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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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1,478 篇 期刊文献
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主题

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22 篇 石墨烯
22 篇 squid
22 篇 ingaas
18 篇 量子阱探测器
18 篇 光电探测器
17 篇 微机械陀螺
17 篇 垂直腔面发射激光...
16 篇 微电子机械系统
16 篇 半导体激光器
16 篇 传感器
16 篇 卷积神经网络
15 篇 气态源分子束外延

机构

490 篇 中国科学院上海微...
374 篇 中国科学院上海微...
352 篇 中国科学院大学
146 篇 中国科学院上海微...
138 篇 中国科学院研究生...
122 篇 中国科学院上海微...
102 篇 中国科学院上海微...
87 篇 上海科技大学
73 篇 上海大学
48 篇 中国科学院上海微...
47 篇 浙江大学
45 篇 信息功能材料国家...
42 篇 中国科学院超导电...
39 篇 上海无线通信研究...
38 篇 中国科学院无线传...
33 篇 中国科学院上海微...
31 篇 中国科学院太赫兹...
30 篇 上海交通大学
27 篇 复旦大学
26 篇 中国科学院上海微...

作者

135 篇 王跃林
118 篇 曹俊诚
110 篇 宋志棠
95 篇 张永刚
80 篇 赵建龙
79 篇 李昕欣
71 篇 金庆辉
68 篇 谢晓明
66 篇 李爱珍
55 篇 龚谦
55 篇 顾溢
53 篇 熊斌
52 篇 尤立星
52 篇 王营冠
50 篇 吴惠桢
49 篇 谭智勇
46 篇 孔祥燕
46 篇 车录锋
45 篇 封松林
45 篇 吴亚明

语言

1,894 篇 中文

检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术实验室"

共 1894 条记录，以下是1781-1790 订阅

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排序：

Mg2+/F-掺杂Li-Mn-O基尖晶石的结构与电化学性能研究

Mg2+/F-掺杂Li-Mn-O基尖晶石的结构与电化学性能研究

引用

第十二届中国固态离子学学术会议

作者：关勇辉解晶莹赵新兵曹高劭中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术实验室浙江大学材料科学与工程系浙江大学材料科学与工程系

采用高温固相反应法制备了具有均一立方相的Mg2+和F-掺杂Li-Mn-O基尖晶石结构的锂离子电池正极材料,并采用XRD、SEM及电化学性能测试等手段对其进行了表征。结果显示,0.5C充放电倍率下,LiMn1.92Mg0.08O4首次放电容量约90mAh/g,较LiMn2O4... 详细信息

采用高温固相反应法制备了具有均一立方相的Mg2+和F-掺杂Li-Mn-O基尖晶石结构的锂离子电池正极材料,并采用XRD、SEM及电化学性能测试等手段对其进行了表征。结果显示,0.5C充放电倍率下,LiMn1.92Mg0.08O4首次放电容量约90mAh/g,较LiMn2O4的102mAh/g低,但循环性能显著提高:300次循环后,容量不发生可察觉衰减;LiMn2O3.96F0.04较LiMn2O4容量与循环寿命都有较大改善,首次放电容量为113mAh/g,经150次和300次循环后容量分别为90 mAh/g和80mAh/g。

关键词：锂离子电池锂锰氧尖晶石 Mg2+/F-掺杂电化学性能

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Mg<'2+>/F<'->掺杂Li-Mn-O基尖晶石的结构与电化学性能研究

Mg<'2+>/F<'->掺杂Li-Mn-O基尖晶石的结构与电化学性能研究

引用

第十二届中国固态离子学学术会议

作者：关勇辉解晶莹赵新兵曹高劭中国科学院上海微系统与信息技术研究所能源科学与技术实验室(上海) 浙江大学材料科学与工程系(杭州)

采用高温固相反应法制备了具有均一方相的Mg和F掺杂Li-Mn-O基尖晶石结构的锂离子电池正极材料,并采用XRD、SEM及电化学性能测试等手段对其进行了表征.结果显示,0.5C充放电倍率下,LiMnMgO首次放电容量约90mAh/g,较LiMnO的102mAh/g低,但... 详细信息

采用高温固相反应法制备了具有均一方相的Mg<'2+>和F<'->掺杂Li-Mn-O基尖晶石结构的锂离子电池正极材料,并采用XRD、SEM及电化学性能测试等手段对其进行了表征.结果显示,0.5C充放电倍率下,LiMn<,1.92>Mg<,0.08>O<,4>首次放电容量约90mAh/g,较LiMn<,2>O<,4>的102mAh/g低,但循环性能显著提高:300次循环后,容量不发生可察觉衰减;LiMn<,2>O<,3.96>F<,0.04>较LiMn<,2>O<,4>容量与循环寿命都有较大改善,首次放电容量为113mAh/g,经150次和300次循环后容量分别为90mAh/g和80mAh/g.

关键词：锂离子电池锂锰氧尖晶石 Mg/F掺杂电化学性能

来源：评论

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立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

立方相MgxZn1-xO纳米晶体薄膜的物理特性

引用

第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室浙江大学物理系

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-x... 详细信息

介绍了在si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgxZn1-xO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率.与已报道的六方相MgxZn1-x(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400-800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgxZn1-xO薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55%增至100%时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgxZn1-xO薄膜微结构光学特性

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SOI在高压器件中的应用

SOI在高压器件中的应用

引用

第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室

综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论。

关键词： SOI 高压器击穿电压

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InGaAs红外探测器低频噪声研究

InGaAs红外探测器低频噪声研究

引用

第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：黄杨程梁晋穗张永刚刘大福庄春泉李萍龚海梅传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统所

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一。本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2 ×10-5-7 ×10-5,噪声拐点较大。讨论了暗电流与器件低频噪声的关... 详细信息

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一。本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2 ×10-5-7 ×10-5,噪声拐点较大。讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声。

关键词：红外探测器低频噪声空间遥感

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采用MMI结构研制具有平顶谱特性的AWG

采用MMI结构研制具有平顶谱特性的AWG

引用

中国光学学会2004年学术大会

作者：贾科淼唐衍哲李柏阳杨建义江晓清吴亚明王跃林浙江大学信息科学与电子工程系中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

在AWG输入端设置多模干涉(MMI)耦合器,我们在SiO2光波导材料上设计并制作了具有平顶谱特性的1×8阵列波导光栅(AWG)。本文首先简要介绍了采用MMI结构展宽AWG滤波谱线的原理,给出了数值模拟结果。通过对所研制的器件进行测试,并与常... 详细信息

在AWG输入端设置多模干涉(MMI)耦合器,我们在SiO2光波导材料上设计并制作了具有平顶谱特性的1×8阵列波导光栅(AWG)。本文首先简要介绍了采用MMI结构展宽AWG滤波谱线的原理,给出了数值模拟结果。通过对所研制的器件进行测试,并与常规AWG比较,结果表明,器件的1dB带宽由0.22nm增为0.43nm,增加近100%,3dB带宽由0.39nm增为0.72nm,增加85%。而20dB带宽仅由1.04nm增为1.56nm,只增加了50%。同时,器件插损为5.72dB,串扰优于-30dB,PDL小于0.5dB。

关键词：波分复用阵列波导光栅带宽

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立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

引用

第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海) 浙江大学物理系(浙江杭州)

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgZnO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgZnO薄膜的... 详细信息

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜的折射率.与己报道的六方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400~800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55﹪增至100﹪时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgZnO薄膜微结构光学特性纳米晶体

来源：评论

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InGaAs红外探测器低频噪声研究

InGaAs红外探测器低频噪声研究

引用

第五届中国功能材料及其学术会议

作者：黄杨程梁晋穗张永刚刘大福庄春泉李萍龚海梅传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所(上海) 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统所(上海)

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数α=2×10~7×10,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了... 详细信息

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数α<,H>=2×10<'-5>~7×10<'-5>,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.

关键词：红外探测器低频噪声空间遥感

来源：评论

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基于接触式极化法的电光聚合物光调制器研究

基于接触式极化法的电光聚合物光调制器研究

引用

中国光学学会2004年学术大会

作者：杨建义江晓清李锡华周强王明华王跃林浙江大学信息与电子工程系中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室

本文对有机聚合物电光材料的接触式极化法,以及相应的光调制器件进行了研究。利用接触式极化法具有的极化区域选择性、极化方向性控制等特点,进行了光偏振调制器、MZ型光推挽强度调制器、高线性度Y分支定向耦合器型光强度调制器、光圆... 详细信息

本文对有机聚合物电光材料的接触式极化法,以及相应的光调制器件进行了研究。利用接触式极化法具有的极化区域选择性、极化方向性控制等特点,进行了光偏振调制器、MZ型光推挽强度调制器、高线性度Y分支定向耦合器型光强度调制器、光圆偏振调制器等的研制工作。

关键词：集成光学有机聚合物光波导电光效应电极化光调制器