检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2003年第2期9卷 147-149页

作者：谢欣云万青林青沈勤我林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～3... 详细信息

应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的电子场发射性能。实验结果表明用这种方法形成了高度为10～35nm的锥状纳米结构,并且这些纳米硅锥阵列的场发射性能良好。比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅衬底上更适合生长这种纳米硅锥。

关键词：纳米硅锥场发射性能电子束蒸发制备原子力显微镜多孔硅

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发射极δ掺杂的InGaAs/InP DHBT的特性分析

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功能材料与器件学报 2003年第4期9卷 443-447页

作者：陈雷东曹俊诚齐鸣徐安怀李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N^+掺杂复合结结构。考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N^+、n^-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT... 详细信息

设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N^+掺杂复合结结构。考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N^+、n^-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善。当δ掺杂浓度大于2×10^(12)cm^(-3)时,电流增益趋于饱和。

关键词： InGaAs/InPDHBT δ掺杂层阻挡层复合集电极 I-V输出特性双异质结晶体管

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离子注入法制备掺Er-Al<,2>O<,3>薄膜的研究

离子注入法制备掺Er-Al<,2>O<,3>薄膜的研究

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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

作者：肖海波张昌盛林志浪陈志君张峰邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室(上海)

通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO上沉积AlO薄膜,在能量120keV剂量5×10cm下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,发现700℃退火样品强度特别低.光透射谱表明几乎所有的测试范围内尤其在1.53um处700℃... 详细信息

通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO<,2>上沉积Al<,2>O<,3>薄膜,在能量120keV剂量5×10<'15>cm<'-2>下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,发现700℃退火样品强度特别低.光透射谱表明几乎所有的测试范围内尤其在1.53um处700℃退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1.53um波长处透射强度随退火温度的变化跟PL谱中发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al<,2>O<,3>的光吸收损耗有一定关系.

关键词： EDWA 光致发光泵谱吸收界面离子注入法 Er-AlO薄膜

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隧道结在多结太阳电池中的应用

隧道结在多结太阳电池中的应用

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2003年中国太阳能学会学术年会

作者：朱诚张永刚李爱珍中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

目前多结太阳电池器件广泛采用隧道结连接各分电池,隧道结的电学和光学特性对太阳电池性能的影响相当重要。本文主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结Ⅰ-... 详细信息

目前多结太阳电池器件广泛采用隧道结连接各分电池,隧道结的电学和光学特性对太阳电池性能的影响相当重要。本文主要应用高掺杂的p-n结理论进行隧道结的计算研究工作,针对GaInP/GaAs双结电池的结构,选择不同的宽禁带材料研究隧道结Ⅰ-Ⅴ特性,并且对其进行必要的优化工作,以增大隧穿电流。研究对于GaAs材料,不同的掺杂浓度对于其Ⅰ-Ⅴ特性的影响,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。

关键词：隧道结随穿电流串接太阳电池 I-V特性

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传感技术国家联合重点实验室十六年工作启示

传感技术国家联合重点实验室十六年工作启示

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第八届敏感元件与传感器学术会议

作者：王跃林王渭源李昕欣焦继伟陆德仁熊斌罗乐吴亚明李铁杨建义传感技术国家联合重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所(中国上海)

近年来,国际上微电子技术的飞速发展极大地促进了传感器的研究.本文回顾了传感技术国家联合重点实验室传感器研究的起步,在微机电系统以及微光机电系统领域的涉足和发展.对十六年来的工作进行了总结和分析,希望可以得到一些有价值的启示... 详细信息

近年来,国际上微电子技术的飞速发展极大地促进了传感器的研究.本文回顾了传感技术国家联合重点实验室传感器研究的起步,在微机电系统以及微光机电系统领域的涉足和发展.对十六年来的工作进行了总结和分析,希望可以得到一些有价值的启示,以期对我国传感技术及MEMS的发展能提供一定的借鉴作用.

关键词：微机电系统微光机电系统传感器

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感应耦合等离子体(ICP)刻蚀加工工艺生长钝化膜表面的纳米摩擦研究

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀加工工艺生长钝化膜表面的纳米摩擦研究

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第八届敏感元件与传感器学术会议

作者：鲍海飞熊斌戈肖鸿王渭源王跃林传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

在MEMS加工工艺中,利用ICP技术,交替采用钝化和腐蚀的方法进行微结构的加工和制备已经成为一种行之有效的手段,其中对钝化膜摩擦特性的研究尚不多见.在本文,采用三种不同的贴片方式,在硅基底上制备了厚度为200nm和500nm的钝化膜.利用原... 详细信息

在MEMS加工工艺中,利用ICP技术,交替采用钝化和腐蚀的方法进行微结构的加工和制备已经成为一种行之有效的手段,其中对钝化膜摩擦特性的研究尚不多见.在本文,采用三种不同的贴片方式,在硅基底上制备了厚度为200nm和500nm的钝化膜.利用原子力显微镜考察了样品的表面形貌、黏附力和摩擦行为.在给定的扫描尺寸范围内,样品的粗糙度在纳米量级.在小于25纳牛载荷下,测试了钝化膜的摩擦特性.同硅相比,在相同的载荷下,钝化膜的表面摩擦力均比硅的小,钝化膜的表面摩擦与表面形貌和粗糙度以及贴片方式有关.

关键词：纳米摩擦钝化膜深反应离子刻蚀

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一种新颖的光调制热成像器件设计

一种新颖的光调制热成像器件设计

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第八届敏感元件与传感器学术会议

作者：冯飞熊斌焦继伟王跃林传感技术国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所(中国上海)

基于硅基微机械(MEMS)技术,本文提出了一种新颖的光调制热成像器件,其图像获取过程是红外信号→位移→可见光信号,而不是传统的红外图像→电图像→可见光图像.该器件实质上是由滤光片、半透镜和可动微镜阵列组成的法布里—泊罗干涉仪(F... 详细信息

基于硅基微机械(MEMS)技术,本文提出了一种新颖的光调制热成像器件,其图像获取过程是红外信号→位移→可见光信号,而不是传统的红外图像→电图像→可见光图像.该器件实质上是由滤光片、半透镜和可动微镜阵列组成的法布里—泊罗干涉仪(F—P腔),可动微镜的反射面和半透镜的反射面构成F—P腔的两上反射面.通过理论计算和ANSYS模拟,对器件结构进行了优化设计,器件的关键性能指标—热灵敏度可达10<'-8>m/K.

关键词：光调制热成像微机械热灵敏度红外成像

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静电驱动光开关结构和位移的在线测量

静电驱动光开关结构和位移的在线测量

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第八届敏感元件与传感器学术会议

作者：王浙辉王跃林传感技术国家重点联合实验室中国科学院微系统与信息技术研究所

本文报道了利用测量显微镜和WYKO搭建的微机械测试台.利用该测试台测得了静电驱动的光开关竖直方向位移.实验表明,利用静电力作为微吸引力,可测得复杂的悬空结构尺寸.测量数据能和扫描电镜测量数据符合.本方法具有测量速度快的特点,适... 详细信息

本文报道了利用测量显微镜和WYKO搭建的微机械测试台.利用该测试台测得了静电驱动的光开关竖直方向位移.实验表明,利用静电力作为微吸引力,可测得复杂的悬空结构尺寸.测量数据能和扫描电镜测量数据符合.本方法具有测量速度快的特点,适合静电驱动悬空结构的微机械器件在线检测.环境的震动和电极间微细颗粒是影响测量精度的主要因素.

关键词：竖直方向位移测量光开关

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多孔硅的干燥方法

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Journal of Semiconductors 2003年第6期24卷 663-667页

作者：虞献文朱荣锦朱自强应桃开李爱珍浙江师范大学数理学院金华321004 华东师范大学信息科学技术学院上海200062 浙江师范大学生命环境科学学院金华321004 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术 ,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品 .在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺 ,因此。

关键词：多孔硅阴极还原表面处理技术

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SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备

SiGe-On-Insulator新结构的SIMOX制备

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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

作者：安正华刘卫丽张苗林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)方法在Si衬底上外延高质量的单晶SiGe层,然后向样品中注入60keV、3×10cm的氧离子,从而在异质结附近... 详细信息

SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)方法在Si衬底上外延高质量的单晶Si<,0.86>Ge<,0.14>层,然后向样品中注入60keV、3×10<'17>cm<'-2>的氧离子,从而在异质结附近形成富氧层,最后经高温退火工艺得到所需的SiGeOI结构.

关键词： SIMOX制备化学气相淀积 Si衬底退火工艺 SiGeOI结构

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