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机构

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作者

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语言

  • 1,893 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术实验室"
1893 条 记 录,以下是581-590 订阅
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面向临床研究的多通道心磁图仪优化
面向临床研究的多通道心磁图仪优化
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第十四届全国超导学术研讨会
作者: 陈威 李明 王毅 杨康 王佳磊 鲁丽 孔祥燕 中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050 中国科学院上海微系统所与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050 中国科学院大学 北京100049
目前9 通道心磁系统安装在徐汇区中心医院的简易磁屏蔽内联合开展临床研究,已经正常运行一年多,在使用过程中,针对临床研究需要做了进一步的性能优化。包括:采用自主三轴磁强计和二阶梯度计(基线5 cm)与进口器件进行性能对比,实... 详细信息
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AlMn合金超导薄膜制备与特性研究
AlMn合金超导薄膜制备与特性研究
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第十四届全国超导学术研讨会
作者: 伍文涛 吕越 高波 王镇 超导电子学卓越创新中心 中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 超导电子学卓越创新中心 中国科学院上海 200050 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国科学院大学 北京 100049
超导转变边沿(TES)探测器是一种极端灵敏的光子探测器,其突出的性能优势是兼具高能量分辨率与单光子检测能力。超导薄膜是TES 器件核心材料,基于磁性掺杂超导薄膜的软X 射线TES 探测器具有设计和制备简单的优点。
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SQUID器件标准现状分析与讨论
SQUID器件标准现状分析与讨论
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第十四届全国超导学术研讨会
作者: 孔祥燕 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050
超导量子干涉器件(SQUID)是目前为止最为灵敏的磁传感器,其发展历史已有50余年,但无论在器件还是应用方面,国内和国际标准几乎空白。目前随着SQUID 器件日渐成熟,在基础研究系统应用方面的深入和扩展,对于器件和系统相关的标准... 详细信息
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基于微加热器平台的高性能甲烷传感器
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郑州大学学报(工学版) 2016年 第3期37卷 40-43页
作者: 郭联峰 许宗珂 段国韬 李铁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050 微系统技术国家实验室 上海200050 中国科学院固体物理研究所 安徽合肥230031
设计制造了基于微型加热器平台(MHP)的甲烷气体传感器.微加热器平台因其功耗低、体积小等特点可广泛应用于半导体气体传感器中.微加热器平台的制作是基于IC兼容的MEMS工艺完成的,利用模板法在MHP上原位制备二氧化锡(SnO_2)有序多孔薄膜... 详细信息
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射频系统的电源电磁兼容设计
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微波学报 2016年 第6期32卷 86-89页
作者: 杨建军 唐云峰 汪海勇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室 上海200050 中国电子科技集团公司第五十研究所 上海200331
射频系统中,电源方面的干扰有多种,一旦设计考虑不周全,就会带来许多不必要的干扰和噪声信号,降低通信系统的预期设计指标,从而使得通信性能大打折扣。抑制和削弱电源带来的干扰和噪声信号,对于整机的通信性能提升尤为关键,文章分别从... 详细信息
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InP基HEMT材料优化生长及其特性研究
InP基HEMT材料优化生长及其特性研究
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 艾立鹍 周书星 徐安怀 李家恺 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海市长宁路865号200050
InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率... 详细信息
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原子层沉积与磁控溅射法制备TiO2薄膜性能对比研究
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人工晶体学报 2016年 第6期45卷 1555-1559,1566页
作者: 陈燕 佘秋明 吴爱林 宋新山 宋志棠 姚栋宁 吴良才 东华大学环境科学与工程学院 上海201620 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
分别采用原子层沉积(ALD)和磁控溅射法(MS)在Si和石英衬底上制备TiO_2薄膜,并进行退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和紫外分光光度计对这两种方法制备薄膜的晶型结构、表面形貌和光学特性进行... 详细信息
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InGaAsBi掺碳特性及欧姆接触特性研究
InGaAsBi掺碳特性及欧姆接触特性研究
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 周书星 齐鸣 艾立鹍 徐安怀 王庶民 郭旗 中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐北京南路40-1号830011 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050 中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐北京南路40-1号830011
稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研究发现有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响... 详细信息
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聚二甲基硅氧烷球形微腔阵列的数字PCR芯片
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传感器与微系统 2017年 第2期36卷 78-81页
作者: 符亚云 景奉香 李刚 赵建龙 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100039 重庆大学光电工程学院 重庆400044
数字聚合酶链式反应(d PCR)技术是一种核酸绝对定量技术,但现有d PCR平台因其昂贵的设备或复杂的操作限制了其实际应用。利用气体膨胀浇注成型技术,结合集成微腔阵列的模具,设计、制作了一种成本低廉、简单可靠的d PCR微流控芯片。独特... 详细信息
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MBE材料组分均匀性的表征方法
MBE材料组分均匀性的表征方法
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第十二届全国分子束外延学术会议
作者: 张亚光 顾溢 陈平平 张永刚 李雪 龚海梅 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室 上海 200083 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室 上海 200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室 上海 200050 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室 上海 200083
为扩大产量,商业化MBE材料生产通常采用大尺寸、多衬底的生长方式,面临的均匀性问题十分突出.一方面,对于焦平面探测器等尺寸较大的器件,若不能有效改善均匀性,将极大地限制良品率.另一方面,对于激光器等尺寸较小的器件,材料非均匀性... 详细信息
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