检索结果-内蒙古大学图书馆

第十四届中国包头·稀土产业论坛、中国稀土学会2022学术年会

作者：吴秉骏张硕夏经铠刘志谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所大科学中心上海科技大学上海科技大学物质科学与技术学院中国科学院超导电子学卓越创新中心

X射线荧光（XRF,X-ray Fluorescence）谱学分析是一种有效的元素鉴别手段,2-20 keV的硬X射线能段XRF可以有效覆盖3d过渡金属的K边及5d过渡元素的L边的荧光光谱分析需求。针对稀土元素的L边XRF分析需求,以基于硅漂移探测器（SDD,Silicon ... 详细信息

X射线荧光（XRF,X-ray Fluorescence）谱学分析是一种有效的元素鉴别手段,2-20 keV的硬X射线能段XRF可以有效覆盖3d过渡金属的K边及5d过渡元素的L边的荧光光谱分析需求。针对稀土元素的L边XRF分析需求,以基于硅漂移探测器（SDD,Silicon Drift Detector）的传统能谱仪（EDS）作为分析手段时,通常会由于各谱线展宽导致相互重叠,以及受到轫致辐射背景谱的影响,导致其能量分辨率无法满足准确确定各谱峰归属及其比例的需求。基于超导转变边探测器（TES,Transition-Edge Sensor）的低温X射线能谱仪可以在10 keV能量附近实现优于10 eV的分辨率,可以有效提高稀土元素鉴别的灵敏度,也为超宽能谱范围的多种稀土元素的实验室级别扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）谱学分析创造了条件。TES探测器对从软X射线（～1.5 keV）至硬X射线（～18 keV）范围的入射X射线光子,均有较好的线性信号响应,因此可以通过能量标定手段将其精确转换到能量刻度。经过一定时间的荧光信号数据积累,可以得到特定样品的XRF光谱,从而对此进行分峰拟合,可精确测得不同峰的中心值、峰形状乃至面积比例。通过稀土氧化物的XRF光谱分析的实测数据,能够获取稀土元素各种类归属的相对比例等信息,可以建立起更为精确的各稀土元素的XRF光谱数据库,从而可以为进一步的稀土资源开发、环境保护与分析测试等应用提供一定参考。

关键词： X射线荧光光谱超导转变边探测器稀土氧化物

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基于微机械加工工艺的声子晶体器件

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人工晶体学报 2019年第8期48卷 1418-1423页

作者：郑忱煜徐德辉熊斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

声子晶体是一种周期复合人工超材料。声子晶体具有独有的声学特性-声学禁带,使其在声波控制和传输领域具有极强的应用潜力。利用微机械加工工艺制备的硅基声子晶体器件,可在微机电系统中实现高频弹性波的定向传输和控制,以及对弹性波能... 详细信息

声子晶体是一种周期复合人工超材料。声子晶体具有独有的声学特性-声学禁带,使其在声波控制和传输领域具有极强的应用潜力。利用微机械加工工艺制备的硅基声子晶体器件,可在微机电系统中实现高频弹性波的定向传输和控制,以及对弹性波能量的局域放大。设计了两种基于MEMS工艺的器件,分别用于实现功分器和谐振器的功能。内容覆盖了硅基声子晶体器件的背景、原理、设计、制造和表征等方面。

关键词：声子晶体微机电系统禁带

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基于卷积神经网络的车牌定位算法

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激光与光电子学进展 2020年第2期57卷 122-128页

作者：姜策胡岸明何为中国科学院上海微系统与信息技术研究所无线传感网络重点实验室上海201800 上海科技大学信息科学与技术学院上海200120 中国科学院大学北京100864

针对当前车牌识别系统在存在复杂环境以及车牌倾斜的情况下无法精确定位的问题,提出一种基于卷积神经网络的端到端车牌精确定位算法,从而精确计算车牌的坐标。通过Faster R-CNN对输入车辆图片中的信息进行处理,提取候选区域的特征映射,... 详细信息

针对当前车牌识别系统在存在复杂环境以及车牌倾斜的情况下无法精确定位的问题,提出一种基于卷积神经网络的端到端车牌精确定位算法,从而精确计算车牌的坐标。通过Faster R-CNN对输入车辆图片中的信息进行处理,提取候选区域的特征映射,利用特征映射计算车牌的精确坐标。实验结果表明本文算法在OpenITS数据库的功能评测数据库中的平均识别准确率为99%,在性能评测数据库中的平均识别准确率为85%。

关键词：图像处理卷积神经网络 Faster R-CNN 车牌检测精确定位

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金刚石半球谐振微陀螺的结构设计与制备方法

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传感器与微系统 2021年第6期40卷 8-10页

作者：谷留涛张卫平刘朝阳张雷龚成向浩微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系上海200240 上海自主智能无人系统科学中心同济大学上海201210 中国电子科技集团公司第五十研究所上海200331 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

提出了一种新的金刚石半球微陀螺结构,应用Comsol有限元分析软件建立了该振动结构的有限元模型,分别进行了模态分析、谐响应分析仿真.模态分析仿真结果表明:该结构工作模态的频差为76 Hz,工作模态与寄生模态固有频率最小差值为37045 Hz... 详细信息

提出了一种新的金刚石半球微陀螺结构,应用Comsol有限元分析软件建立了该振动结构的有限元模型,分别进行了模态分析、谐响应分析仿真.模态分析仿真结果表明:该结构工作模态的频差为76 Hz,工作模态与寄生模态固有频率最小差值为37045 Hz;谐响应分析表明,在0°方向上陀螺工作模态的振动频率为26593 Hz,最大位移为0.021 μm,在45°方向上陀螺工作模态的振动频率为26669 Hz,最大位移为0.0064 μm.随后提出了一种自对准制造工艺,使用该工艺制造16个均匀分布在半球壳外部的集成金刚石电极的方法,可确保整个网周的电容间隙均匀.

关键词：半球微陀螺微机电系统(MEMS) 有限元分析工作模态金刚石

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数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进（英文）

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红外与毫米波学报 2019年第3期38卷 275-280页

作者：师艳辉杨楠楠马英杰顾溢陈星佑龚谦张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As... 详细信息

研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP 衬底上生长的In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As DGMB 结构的总周期数从19 增加到38,其上所生长的In0. 83 Ga0. 17 As /In0. 83Al0. 17As 光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善.对于在总周期数为38 的DGMB 上外延的In0. 83Ga0. 17As 光电二极管,观察到其应变弛豫度增加到99. 8%,表面粗糙度降低,光致发光强度和光响应度均增强,同时暗电流水平被显著抑制.这些结果表明,随着总周期数目的增加,DGMB 可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度.

关键词：数字递变异变缓冲 InGaAs 光电探测器

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介质金属膜波导在G波段和4.3THz的传输特性

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红外与毫米波学报 2019年第2期38卷 215-222页

作者：张学文谭智勇陈可旺李维轩赵泽巧俞舒元朱晓松曹俊诚石艺尉复旦大学信息科学与工程学院电磁波信息科学教育部重点实验室上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050

制作了具有不同介质膜厚度的大口径柔性介质金属膜波导,测试了金属膜波导和介质金属膜波导在G波段、4. 3 THz和中远红外等频段的传输特性.结果表明,波导的传输损耗在G波段随介质膜厚的增加而增加,孔径2. 6mm的金属膜波导在160 GHz传输... 详细信息

制作了具有不同介质膜厚度的大口径柔性介质金属膜波导,测试了金属膜波导和介质金属膜波导在G波段、4. 3 THz和中远红外等频段的传输特性.结果表明,波导的传输损耗在G波段随介质膜厚的增加而增加,孔径2. 6mm的金属膜波导在160 GHz传输损耗为2. 1 d B/m且在G波段波导的传输损耗对弯曲不敏感.在4. 3 THZ频点波导的传输损耗随介质膜厚的增加而减小,镀制介质膜可以大幅减小波导的传输损耗以及弯曲附加损耗,孔径3. 6mm介质膜厚为1. 2μm的介质金属膜波导的传输损耗为2. 84 d B/m.光斑能量则随介质膜厚的增加更加集中于低阶传输模式.

关键词：光纤光学介质金属膜波导 G波段太赫兹传输损耗

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基于电阻焦耳热调控3D纳米桥结的临界电流

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低温物理学报 2020年第3期42卷 136-140页

作者：吴丽丽汤演张登辉陈垒王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学

近些年来,超导三端子器件通过引入第三端可控变量可以实现单个约瑟夫森结两端临界电流的调控,受到广泛关注.本文介绍了一种微缩型的超导三端子器件结构,通过电阻电流产生的焦耳热来调节3D纳米桥结附近的局部温度,从而实现有效调节3D纳... 详细信息

近些年来,超导三端子器件通过引入第三端可控变量可以实现单个约瑟夫森结两端临界电流的调控,受到广泛关注.本文介绍了一种微缩型的超导三端子器件结构,通过电阻电流产生的焦耳热来调节3D纳米桥结附近的局部温度,从而实现有效调节3D纳米桥结的临界电流.本实验利用了两种氩(Ar)离子表面清洗条件制备获得了两种不同电阻特性的铝(Al)电阻条,并且测量表征了这两种电阻条的电流焦耳功率分别与单个和两个3D纳米桥结的临界电流之间的变化关系.我们实现了最低使用33μW的电阻功率,来达到单个3D纳米桥结的临界电流的50%范围内的调节,从而验证了本超导三端子器件结构的可实用性.

关键词：超导三端子器件 3D纳米桥结临界电流焦耳热

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低噪声超导量子干涉器件磁强计设计与制备

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物理学报 2019年第13期68卷 295-300页

作者：韩昊轩张国峰张雪梁恬恬应利良王永良彭炜王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049

超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)作为一种极灵敏的磁通传感器,在生物磁探测、低场核磁共振、地球物理等领域得到广泛应用.本文介绍了一种基于SQUID的高灵敏度磁强计,由SQUID和一组磁通变压器组成.... 详细信息

超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)作为一种极灵敏的磁通传感器,在生物磁探测、低场核磁共振、地球物理等领域得到广泛应用.本文介绍了一种基于SQUID的高灵敏度磁强计,由SQUID和一组磁通变压器组成.SQUID采用一阶梯度构型,增强其抗干扰性.磁通变压器由多匝螺旋的输入线圈和大尺寸单匝探测线圈组成,其中输入线圈与SQUID通过互感进行磁通耦合.利用自主工艺平台,在4英寸硅衬底上完成了基于Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森隧道结的SQUID磁强计制备.低温测试结果显示,该磁强计磁场灵敏度为0.36 nT/Ф0,白噪声段磁通噪声为8μФ0/√Hz,等效磁场噪声为2.88 fT/√Hz.

关键词：超导量子干涉器件磁强计磁通噪声

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一种通过约瑟夫森结非线性频率响应确定微波耗散的方法

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物理学报 2019年第11期68卷 263-268页

作者：陈恒杰薛航李邵雄王镇中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心上海200050 中国科学院大学北京100049

通过对电流偏置超导约瑟夫森结的微波驱动行为的研究,提出了一个确定约瑟夫森结微波耗散的方法.结的微波耗散由它的品质因子描述.微波耗散严重影响约瑟夫森器件如参量放大器、超导量子比特等的性能.对电流偏置的约瑟夫森结势阱采用四阶... 详细信息

通过对电流偏置超导约瑟夫森结的微波驱动行为的研究,提出了一个确定约瑟夫森结微波耗散的方法.结的微波耗散由它的品质因子描述.微波耗散严重影响约瑟夫森器件如参量放大器、超导量子比特等的性能.对电流偏置的约瑟夫森结势阱采用四阶近似后,可以得到在较强微波驱动下约瑟夫森结非线性微波响应方程.该方程定量描述了非线性共振频率随外加微波功率变化关系:非线性共振频率与结等离子频率的差别依赖于约瑟夫森结的微波品质因子.对电流偏置的约瑟夫森结的微波运动行为进行了数值模拟.模拟结果确证了微波品质因子与非线性共振频率-等离子频率差别的定量关系可以应用于约瑟夫森结中.用这种非线性频率响应方法来确定约瑟夫森结的微波耗散没有严格的温度要求,可在单个电流偏置的结中完成,实验上具有简单可靠性.

关键词：约瑟夫森结非线性共振品质因子超导量子比特

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垂直GaN-SBD的场限环-场板复合终端结构设计

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功能材料与器件学报 2024年第5期30卷 233-238页

作者：张峻郑理沈玲燕周学通苏杭程新红集成电路材料全国重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京101408

垂直GaN-SBD需要采用终端结构缓解阳极边缘电场集中现象,进而提高击穿电压。场限环终端结构可有效实现上述功能,但消耗的芯片面积较大,降低了一定面积晶圆上器件的数量。针对这一问题提出了场限环-场板复合终端结构,利用场板分散场限环... 详细信息

垂直GaN-SBD需要采用终端结构缓解阳极边缘电场集中现象,进而提高击穿电压。场限环终端结构可有效实现上述功能,但消耗的芯片面积较大,降低了一定面积晶圆上器件的数量。针对这一问题提出了场限环-场板复合终端结构,利用场板分散场限环边缘的电场,从而在保持器件击穿电压的同时减少场限环数量,减小器件的面积。通过TCAD仿真系统地研究了场限环-场板复合终端结构对垂直GaN-SBD击穿电压及阳极边缘附近的电场分布情况的影响。仿真表明,当维持相同的击穿电压(1700V),复合终端结构所需的场限环数量可减少2个,终端面积减小16.47%,而且阳极边缘的电场强度明显降低。

关键词：垂直GaN-SBD 复合终端结构场限环场板击穿电压

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