考虑了电子—声学声子散射、电子—极化光学声子散射和分别来自远程杂质和本底杂质的弹性散射.计算结果表明,越强的或频率越底的THz辐照对二维半导体输运的影响越大.计算的辐照频率为0.64THz的电磁辐射在InAs/AlSb异质结的吸收率与实验结果吻合很好.

关键词：太赫兹辐射异质结碰撞离化吸收率

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1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究

1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：吴惠桢黄占超劳燕锋中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海市)

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量... 详细信息

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构、发光和电学等物理特性进行了比较系统的研究,发现500℃,620℃的键合过程和后续的剥离工艺过程不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大大提高了量子阱的发光强度.

关键词： GaAs/AlGaAs 分布布拉格反射镜 InAsP/InGaAsP 多量子阱垂直腔面发射激光器物理特性

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