检索结果-内蒙古大学图书馆

电子与信息学报 2003年第2期25卷 279-283页

作者：车录锋熊斌黄小振王跃林中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050

根据微机械陀螺的动力学方程建立其振动特性的等效电路模型,该模型用电路模拟工具PSPICE实现。利用这个电路模型,可以分析陀螺的振动特性,包括检测振动的瞬态响应和稳态响应,检测振动对输入角速度的频率响应特性,从而可以获得陀螺工作... 详细信息

根据微机械陀螺的动力学方程建立其振动特性的等效电路模型,该模型用电路模拟工具PSPICE实现。利用这个电路模型,可以分析陀螺的振动特性,包括检测振动的瞬态响应和稳态响应,检测振动对输入角速度的频率响应特性,从而可以获得陀螺工作的优化条件;并为传感器与接口电路的整体模拟打下基础。

关键词：微机械陀螺振动特性等铲电路模型模拟

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多传感器目标识别的判决域与可靠性分析

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微电子学与计算机 2003年第8期20卷 171-173页

作者：王平中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

文章利用概率方法对多传感器目标识别系统进行了分析,提出了利用判决域与决定率进行目标识别的一种方法,利用判决域方法对确定事件发生与否进行决策可以减少传感器系统的误响应,同时保证传感器系统进行目标识别时的可靠性。

关键词：多传感器系统目标识别判决域可靠性分析概率

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压阻式高量程微加速度计的冲击校准

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传感器技术 2003年第11期22卷 78-80页

作者：郇勇张泰华杨业敏王钻开陆德仁中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室北京100080 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家实验室上海200050

采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情... 详细信息

采用体硅微机械加工技术和扩散技术,制作压阻式高量程微加速度计,设计量程为50000gn。芯片材料为单晶硅,采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度,使用Hopkinson杆在约40000gn的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下,被测微加速度计的灵敏度为1.26μV/gn。

关键词：微电子机械系统微加速度计 Hopkinmn杆校准扩散技术芯片结构

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压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜

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Journal of Semiconductors 2003年第6期24卷 631-636页

作者：郭方敏朱自强赖宗声朱守正朱荣锦忻佩胜范忠贾铭程知群杨根庆华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点开放实验室上海200050

介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1... 详细信息

介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为 2 0 V时 ,相移量可达到 3 70°/3 .5 mm以上 ( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量 ,其传输损耗为 5 5～ 90°/ d B。

关键词： RF MEMS开关移相器下拉电压铝硅合金

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Investigation of Thermal Property of Novel DSOI MOSFETs Fabricated with Local SIMOX Technique

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 117-121页

作者：林羲何平田立林李志坚董业民陈猛王曦清华大学微电子学研究所北京100084 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

DSOI,bulk Si and SOI MOSFETs are fabricated on the same die successfully using local oxygen implantation *** thermal properties of the three kinds of devices are described and compared from simulation and *** simulation and measurement prove that DSOI MOSFETs have the advantage of much lower thermal resistance of substrate and suffer less severe self heating effect than their SOI counterparts. At the same time,the electrical advantages of SOI devices can *** thermal resistance of DSOI devices is very close to that of bulk devices and DSOI devices can keep this advantage into deep sub micron realm.

关键词： DSOI SOI local SIMOX self heating effect thermal resistance

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SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量

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Journal of Semiconductors 2003年第10期24卷 1063-1066页

作者：何平刘理天田立林李志坚董业明陈猛王曦清华大学微电子学研究所北京100084 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法 ,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率 .测量结果显示至少在 5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率... 详细信息

提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法 ,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率 .测量结果显示至少在 5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率定义仍然成立 ,且为一明显小于普通二氧化硅的热导率 (1 4W/mK)的常数1 0 6W/mK .测量中发现硅 /二氧化硅边界存在边界热阻 ,并测量了该数值 .结果表明 ,边界热阻在SOI器件尤其是薄二氧化硅背栅的双栅器件热阻的计算中不可忽略 .

关键词： SOI SIMOX 热导率边界热阻

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三色碳纳米管场发射灯的研制

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Journal of Semiconductors 2003年第B5期24卷 161-165页

作者：冯涛李琼张继华于伟东柳襄怀王曦徐静芳邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室，上海200050 华东师范大学电子科学与技术系，上海200062

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术。采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能，处理后阴极的阈值场强从4V／μm降到～1V／μm，场发射电流密度在4... 详细信息

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术。采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能，处理后阴极的阈值场强从4V／μm降到～1V／μm，场发射电流密度在4．5V／μm时达到了2．53mA／μm^2，发射点密度从～10^3／cm^3增加到～10^5／cm^2。在此基础上，成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件。

关键词：碳纳米管场发射丝网印刷法氢等离子体表面处理

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悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

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Journal of Semiconductors 2003年第11期24卷 1190-1195页

作者：郭方敏赖宗声朱自强贾铭初建朋范忠朱荣锦戈肖鸿杨根庆陆卫华东师范大学信息科学和技术学院上海200062 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz... 详细信息

介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz) ;阈值电压为 13V ;开关处于“开通”态 ,插入损耗为 4～ 7d B(1～ 10 GHz) ,反射损耗为 - 15 d B.另外 ,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系 ,并应用 ANSYS软件对开关进行了电学。

关键词：悬臂梁插入损耗隔离度 ANSYS软件阈值电压

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SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究

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中国科学（E辑） 2003年第1期33卷 47-55页

作者：张苗吴雁军刘卫丽安正华林成鲁朱剑豪中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 香港城市大学物理与材料科学系

采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂... 详细信息

采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂量Cu杂质(5×1013,5×1014,5×1015cm-2)的吸除.剖面透射电子显微镜(XTEM)与二次离子质谱(SIMS)分析表明,700℃以上,Cu杂质可以穿过SIMOX和Smart—Cut材料不同的氧化埋层到达硅衬底,并被纳米孔吸附.SIMOX氧化埋层界面的本征缺陷对Cu杂质具有一定的吸附作用,但吸杂效果远远低于纳米孔吸杂,且高温下会将杂质释放出来.Smart—cut SOI的氧化埋层界面完整,不具备吸杂作用.1000℃退火后,纳米孔可吸附高达3.5×1015cm-2以上的Cu杂质,纳米孔吸杂效率随Cu注入剂量的降低而升高.当顶层硅中Cu剂量低于5×1014 cm-2时,纳米孔吸杂效率达到90%以上,并将顶层硅中Cu杂质浓度降低到原来的4％以下.纳米孔吸杂是一条解决SOI杂质去除难题的有效途径.

关键词： SOI材料吸杂离子注入纳米孔铜金属杂质化学键吸附纳米技术

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AlN薄膜室温直接键合技术

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 216-220页

作者：门传玲徐政安正华吴雁军林成鲁同济大学材料学院微电子所上海200092 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,... 详细信息

采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,形成了以 Al N薄膜为埋层的 SOI结构 ,即 Al N上的硅结构 (SOAN) .用扩展电阻、卢瑟福背散射 -沟道、剖面透射电镜等技术分析了所形成的 SOAN结构 .

关键词：直接键合 A1N薄膜智能剥离绝缘层上硅离子束增强沉积

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