检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2017年第4期36卷 505-512页

作者：叶金晶周健孙谦晨杨明辉朱玉琨孙晓玮中国科学院上海微系统与信息技术研究所中科院太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

针对主动毫米波成像安检系统的个人隐私保护问题,提出了一种不受身高、站姿影响的毫米波人体图像隐私保护算法.通过预处理将毫米波图像背景噪声弱化,增加人体目标边缘细节.使用二值化和形态学处理进一步区分背景与人体目标,根据身高划... 详细信息

针对主动毫米波成像安检系统的个人隐私保护问题,提出了一种不受身高、站姿影响的毫米波人体图像隐私保护算法.通过预处理将毫米波图像背景噪声弱化,增加人体目标边缘细节.使用二值化和形态学处理进一步区分背景与人体目标,根据身高划分的人体部位比例与像素点遍历求最值法实现隐私部位的初步定位,可以满足标准站姿下不同身高受检人的隐私部位定位需求.算法所包含的定位复查校准模块通过对隐私位置条件的循环判断与调整,解决了非标准站姿下隐私部位的定位.最后,根据已定位的坐标进行模糊化处理,实现保护受检人隐私的功能.算法已应用于实际产品,与常规隐私保护算法相比,可移植性高,运行速度快。

关键词：毫米波隐私保护定位图像处理

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基于生物特征标识的无线传感器网络三因素用户认证协议

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电子学报 2018年第3期46卷 702-713页

作者：房卫东张武雄杨旸张传雷陈伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所无线传感网与通信重点实验室上海200051 上海无线通信研究中心上海201210 天津科技大学计算机科学与信息工程学院天津300222 中国矿业大学计算机科学与技术学院江苏徐州221116

为满足高安全级别场景(如军事、国家安全、银行等)的应用需求,进一步提高无线传感器网络用户认证协议的安全性,提出了基于生物特征识别的三因素用户认证协议.针对Althobaiti协议无法防御节点妥协攻击、模拟攻击、中间人攻击和内部特权... 详细信息

为满足高安全级别场景(如军事、国家安全、银行等)的应用需求,进一步提高无线传感器网络用户认证协议的安全性,提出了基于生物特征识别的三因素用户认证协议.针对Althobaiti协议无法防御节点妥协攻击、模拟攻击、中间人攻击和内部特权攻击的安全缺陷,增加智能卡和密码作为协议基本安全因素,并利用生物特征标识信息生成函数与回复函数处理的生物特征标识作为附加安全因素;在密钥管理中,为每个节点配置了与网关节点共享唯一密钥,保证认证过程的独立性与安全性;实现用户自主选择与网关节点的共享密钥,提高公共信道通信的安全性;在网关节点不参与的情况下,设计密码和生物特征标识更新机制,保证二者的新鲜性.通过Dolev-Yao拓展威胁模型的分析与AVISPA的OFMC分析终端的仿真,结果证明该认证协议克服了Althobaiti协议安全缺陷,且对计算能力的需求小于公钥加密.权衡安全性与计算成本,该协议适用于资源受限且安全需求高的无线传感器网络应用.

关键词：无线传感器网络信息安全三因素用户认证协议生物特征标识

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基于ICI干扰消除的OFDM线性时变信道估计方法

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信息技术 2018年第1期42卷 67-70页

作者：解永生周磊磊刘建坡中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国防科技重点实验室上海200050

多普勒频移破坏了OFDM子载波的正交性,导致系统产生子载波间干扰。针对此问题,文中提出了一种基于ICI干扰消除的时变信道估计方法。该方法利用前一符号的信道斜率,消除当前系统符号所受到的ICI干扰。在归一化多普勒频小于0.15时,所述算... 详细信息

多普勒频移破坏了OFDM子载波的正交性,导致系统产生子载波间干扰。针对此问题,文中提出了一种基于ICI干扰消除的时变信道估计方法。该方法利用前一符号的信道斜率,消除当前系统符号所受到的ICI干扰。在归一化多普勒频小于0.15时,所述算法的信道估计均方误差比传统算法更小,系统误码率性能更优秀。

关键词：正交频分复用线性时变信道信道估计子载波干扰消除

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低温生长砷化镓的超快光抽运-太赫兹探测光谱

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物理学报 2017年第8期66卷 295-301页

作者：樊正富谭智勇万文坚邢晓林贤金钻明曹俊诚马国宏上海大学物理系上海200444 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050

本文采用光抽运-太赫兹探测技术系统研究了低温生长砷化镓(LT-GaAs)中光生载流子的超快动力学过程.光激发LT-GaAs薄层电导率峰值随抽运光强增加而增加,最后达到饱和,其饱和功率为54μJ/cm^2.当载流子浓度增大时,电子间的库仑相互作用将... 详细信息

本文采用光抽运-太赫兹探测技术系统研究了低温生长砷化镓(LT-GaAs)中光生载流子的超快动力学过程.光激发LT-GaAs薄层电导率峰值随抽运光强增加而增加,最后达到饱和,其饱和功率为54μJ/cm^2.当载流子浓度增大时,电子间的库仑相互作用将部分屏蔽缺陷对电子的俘获概率,从而导致LT-GaAs的快速载流子俘获时间随抽运光强增加而变长.光激发薄层电导率的色散关系可以用Cole-Cole Drude模型很好地拟合,结果表明LT-GaAs内部载流子的散射时间随抽运光强增加和延迟时间(产生光和抽运光)变长而增加,主要来源于电子-电子散射以及电子-杂质缺陷散射共同贡献,其中电子-杂质缺陷散射的强度与光激发薄层载流子浓度密切相关,并可由散射时间分布函数α来描述.通过对光激发载流子动力学、光激发薄层电导率以及迁移率变化的研究,我们提出适当增加缺陷浓度,可以进一步降低载流子迁移率和寿命,为研制和设计优良的THz发射器提供了实验依据.

关键词：低温生长砷化镓超快太赫兹光谱光电导

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全光逻辑异或门相位差特性研究

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激光技术 2018年第5期42卷 659-665页

作者：胡永倩王海龙张书玉密术超龚谦曲阜师范大学物理系山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

为了改善全光逻辑门的相位差特性,对全光逻辑异或门的相位差进行了研究。采用细化分段模型对量子点半导体光放大器的动态过程进行建模,利用牛顿法和4阶龙格-库塔法求解三能级跃迁速率方程以及光场传输方程,实现了基于量子点半导体光放... 详细信息

为了改善全光逻辑门的相位差特性,对全光逻辑异或门的相位差进行了研究。采用细化分段模型对量子点半导体光放大器的动态过程进行建模,利用牛顿法和4阶龙格-库塔法求解三能级跃迁速率方程以及光场传输方程,实现了基于量子点半导体光放大器马赫-曾德尔干涉仪结构的全光逻辑异或门;研究了有源区长度、最大模式增益、输入抽运光功率以及输入抽运光脉冲宽度对通过干涉仪两臂探测光相位差的影响,同时讨论了探测光的相位差与输出光功率的关系。结果表明,增大有源区长度、最大模式增益以及输入抽运光功率,均能使探测光相位差增大;随着抽运光脉冲宽度增大,探测光相位差先增大而后趋于平缓,之后不断减小;有源区长度为2.0mm、最大模式增益为3000m-1、输入抽运光功率为5d Bm、抽运光脉冲宽度为1.0ps时,最大相位差增加至0.3277π;随着探测光相位差增大,输出光功率增大;通过优化参量可以增大探测光的相位差,而输出光功率会随着探测光相位差的增大而增大。该研究为提高转换信号质量提供了参考。

关键词：光通信量子点半导体光放大器异或门相位差输出光功率

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SOI材料和器件抗辐射加固技术

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科学通报 2017年第10期62卷 1004-1017页

作者：张正选邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

绝缘体上硅(SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上发展起来的,有独特优势的并且能够突破传统硅集成电路限制的新技术.绝缘埋层(BOX)的存在使得SOI技术从根本上消除了体硅CMOS中的闩锁效应.在同等工艺节点下其单粒子翻转... 详细信息

绝缘体上硅(SOI)技术是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上发展起来的,有独特优势的并且能够突破传统硅集成电路限制的新技术.绝缘埋层(BOX)的存在使得SOI技术从根本上消除了体硅CMOS中的闩锁效应.在同等工艺节点下其单粒子翻转截面较体硅CMOS技术小了1~2个数量级,抗瞬时剂量率的能力也提高了2个数量级以上.这些固有优势使得SOI技术在军事和空间应用中具有举足轻重的地位.然而,在空间和核爆等电离辐射环境下,辐射将会在BOX层中引入大量的陷阱电荷.这些辐射感生的陷阱电荷会导致SOI器件和电路性能的退化,从而严重阻碍和制约了SOI技术在抗辐射加固中的应用.另一方面,SOI器件的寄生三极管放大效应会削弱SOI技术在抗单粒子辐射和瞬态辐射方面的优势,这使得抗辐射SOI器件与电路的加固设计面临着严峻的挑战.本文介绍了SOI器件中3种主要的电离辐射效应并对比了体硅器件和SOI器件辐射效应的差异.针对寄生双极晶体管导致SOI器件单粒子效应和剂量率效应敏感性增强的问题,提出了相应地减弱寄生双极晶体管效应的加固方法.针对SOI器件抗总剂量效应差的问题,分别从材料工艺和器件结构两个层次介绍了SOI器件的总剂量加固技术.

关键词：绝缘体上硅总剂量效应单粒子效应瞬时剂量率效应辐射加固技术

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带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计

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上海交通大学学报 2017年第6期51卷 657-664页

作者：胡佳俊陈后鹏王倩李喜苗杰雷宇宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

分析了传统升压式DC-DC转换器在全负载范围内实现高电源转换效率的局限性,在此基础上,提出了一种轻载检测和自适应变频机制.该技术无需额外的芯片管脚和器件,即能使转换器在电感电流断续模式下精确检测出负载状况.将所设计的升压式DC-D... 详细信息

分析了传统升压式DC-DC转换器在全负载范围内实现高电源转换效率的局限性,在此基础上,提出了一种轻载检测和自适应变频机制.该技术无需额外的芯片管脚和器件,即能使转换器在电感电流断续模式下精确检测出负载状况.将所设计的升压式DC-DC转换器在CZ6H0.35μm标准CMOS工艺条件下进行仿真.结果表明,当负载电流发生变化时,转换器能够根据负载检测值的大小自适应地进行跳频变换.在负载电流为1mA的条件下,电源转换效率达到82%.系统环路能够在全负载范围内保持良好的稳定性,当负载电流以1.5μA/20μs跳变时,最大下冲和上冲电压分别为300和200mV,恢复时间分别只需80和60μs,版图面积约为1.26mm2.

关键词：瞬态响应相位裕度变频模式电感电流取样电源转换效率

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锂离子电池复合隔膜的制备方法

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电源技术 2018年第1期42卷 149-152页

作者：李晓哲邵光杰谢晓华张建夏保佳燕山大学环境与化学工程学院河北省重点实验室河北秦皇岛066004 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海201800

对不同方法制备的锂离子电池复合隔膜进行分类总结,并对常见的浸涂法、涂布法、静电纺丝法和相转化法制备的复合隔膜的电化学性能进行总结:静电纺丝法可将陶瓷颗粒直接嵌到纤维中,增加隔膜的强度;相转化法形成的隔膜孔径分布均匀;涂布... 详细信息

对不同方法制备的锂离子电池复合隔膜进行分类总结,并对常见的浸涂法、涂布法、静电纺丝法和相转化法制备的复合隔膜的电化学性能进行总结:静电纺丝法可将陶瓷颗粒直接嵌到纤维中,增加隔膜的强度;相转化法形成的隔膜孔径分布均匀;涂布法可以形成均匀的涂层,且生产成本低;浸涂法制备的复合隔膜可将陶瓷颗粒浸渍到孔中。

关键词：锂离子电池复合隔膜制备方法电化学性能

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应用于变电站接地网的空间磁场检测装置

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功能材料与器件学报 2019年第1期25卷 60-63页

作者：姜海波黄俊澄赵世钦马天驰李伟贵州电网有限责任公司都匀供电局都匀558000 中光华研电子科技有限公司上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200000

变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合... 详细信息

变电站接地网发生短路故障时,导体上的电流以及土壤中的泄漏电流会产生较强的空间磁场,可能影响站内设备的正常工作进而危害变电站的安全运行,现有的方法无法检测土壤中的泄漏电流对空间磁场的影响。对此本文设计了一款以超薄的液晶聚合物LCP为介质基板的柔性宽带天线,用于准确检测变电站接地网的空间磁场,该天线的基本辐射单元为宽带单极子天线,采用了微带馈电的馈电方式。经软件仿真结果表明,该天线覆盖在0.5KHz-22KHz工作频段,已经满足了宽带天线的要求。

关键词：变电站接地网宽带天线液晶聚合物

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细胞外基质硬度和厚度对细胞生长的影响

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中国组织工程研究 2018年第5期22卷 815-820页

作者：李珊刘晓艺孙艳赵峰何静雯北京航空航天大学生物与医学工程学院北京市100191 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海市200050

背景:细胞外基质的力学性质会影响细胞的铺展、增殖和分化,对于组织工程和再生医学研究及应用均有极其重要的意义。目的:总结近年来有关基质力学性质对细胞生长的影响,并分析基质厚度和硬度之间是否存在关系,为体外构建功能性组织提供... 详细信息

背景:细胞外基质的力学性质会影响细胞的铺展、增殖和分化,对于组织工程和再生医学研究及应用均有极其重要的意义。目的:总结近年来有关基质力学性质对细胞生长的影响,并分析基质厚度和硬度之间是否存在关系,为体外构建功能性组织提供实验方法参考。方法:作者检索1988至2016年百链云数据库和PubMed数据库,选择与基质力学性质对细胞生长影响有关的文献,进行系统整理、总结归纳和分析。结果与结论:检索到文章254篇,最终纳入43篇。通过总结及分析发现黏附在基质上的细胞结构和功能与其所处的外环境有很大的关系。体外模拟实验表明基质硬度的增大会使得细胞的形态发生变化,铺展面积增大,增殖水平提高,同样也会对细胞的分化有影响。当基质厚度在一定范围内时,细胞可以感知到基质厚度的变化。当基质厚度超过一定范围,细胞则感知不到基质的厚度,影响细胞的主要是基质的硬度及其交联程度,此厚度范围从几微米到60μm不等,与接种细胞的水平尺寸有关。

关键词：基质硬度基质厚度细胞铺展细胞增殖细胞分化干细胞国家自然科学基金

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