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  • 22 篇 ingaas
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机构

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作者

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语言

  • 1,897 篇 中文
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1897 条 记 录,以下是1791-1800 订阅
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立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性
立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
作者: 吴惠桢 梁军 劳燕锋 陈乃波 徐天宁 邱东江 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海) 浙江大学物理系(浙江杭州)
介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgZnO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgZnO薄膜的... 详细信息
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基于接触式极化法的电光聚合物光调制器研究
基于接触式极化法的电光聚合物光调制器研究
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中国光学学会2004年学术大会
作者: 杨建义 江晓清 李锡华 周强 王明华 王跃林 浙江大学信息与电子工程系 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室
本文对有机聚合物电光材料的接触式极化法,以及相应的光调制器件进行了研究。利用接触式极化法具有的极化区域选择性、极化方向性控制等特点,进行了光偏振调制器、MZ型光推挽强度调制器、高线性度Y分支定向耦合器型光强度调制器、光圆... 详细信息
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基于SOI材料的集成波导微镜与器件研究
基于SOI材料的集成波导微镜与器件研究
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第五届全国光子学大会
作者: 杨建义 唐衍哲 王文辉 贾科淼 江晓清 李铁 吴亚明 王跃林 浙江大学信息与电子工程学系 杭州210027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 浙江大学信息与电子工程学系 杭州210027
利用硅刻蚀技术,包括干法刻蚀、湿法各向异性刻蚀、或是干湿相结合,可以制作出实现光波导弯曲的具有低插入损耗的集成微镜。而将集成波导微镜应用于集成光子器件,将可以获得具有紧凑结构的器件。文中探讨了集成微镜的制作,并将集成... 详细信息
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HBV DNA PreC/C和BCP片段基因多态性及临床意义
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南通医学院学报 2004年 第2期24卷 153-155页
作者: 施岚 孙承龙 王跃国 张冬雷 王惠民 吴月平 赵建龙 南通医学院附属医院肾病实验室 南通226001 江苏省南通市第三人民医院 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
目的 :分析乙肝患者 HBV DNA前 C/ C区和基本核心启动子区部分 DNA片断突变。方法 :PCR扩增HBV DNA nt1735~ 196 5片段 ,将产物进行 HBV DNA测序。结果 :在 6 8例乙肝患者中 ,突变阳性率 4 8.5 % ,点突变16 8个 ,频率前 10位的是 nt17... 详细信息
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用于光传感器的光波导等离子体表面波效应分析
用于光传感器的光波导等离子体表面波效应分析
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中国光学学会2004年学术大会
作者: 李广波 杨建义 江晓清 李锡华 王明华 王跃林 浙江大学信息与电子工程学系 杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050
本文针对基于光波导的金属等离子体表面波传感器的特征需要,分析了金属层与缓冲层的参数对灵敏度的影响,由此可以优化基于光波导的SPW 传感器的结构参数。分析表明,缓冲层的厚度值的选取对器件灵敏度有着大的影响。
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阵列波导光栅的研制及其发展
阵列波导光栅的研制及其发展
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第五届全国光子学大会
作者: 杨建义 江晓清 贾科淼 唐衍哲 王跃林 王明华 浙江大学信息与电子工程学系 杭州210027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 浙江大学信息与电子工程学系 杭州210027
本文首先报道研制的具有传统结构的AWG,包括具有Gauss通带的AWG与采用多模干涉耦合器进行通带平坦化的AWG。利用硅刻蚀技术制作集成光波导微镜,构成波导阵列,提出并研制了具有集成微镜的AWG,这种AWG可以具有紧凑的结构与灵活的设... 详细信息
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DNA芯片快速检测急症感染细菌
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中华急诊医学杂志 2004年 第12期13卷 859-859页
作者: 曹慧敏 刘勇 赵建龙 曹同瓦 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点联合实验室上海200050 复旦大学华山医院重症监护室
细菌性感染对重症监护中心(ICU)的患者常造成较高的死亡率和致残率.早期诊断和治疗具有重要意义,本研究利用DNA芯片技术,研制出可用于常见细菌感染的DNA检测芯片,能够一次性检测出标本中的多种细菌感染,它具有检测时间短(4~6 h)、灵敏... 详细信息
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N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
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技术 2003年 第3期26卷 212-216页
作者: 林青 刘相华 朱鸣 谢欣云 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室 上海200050
将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与... 详细信息
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SOI材料和器件及其应用的新进展
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技术 2003年 第9期26卷 658-663页
作者: 林成鲁 张正选 刘卫丽 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料的新结构包括不同绝缘埋层和不同半导体材料结构的最新进展,介绍了SOI器的新结构和SOI器件在抗辐射电子学方面的应用,报道了国内在SOI技术的研发和产业化的最新动态。
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一种栅型结构微机械陀螺的研究
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中国机械工程 2003年 第3期14卷 184-186页
作者: 熊斌 车录锋 王跃林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室
介绍了一种新型结构微机械陀螺的设计及制作。新型陀螺的驱动振动和敏感检测振动的阻尼均为滑膜阻尼 ,且几乎相同 ,惯性质量块为栅型结构 ,由弹性悬臂梁支撑 ;驱动固定电极和敏感检测固定电极位于惯性质量块下方。分析了新型陀螺的工作... 详细信息
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