检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2017年第8期42卷 636-640页

作者：梁得峰盖蔚徐高卫罗乐上海大学索朗光伏材料与器件R&D联合实验室上海200000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200000

提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICP... 详细信息

提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)的方法实现TSV内绝缘隔离;采用激光刻蚀开口和RDL方法实现CIS电极的背部引出;通过采用铝电极电镀镍层的方法解决了激光刻蚀工艺中聚合物溢出影响互连的问题,提高了互连可靠性。对锥形TSV刻蚀参数进行了优化。最终在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅/玻璃键合圆片上实现了含有276个电极的CIS圆片级封装。电性能测试结果表明,CIS圆片级封装具有良好的互连导电性,两个相邻电极间平均电阻值约为7.6Ω。

关键词：硅通孔(TSV) 低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD) 激光刻蚀电镀镍圆片级封装

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FTIR测量的宽波数范围发射光谱强度校正

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红外与毫米波学报 2016年第1期35卷 63-67页

作者：张永刚奚苏萍周立顾溢陈星佑马英杰杜奔中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的... 详细信息

针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.以一组覆盖宽波数范围的样品为例用此方案测量校正了室温下测得的光荧光谱,并对校正前后的结果进行了比对分析,获得了与实际符合的结论.结果表明采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得宽波数范围内的有效发光强度信息.

关键词：发射光谱校正发光强度光荧光傅里叶变换

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Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中电子-LO声子散射率

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量子电子学报 2017年第1期34卷 94-98页

作者：陈莎王海龙陈丽李正龚谦曲阜师范大学物理工程学院山东曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

基于费米黄金法则,理论计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中第一激发态到基态的电子-LO声子的散射率,讨论了平均散射率随阱宽、温度及Mn组分的变化规律。结果表明:电子-LO声子的散射率随总初态能的增大逐渐减小;散射率和平均散射率随阱... 详细信息

基于费米黄金法则,理论计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe量子阱中第一激发态到基态的电子-LO声子的散射率,讨论了平均散射率随阱宽、温度及Mn组分的变化规律。结果表明:电子-LO声子的散射率随总初态能的增大逐渐减小;散射率和平均散射率随阱宽增大先增加后减小,最大值出现在20 nm阱宽附近,当阱宽大于等于20 nm时散射会发生"中断";散射率和平均散射率随温度的增加逐渐增大,温度较低时平均散射率的变化不明显,温度较高时变化显著;量子阱中电子-LO声子的平均散射率随Mn组分的增大逐渐减小。

关键词：光电子学散射率费米黄金法则 Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱声子

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本征ZnO纳米线的原位生长及其对痕量H_(2)S气体的敏感性

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仪表技术与传感器 2017年第11期 21-24页

作者：丁培黄海云徐涛郑丹许鹏程陈莹上海应用技术大学化学与环境工程学院上海201418 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家联合重点实验室上海200050

文中研究了通过低温水热法在微传感器表面原位生长不同直径的本征ZnO纳米线,用于痕量H_2S气体的检测,比较了不同尺寸ZnO纳米线传感器对H_2S的气敏性。实验结果表明:在150℃条件下,随着ZnO纳米线直径的缩小(200 nm→50 nm→20 nm),其对H... 详细信息

文中研究了通过低温水热法在微传感器表面原位生长不同直径的本征ZnO纳米线,用于痕量H_2S气体的检测,比较了不同尺寸ZnO纳米线传感器对H_2S的气敏性。实验结果表明:在150℃条件下,随着ZnO纳米线直径的缩小(200 nm→50 nm→20 nm),其对H_2S的气敏性显著提高。在相同H_2S气体浓度(5 ppm)下,50 nm ZnO纳米线的响应值是200 nm的5.4倍,检测下限为50 ppb,灵敏度均值达到6.4×10-2ppm-1;20 nm ZnO的响应值比50 nm ZnO的响应值进一步增大,检测下限达到10 ppb,是50 nm ZnO的5倍,检测灵敏度均值为2.0×10-3ppm-1,是50 nm ZnO的32倍。这些主要是由于纳米尺寸效应的影响。

关键词： ZnO纳米线 H_(2)S气体检测纳米尺寸效应气体传感器

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硅纳米线场效应晶体管生物传感器在肿瘤分子诊断中的应用

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科学通报 2016年第4期61卷 442-452页

作者：鲁娜高安然戴鹏飞宋世平樊春海王跃林李铁中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院上海应用物理研究所物理生物学研究室与上海光源生物成像中心上海201800

肿瘤的早期诊断是目前临床医学最具挑战性的问题之一.分子诊断不仅能对肿瘤早期做出确切的诊断,而且能对肿瘤分期、分型、疗效监测和预后评估做出判断.硅纳米线作为新型一维半导体纳米材料,具有超高灵敏度、专一选择性、无标记检测、快... 详细信息

肿瘤的早期诊断是目前临床医学最具挑战性的问题之一.分子诊断不仅能对肿瘤早期做出确切的诊断,而且能对肿瘤分期、分型、疗效监测和预后评估做出判断.硅纳米线作为新型一维半导体纳米材料,具有超高灵敏度、专一选择性、无标记检测、快速实时响应等独特优势,在近年来的生物医学检测应用,特别是肿瘤的分子诊断方面引起了极大的关注.基于此,本文介绍了硅纳米线场效应晶体管(FET)的工作原理、硅纳米线的制备方法、传感灵敏度的影响因素,综述了硅纳米线FET生物传感器在肿瘤分子诊断中的应用(包括核酸的定性与定量检测、肿瘤蛋白标志物检测、以及分子间相互作用研究),并展望了硅纳米线生物传感器的未来发展趋势,希望能为硅纳米线在肿瘤早期诊断的进一步应用提供一定的参考.

关键词：硅纳米线生物传感器场效应晶体管分子诊断肿瘤

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基于反激式原边反馈控制结构的过零检测方法及实现

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电子设计工程 2017年第8期25卷 41-45,49页

作者：刘艾萌陈后鹏胡佳俊李喜王倩宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文提出一种基于反激式(Flyback)原边反馈控制结构的电感电流过零检测实现方法,主要应用于临界导通模式(Boundary Conduction Mode,BCM)下的LED恒流控制方案中。分析了传统反激式原边反馈控制结构方案在实现电感电流临界模式控制中的... 详细信息

本文提出一种基于反激式(Flyback)原边反馈控制结构的电感电流过零检测实现方法,主要应用于临界导通模式(Boundary Conduction Mode,BCM)下的LED恒流控制方案中。分析了传统反激式原边反馈控制结构方案在实现电感电流临界模式控制中的局限性,在此基础上,提出了一种不依赖辅助绕组的过零检测机制。基于0.35um CV800GS工艺,采用Cadence软件对系统进行仿真,结果表明,在不同负载和线电压输入条件下系统能够快速可靠地实现过零检测控制。

关键词： Flyback LED Driver 临界模式过零检测原边控制

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硅光子学：光电子学与微电子学的联姻

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科技纵览 2017年第11期 62-65页

作者：甘甫烷余明斌武爱民李伟中国科学院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究团队围绕“微电子和光电子的融合”，基于互补金属氧化物半导体工艺技术，在硅光子加工工艺平台、高性能硅基光器件、硅基光子集成等方面取得了一系列意义重大的进展。

关键词：微电子学光电子学光子学硅基互补金属氧化物半导体工艺信息技术中国科学院加工工艺

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微加工技术在细胞形状和排列控制中的应用

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中国组织工程研究 2017年第14期21卷 2291-2296页

作者：刘晓艺李珊赵峰何静雯孙艳北京航空航天大学生物与医学工程学院生物力学与力生物学教育部重点实验室北京市100191 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海市200050

背景:精确控制细胞形状、实现细胞体外排列对细胞生物学、组织工程和再生医学研究及应用均有极其重要的意义,而目前对控制细胞几何形状和诱导体外排列的方法缺乏系统性的研究和表述。目的:总结并讨论表面化学修饰技术、表面拓扑学改造... 详细信息

背景:精确控制细胞形状、实现细胞体外排列对细胞生物学、组织工程和再生医学研究及应用均有极其重要的意义,而目前对控制细胞几何形状和诱导体外排列的方法缺乏系统性的研究和表述。目的:总结并讨论表面化学修饰技术、表面拓扑学改造技术加工制备细胞生长基底的方法,以及实现细胞形状和排列控制的可行性和最新进展。方法:作者检索1995至2017年百链云数据库和Pub Med数据库中与微加工方法对细胞形状和体外排列影响相关的文献,并进行系统整理、归纳总结和分析。结果与结论:随着微纳米加工技术的发展和对细胞生物学行为的深入研究,表面化学修饰、表面拓扑学改造、纤维支架等方法逐步被建立,以实现细胞形状的精确控制和体外排列。表面微图案化、微柱、微孔阵列等拓扑结构能够精确控制细胞几何形状,而基底表面拓扑形貌对细胞排列占据更重要的支配作用,可将基底表面化学修饰作用和拓扑形貌作用相结合更好地实现细胞体外排列。合适的基底结构可用于精确控制细胞的形状、调控干细胞的分化抑或诱导细胞的定向排列、促进细胞融合和分化等。

关键词：细胞生物学细胞形状组织工程生物材料细胞排列微接触印刷技术干剥离技术沟槽阵列微柱阵列微孔阵列微波阵列纤维支架国家自然科学基金

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700℃退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理

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物理学报 2016年第3期65卷 214-220页

作者：平云霞王曼乐孟骁然侯春雷俞文杰薛忠营魏星张苗狄增峰张波上海工程技术大学基础学院上海201600 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部... 详细信息

文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟道背散射测试结果表明,在镍硅锗薄膜形成的过程中,铝原子大部分移动到镍硅锗薄膜的表面.研究结果表明,铝原子的存在延迟了镍和硅锗合金的反应,镍硅锗薄膜的热稳定性和均匀性都得到了提高.最后,基于上述实验结果给出了铝原子调制形成外延镍硅锗薄膜的生长机理.

关键词：外延生长机理铝插入层镍硅锗薄膜

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消防安全管理信息监测系统的研究和实现

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计算机工程与应用 2017年第18期53卷 213-217页

作者：李世斌金彦亮姚炜熊勇上海大学通信与信息工程学院上海200072 中国科学院上海微系统与信息技术研究所无线传感网与通信重点实验室上海201899 上海物联网有限公司上海201899

针对国内许多大型的消防控制系统仍然处于分散报警阶段,没有统一的消防管理的问题,提出了一种应用在Web环境下的消防安全管理信息监测系统的设计方案。首先,设计了消防安全管理系统的总体架构,并将系统划分为报警监测、故障跟进、监督... 详细信息

针对国内许多大型的消防控制系统仍然处于分散报警阶段,没有统一的消防管理的问题,提出了一种应用在Web环境下的消防安全管理信息监测系统的设计方案。首先,设计了消防安全管理系统的总体架构,并将系统划分为报警监测、故障跟进、监督管理、报警数据统计和分析四大功能模块;其次,对数据库表单设计、服务层业务逻辑定义、前端页面展示进行了技术实现;最后,以本市重点消防单位为试点进行测试,该系统提高了消防联网单位火灾预警能力和消防安全管理水平,满足了城市消防集中化、信息化、规范化的需求。

关键词：消防安全管理信息化

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