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作者

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语言

  • 1,897 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术实验室"
1897 条 记 录,以下是1871-1880 订阅
排序:
离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究
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电子学报 2002年 第5期30卷 661-663页
作者: 柳襄怀 任琮欣 江炳尧 朱宏 刘炎源 刘静贤 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室 上海200050 中国科学院电子学研究所 北京100080
本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表... 详细信息
来源: 评论
基于绝缘体上的硅材料的全内反射型阵列波导光栅器件的设计
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光学学报 2002年 第9期22卷 1100-1103页
作者: 李柏阳 江晓清 唐衍哲 杨建义 王明华 李铁 吴亚明 王跃林 浙江大学信息与电子工程学系 杭州3100272 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点联合实验室 上海200050
设计了一种基于绝缘体上的硅材料的全内反射型阵列波导光栅解复用器件。将一全内反射波导镜引入原弯曲的波导列阵中 ,该波导镜具有偏振补偿的功能和缩小器件尺寸的特点。在器件数值模拟的基础上 ,制作了原理性器件 。
来源: 评论
一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展
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物理 2002年 第4期31卷 219-223页
作者: 安正华 张苗 门传玲 谢欣云 沈勤我 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiG... 详细信息
来源: 评论
SOI新结构——SOI研究的新方向
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物理 2002年 第4期31卷 214-218页
作者: 谢欣云 林青 门传玲 安正华 张苗 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
SOI(silicon on insulator :绝缘体上单晶硅薄膜 )技术已取得了突破性的进展 ,但一般SOI结构是以SiO2 作为绝缘埋层 ,以硅作为顶层的半导体材料 ,这样导致了一些不利的影响 ,限制了其应用范围 .为解决这些问题和满足一些特殊器件 电路... 详细信息
来源: 评论
涂布法制备碳纳米管场发射阴极及其性能的研究
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发光学报 2002年 第4期23卷 406-408页
作者: 冯涛 柳襄怀 王曦 李琼 徐静芳 诸玉坤 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室 上海200050 华东师范大学电子科学与技术系 上海200062
碳纳米管(CNT)作为场发射阴极(FEC)具有很好的性能。报导了利用粉末状碳纳米管制作CNT-FEC的方法,包括涂布方法、纯化方法和表面处理方法。主要关心的FEC性能为电子发射均匀性、电流密度和寿命。
来源: 评论
一种新型微机械陀螺的研究
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技术通讯 2002年 第9期12卷 38-41页
作者: 熊斌 黄小振 王跃林 王渭源 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 上海200050
设计了一种检测模态和驱动模态具有相近品种因子的微机械陀螺。这种我们称之为栅型结构的陀螺由悬空弹簧将具有栅条的检测质量块与衬底相联。计算结果表明 ,这种器件在大气压条件下其驱动模态和检测模态的品质因子几乎同为 14 0。同时 ... 详细信息
来源: 评论
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究
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功能材料与器件学报 2002年 第2期8卷 187-190页
作者: 周健 夏冠群 刘文超 李冰寒 王嘉宽 郝幼申 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 固态元器件实验室上海200050
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600~6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱致。为0.18μm以... 详细信息
来源: 评论
A Generalized Reynolds' Equation For Squeeze-Film Air Damping in MEMS
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Journal of Semiconductors 2002年 第12期23卷 1245-1248页
作者: 鲍敏杭 孙远程 杨恒 王跃林 复旦大学微电子学系专用电路国家重点实验室 上海200433 中国科学院上海微系统和信息技术研究所传感器国家重点实验室 上海200050
A differential equation that is generally effective for squeeze film air damping of perforated plate and non perforated plate as well as in MEMS devices is *** perforated plate,the thickness and the dimensions of th... 详细信息
来源: 评论
倒装焊电子封装底充胶分层研究
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功能材料与器件学报 2002年 第2期8卷 144-148页
作者: 徐步陆 张群 彩霞 黄卫东 谢晓明 程兆年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中德电子封装实验室 上海200050
使用裂缝尖端附近小矩形路径J积分方法计算电子封装分层传播的能量释放率,并在热循环加载下使用高频超声显微镜技术测定了B型和D型两种倒装焊封装在焊点有无断裂时芯片/底充胶界面的分层裂缝扩展速率。由有限元模拟给出的能量释放率和... 详细信息
来源: 评论
低能低剂量注水形成SOI结构材料的研究
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功能材料与器件学报 2002年 第2期8卷 99-102页
作者: 陈静 王湘 董业民 郑志宏 陈猛 王曦 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 离子束开放实验室上海200050
采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料。测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡峭、平整,表层硅单晶质量好的SOI结构材料。在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI结构形成的影响,... 详细信息
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