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第十四届全国超导学术研讨会

作者：王梦李卓君张德炯韩超群刘文晶乔山钱冬高春雷徐贲田鹤高波超导电子学卓越创新中心中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 硅材料国家重点实验室电镜中心浙江大学材料学院杭州310027 人工结构及量子调控重点实验室上海交通大学物理与天文系上海200240 复旦大学物理系上海清华大学北京

通过掺杂的方法在拓扑绝缘体中诱导出超导，是实现拓扑超导电性和寻找神秘的Majorana 费米子的一种重要可能途径，然而其超导机理目前尚无定论。我们试图通过对掺杂原子的占位分析，从微观机构上提供一个新的理解思路。

关键词：拓扑绝缘体超导电性间隙位亚稳态

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基于石墨烯的太赫兹器件研究进展

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物理学报 2015年第22期64卷 39-47页

作者：冯伟张戎曹俊诚江苏大学理学院物理系镇江212013 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050

石墨烯是一种零带隙二维的半导体材料,具有极高的载流子迁移率,优异的机械、电学、热学和光学等性能.在太赫兹辐射源、调制器和探测器件的研究中,石墨烯材料具有独特的优势.本文以石墨烯材料在太赫兹辐射源、调制器以及探测器等器件方... 详细信息

石墨烯是一种零带隙二维的半导体材料,具有极高的载流子迁移率,优异的机械、电学、热学和光学等性能.在太赫兹辐射源、调制器和探测器件的研究中,石墨烯材料具有独特的优势.本文以石墨烯材料在太赫兹辐射源、调制器以及探测器等器件方面的应用为主,综述了石墨烯太赫兹器件的最新研究进展.

关键词：太赫兹石墨烯太赫兹辐射源太赫兹探测器

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硅基MEMS振荡器的静电反馈技术研究

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电子设计工程 2016年第21期24卷 156-159页

作者：张磊游卫龙杨恒李昕欣中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100040

硅基MEMS振荡器的频率温度系数高达-30 ppm/℃,是石英晶体振荡器的100倍以上,因此必须进行频率温度补偿。静电反馈是一种低功耗补偿技术,但是静电力小,对于频率较高的振荡器效果不理想。设计了一种具有高Q值的I2BAR结构的高频振荡器,通... 详细信息

硅基MEMS振荡器的频率温度系数高达-30 ppm/℃,是石英晶体振荡器的100倍以上,因此必须进行频率温度补偿。静电反馈是一种低功耗补偿技术,但是静电力小,对于频率较高的振荡器效果不理想。设计了一种具有高Q值的I2BAR结构的高频振荡器,通过优化振荡结构、制作纳米尺度间隙、采用高掺杂衬底来提高静电反馈的作用。建立了器件的机电耦合解析模型,并根据器件的物理结构和尺寸建立了包含寄生效应的等效电学模型,进行PSpice仿真。实验测得振荡器在30 Pa气压下具有48 000的Q值,当电压从1 V增加到25 V,频率变化-1 194 ppm,频率温度特性为-14 ppm/℃,表明通过静电反馈能够补偿85℃范围内温度变化引起的频率偏移。

关键词： MEMS振荡器静电反馈电学模型温度补偿

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DNA功能化纳米金结合基因芯片可视化检测microRNAs

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中国科学：生命科学 2016年第3期46卷 314-320页

作者：王萍赵建龙胡斌程祖乐白亚楠金庆辉刘慧颖毛红菊李三强赵建龙河南科技大学医学院肝脏损伤与修复分子医学重点实验室洛阳471003 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 上海徐汇中心医院生物传感技术临床研究中心上海200040 中国科学院大学北京100049 大连医科大学口腔医学院口腔修复教研室大连116023

开发了一种纳米金探针结合基因芯片用于micro RNAs（mi RNAs）检测的高灵敏度便携式生物传感器.靶标mi RNAs特异性捕获探针固定在芯片上,通过与纳米金探针杂交进行检测,最后利用过氧化氢（H2O2）还原四氯金酸（HAu Cl4）来放大检测信号... 详细信息

开发了一种纳米金探针结合基因芯片用于micro RNAs（mi RNAs）检测的高灵敏度便携式生物传感器.靶标mi RNAs特异性捕获探针固定在芯片上,通过与纳米金探针杂交进行检测,最后利用过氧化氢（H2O2）还原四氯金酸（HAu Cl4）来放大检测信号.利用单个纳米金探针结合基因芯片可以检测到10 pmol/L的靶标mi RNAs,测得mi R-126在胎牛血清中的回收率为81.5%~109.1%.用这种生物传感器检测肺癌组织样本总RNA中的mi R-126,结果与定量PCR结果具有一致性.利用双纳米金探针进一步提高了检测灵敏度,可以检测到1 fmol/L的mi R-125a-5p.整个分析时间不超过1 h,并且实验结果可以用肉眼观察.这个平台可以同时检测肺癌相关mi R-126和mi R-125a-5p,并且具有费用低、快速和便捷的优势,有望用于mi RNAs的超灵敏可视化检测.

关键词： microRNA 纳米金基因芯片生物传感器可视化检测

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室内位置指纹定位方法中的小波去噪应用

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信息技术 2016年第3期40卷 41-44页

作者：景镇赵鲁阳何为才正国中国科学院上海微系统与信息技术研究所无线传感网与通信重点实验室上海201800

采集的位置指纹包含的大量随机噪声严重影响着位置指纹定位方法的精确度,为了提高位置指纹定位方法的精确度,文中提出了一种基于卡尔曼滤波和小波去噪相结合的方法来去除采集获得的位置指纹中的随机噪声的方法。实验结果表明,与常规的... 详细信息

采集的位置指纹包含的大量随机噪声严重影响着位置指纹定位方法的精确度,为了提高位置指纹定位方法的精确度,文中提出了一种基于卡尔曼滤波和小波去噪相结合的方法来去除采集获得的位置指纹中的随机噪声的方法。实验结果表明,与常规的去噪方法相比,基于此方法的位置指纹定位算法精度有一定程度的提高。

关键词：位置指纹卡尔曼滤波小波去噪

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基于工艺选择性的硅纳米线及其表面生物组装的可控批量制造技术及其在传感器的应用

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中国科学：技术科学 2015年第1期45卷 50-61页

作者：王跃林李铁高安然鲁娜中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室上海200050

针对硅纳米线及其在生物、医学、环境、反恐应用中生物检测的制造需求,通过充分利用硅材料本身的特性,发展传统光刻、腐蚀工艺中的硅纳米线精细控制技术,研究硅纳米线传感界面上有序组装多种生物功能探针(包括蛋白质探针和基因探针)的... 详细信息

针对硅纳米线及其在生物、医学、环境、反恐应用中生物检测的制造需求,通过充分利用硅材料本身的特性,发展传统光刻、腐蚀工艺中的硅纳米线精细控制技术,研究硅纳米线传感界面上有序组装多种生物功能探针(包括蛋白质探针和基因探针)的制造方法,提出一致性良好的硅纳米线的自上而下批量制造方法及其表面生物识别和捕获性能的精确控制制造技术,为高灵敏度、高选择性的硅纳米线生物传感器件的制造及批量化奠定坚实的技术基础,并为基于硅纳米线及相关生物组装的跨尺度制造提供可借鉴的新原理和新方法.

关键词：硅纳米线自上而下可控组装生物传感器

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多通道超导全张量读出电路系统研制

多通道超导全张量读出电路系统研制

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：徐小峰王永良张国峰张树林邱隆清荣亮亮谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

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“万能离子刀”

“万能离子刀”

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第16届全国荷电粒子源粒子束学术会议

作者：欧欣信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所

载能离子与固体相互作用的效果是多方面的。其中一个重要现象和作用是通过气体离子与固体的相互作用可以在固体材料表面或内部产生空体积缺陷，如空位、空洞和气泡等。通过有效控制离子束产生的空体积缺陷并实现“Defect induce Effect...

载能离子与固体相互作用的效果是多方面的。其中一个重要现象和作用是通过气体离子与固体的相互作用可以在固体材料表面或内部产生空体积缺陷，如空位、空洞和气泡等。通过有效控制离子束产生的空体积缺陷并实现“Defect induce Effect”，在材料研究的很多领域可以产生重要的应用。如表面纳米图形化、核材料辐照行为、功能氧化物器件调控以及新型微电子衬底材料——绝缘体上的硅以及异质集成材料制备。基于气体离子注入的离子束缺陷工程可以形象的比喻为一把“万能离子刀”。

关键词：

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应用于RSFQ超导数字电路的Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结的制备与表征

应用于RSFQ超导数字电路的Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结的制备与表征

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第十四届全国超导薄膜和超导电子器件学术研讨会

作者：熊伟应利良中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

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用于电子器件的石墨烯薄膜化学气相沉积制备

用于电子器件的石墨烯薄膜化学气相沉积制备

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2016中国国际石墨烯创新大会

作者：吴天如王浩敏狄增峰谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国

石墨烯要在电子学领域发挥重要作用还需要克服多项技术挑战，包括晶元级石墨烯薄膜制备和带隙调控等.本报告将介绍中科院上海微系统所在石墨烯晶元以及大晶畴AB堆垛双层石墨烯薄膜方面的研究进展.通过向具有适中碳固溶度的Cu85Ni15合金...

石墨烯要在电子学领域发挥重要作用还需要克服多项技术挑战，包括晶元级石墨烯薄膜制备和带隙调控等.本报告将介绍中科院上海微系统所在石墨烯晶元以及大晶畴AB堆垛双层石墨烯薄膜方面的研究进展.通过向具有适中碳固溶度的Cu85Ni15合金衬底局部提供碳源，我们成功实现单个晶核的制备，且整个石墨烯生长过程中石墨烯维持单核生长，且遵从一种全新的等温析出机制.固溶在合金衬底中的碳参加了表面石墨烯反应，大大提高了石墨烯的生长速度，仅需约2.5小时即可制备约1.5英才石墨烯单晶.石墨烯单晶晶元也可以通过在Ge (110)衬底上通过范德华外延获得.石墨烯岛边缘和Ge (100)面上原子台阶的点阵匹配和相互作用驱动石墨烯晶畴定向生长，多个石墨烯岛最终可实现无缝连接，形成品元级石墨烯外延薄膜.通过在Cu85Ni15衬底上放置铜薄膜实现了大晶畴AB堆垛石墨烯的生长.通过Cu85Ni15衬底和铜蒸汽的协同效应，可实现双层石墨烯的快速生长，约10分钟晶畴尺寸达到约～300 μm.铜蒸汽降低了第一层石墨烯的生长速度，而合金中固溶的碳大大提高了第二层石墨烯的生长速度，且两层呈AB堆垛关系.大晶畴双层石墨烯的成功制备主要是解决了第一和第二层石墨烯生长速度差距过大这一传统技术中制约双层石墨烯生长的关键技术瓶颈.我们还将简单介绍上海微系统所在制备边界可控石墨烯纳米带方面的最新进展.

关键词：

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