检索结果-内蒙古大学图书馆

航空学报 2022年第3期43卷 392-406页

作者：屈秉男蒋平赵鲁阳李凤荣王营冠中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院无线传感网与通信重点实验室上海201800 中国科学院大学北京100049 上海科技大学信息科学与技术学院上海201210

针对现有基于角度估计的无源被动探测技术不能满足远场高精度目标测向的问题,及现有被动探测传感器阵列在战场中需要大规模环绕布设的限制,采用基于经验模态分解(EMD)和短时能量特性分析的瑞雷波提取方法,结合时延双曲线定位模型提出免... 详细信息

针对现有基于角度估计的无源被动探测技术不能满足远场高精度目标测向的问题,及现有被动探测传感器阵列在战场中需要大规模环绕布设的限制,采用基于经验模态分解(EMD)和短时能量特性分析的瑞雷波提取方法,结合时延双曲线定位模型提出免受波速影响的短基线传感器阵列被动测向方法。首先,在对传感器阵列获取的地震动信号进行信号特性分析基础上,基于EMD构建自适应分解去噪模型,提出基于信号短时能量特性的瑞雷波成分的抽取方法。其次,在对瑞雷波进行联合相关计算估计时延基础上,构建基于TDOA算法的时延双曲线模型,并提出基于四元十字短基线传感器阵列的DFA-WV算法,实现免受波速影响的炮弹信号高精度测向。最后,本文算法模型在仿真及靶场实弹试验得到验证,测试结果表明提取瑞雷波算法可为时延高准度估计提供效力,DFA-WV测向算法因摆脱波速估计值对测向结果的影响,相较于Chan算法及改进MPR算法具有更优的测向性能,且计算复杂度低,在实际野外靶场炮弹目标测向中具有工程应用价值。

关键词：无源被动探测远场目标测向经验模态分解无波速影响短基线传感器阵列

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中红外波段高速硅基电光调制器设计与优化(特邀)

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红外与激光工程 2022年第3期51卷 71-78页

作者：刘雨菲李欣雨王书晓岳文成蔡艳余明斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049 上海微技术工业研究院上海201800

作为中红外波段中最接近O波段和C波段的波段,2μm波段区域逐渐引起人们的广泛关注。主要对2μm波段的马赫-增德尔型调制器进行优化设计和仿真,根据2μm波长下光模场分布的特点,选用具有340 nm厚度顶层硅的SOI衬底,结合实际工艺中240 nm... 详细信息

作为中红外波段中最接近O波段和C波段的波段,2μm波段区域逐渐引起人们的广泛关注。主要对2μm波段的马赫-增德尔型调制器进行优化设计和仿真,根据2μm波长下光模场分布的特点,选用具有340 nm厚度顶层硅的SOI衬底,结合实际工艺中240 nm硅刻蚀深度,得到宽度为600 nm以及平板层厚度为100 nm的最优脊波导结构。通过优化掺杂浓度和掺杂区位置获得综合性能最优的调制器器件,在4 V反向偏压下器件光损耗为5.17 dB/cm,调制效率为2.86 V·cm,静态消光比为23.8 dB,3dB EO带宽为27.1 GHz。同时,与220 nm厚度顶层硅器件相比较,器件的综合性能更为优越。研究内容为后续器件实际制作提供了依据,也为后续2μm波段光收发集成模块所需调制器设计提供了新的方向。

关键词：硅基光电子学中红外波段调制器

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采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱

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红外与毫米波学报 2022年第1期41卷 253-261页

作者：黄卫国顾溢金宇航刘博文龚谦黄华王庶民马英杰张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹技术重点实验室上海200050 中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049 查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系哥德堡SE-41296

本工作在GaP/Si衬底上基于In_(0.83)Al_(0.17)As异变缓冲层实现了InAs/In_(0.83)Al_(0.17)As量子阱的生长。研究了Ga_(x)In_(1-x)P和GaAs_(y)P_(1-y)递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少。两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用Ga_(x)In_(1-x)P组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度。这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红外InAs量子阱结构具有相对更优的效果。

关键词：量子阱 GaP/Si 异变缓冲层中红外

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基于可变形空腔的起落架舱体噪声抑制研究

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振动与冲击 2022年第3期41卷 99-106页

作者：翟庆波宁方立丁辉刘哲韦娟李宝清西北工业大学机电学院西安710072 西安电子科技大学通信工程学院西安710071 中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室上海200050

提出了一种基于可变形空腔的起落架舱体结构,通过机械装置调节舱体底板及后壁倾斜角度,不需要额外增加舱体体积,使用声学有限元法探讨了该结构在低马赫数下的噪声抑制效果。研究发现:随着舱体后壁倾斜角度的增大,舱体内部及外部的噪声... 详细信息

提出了一种基于可变形空腔的起落架舱体结构,通过机械装置调节舱体底板及后壁倾斜角度,不需要额外增加舱体体积,使用声学有限元法探讨了该结构在低马赫数下的噪声抑制效果。研究发现:随着舱体后壁倾斜角度的增大,舱体内部及外部的噪声明显减小,同时模态频率逐渐增大,有助于避免舱体结构发生共振破坏;舱体后壁倾斜一个较小的角度就能有效地改善内部的声反射环境,进而抑制舱体内部的高频模态噪声、总声压级。当后壁倾斜角度大于某个临界值时,继续增大倾斜角度对于舱体内部高频模态噪声以及总声压级的抑制效果不再明显,在当前的仿真条件下,舱体后壁最佳倾斜角度范围为10°~16°。

关键词：可变形空腔起落架舱体低马赫数有限元法噪声抑制

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基于微转印技术的金刚石上硅材料制备与表征

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半导体技术 2024年第9期49卷 813-817页

作者：刘玉高定成薛忠营常永伟中国科学技术大学微电子学院合肥230026 中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室上海200050

硅基电子器件在高温、高功率、射频领域应用时面临热管理的挑战。为解决其散热和射频损耗问题,采用微转印技术在常温常压下将单晶硅薄膜转移至金刚石衬底上,制备出新型集成电路材料——金刚石上硅(SOD)。实验结果表明,转移的单晶硅薄膜... 详细信息

硅基电子器件在高温、高功率、射频领域应用时面临热管理的挑战。为解决其散热和射频损耗问题,采用微转印技术在常温常压下将单晶硅薄膜转移至金刚石衬底上,制备出新型集成电路材料——金刚石上硅(SOD)。实验结果表明,转移的单晶硅薄膜表面平整、无明显损伤,保持了其原有的完整性。透射电子显微镜的观察结果进一步显示,金刚石与硅之间的界面结合紧密,不存在纳米级间隙。界面热阻测试结果显示,SOD样品的有效界面热阻(R_(EI))为30.30m^(2)·K/GW,明显优于SOI样品的R_(EI)(376.78m^(2)·K/GW)。该研究验证了SOD材料在热管理方面的潜力,也为未来新型硅基器件的设计与应用提供了参考。

关键词：金刚石金刚石上硅(SOD) 热管理微转印界面热阻

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叠层SOI MOSFET不同背栅偏压下的热载流子效应

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半导体技术 2023年第8期48卷 665-669,675页

作者：汪子寒常永伟高远董晨华魏星薛忠营中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

叠层绝缘体上硅(SOI)器件通过调节背栅偏压来补偿辐照导致的阈值电压退化,对于长期工作在辐射环境中的叠层SOI器件,热载流子效应也是影响其可靠性的重要因素。因此,采用加速老化的方法研究了叠层SOI NMOSFET在不同背栅偏压下的热载流子... 详细信息

叠层绝缘体上硅(SOI)器件通过调节背栅偏压来补偿辐照导致的阈值电压退化,对于长期工作在辐射环境中的叠层SOI器件,热载流子效应也是影响其可靠性的重要因素。因此,采用加速老化的方法研究了叠层SOI NMOSFET在不同背栅偏压下的热载流子效应。实验结果表明,在负背栅偏压下有更大的碰撞电离,而电应力后阈值电压的退化却随着背栅偏压的减小而减小。通过二维TCAD仿真进一步分析了不同背栅偏压下的热载流子退化机制,仿真结果表明,背栅偏压在改变碰撞电离率的同时也改变了热电子的注入位置,正背栅偏压下会有更多的热电子注入到离前栅中心近的区域,而在负背栅偏压下则是注入到离前栅中心远的区域,从而导致正背栅偏压下的阈值电压退化更严重。

关键词：叠层绝缘体上硅(SOI) 热载流子效应背栅偏压 TCAD仿真界面陷阱电荷

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基于半导体光子学器件的太赫兹成像技术研究进展

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量子电子学报 2023年第2期40卷 181-192页

作者：王长宋高辉谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

太赫兹(THz)成像是THz技术应用的重要方向之一。基于THz量子级联激光器(QCL)和THz量子阱探测器(QWP)等半导体光子学器件的THz成像系统具有结构紧凑、空间分辨率高、成像信噪比较高等优点,已成为当前研究的热点领域。对国内外关于THz QCL... 详细信息

太赫兹(THz)成像是THz技术应用的重要方向之一。基于THz量子级联激光器(QCL)和THz量子阱探测器(QWP)等半导体光子学器件的THz成像系统具有结构紧凑、空间分辨率高、成像信噪比较高等优点,已成为当前研究的热点领域。对国内外关于THz QCL和THz QWP器件在远场和近场成像应用方面的研究进行了系统综述,分析了THz成像系统的构成和成像效果,总结了各THz成像系统的性能参数情况,并探讨了THz成像系统性能提升的途径及其应用前景。

关键词：激光技术成像太赫兹量子级联激光器量子阱探测器

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磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计

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物理学报 2022年第3期71卷 284-291页

作者：周书星方仁凤魏彦锋陈传亮曹文彧张欣艾立鹍李豫东郭旗湖北文理学院物理与电子工程学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳441053 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011

为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10^(15)cm^(-2... 详细信息

为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10^(15)cm^(-2)条件下,并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性,获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变化规律,分析了InP HEMT二维电子气辐射损伤与Si-δ掺杂浓度、InGaAs沟道厚度和沟道In组分以及隔离层厚度等结构参数的关系.结果表明:Si-δ掺杂浓度越大,隔离层厚度较薄,InGaAs沟道厚度较大,沟道In组分低的InP HEMT外延结构二维电子气辐射损伤相对较低,具有更强的抗电子辐照能力.经分析原因如下:1)电子束与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,且在沟道异质界面引入辐射诱导缺陷,增加复合中心密度,散射增强导致二维电子气迁移率和浓度降低;2)高浓度Si-δ掺杂和薄隔离层有利于提高量子阱二维电子气浓度,降低二维电子气受辐射损伤的影响;3)高In组分应变沟道有利于提高二维电子气迁移率,但辐照后更容易应变弛豫产生位错缺陷,导致二维电子气迁移率显著下降.

关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管二维电子气电子束辐照辐射加固

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一种基于全相位FFT幅值的频率补偿方法

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物联网学报 2022年第2期6卷 10-18页

作者：朱颖洁张武雄易辉跃许晖中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 上海微纳电子研发中心上海201210

距离测量是无线定位技术的重要组成部分而基于毫米波的测距精度取决于差频信号的频率估计,但是现有频率估计算法存在计算量大、精度低等问题。为了提高测距精度,对频率估计算法进行了深入研究,提出了一种基于全相位快速傅里叶变换(apFFT... 详细信息

距离测量是无线定位技术的重要组成部分而基于毫米波的测距精度取决于差频信号的频率估计,但是现有频率估计算法存在计算量大、精度低等问题。为了提高测距精度,对频率估计算法进行了深入研究,提出了一种基于全相位快速傅里叶变换(apFFT,all phasefast Fourier transform)幅值的频率补偿值和频率估计方法,提升了频率估计的性能。该方法首先基于全相位FFT和常规FFT频谱之间的关系,估计出信号幅值。而且,利用信号幅值、信号频谱幅值与频率补偿值之间的关系,采用牛顿迭代算法求解出频率补偿值。然后,利用频率补偿值对信号进行移频后再次估计频率补偿值,得到信号频率的最终估计值,并由此计算目标的距离。仿真结果表明所提方法比现有方法具有更高的距离测量精度。

关键词：毫米波定位测距频率估计

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一种低功耗动态CMOS逻辑门电路

一种低功耗动态CMOS逻辑门电路

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作者：陈静刘玉兰赵瑞勇肖寒刘源祯 200050 上海市长宁区长宁路865号

本申请提供了一种低功耗动态CMOS逻辑门电路，包括：预处理单元，预处理单元连接至一外部时钟信号，并用于对低功耗动态CMOS逻辑门电路进行预充电或预放电；第一输入单元，第一输入单元的第一端作为低功耗动态CMOS逻辑门电路的第一输入... 详细信息

标准号: CN118282387A

本申请提供了一种低功耗动态CMOS逻辑门电路，包括：预处理单元，预处理单元连接至一外部时钟信号，并用于对低功耗动态CMOS逻辑门电路进行预充电或预放电；第一输入单元，第一输入单元的第一端作为低功耗动态CMOS逻辑门电路的第一输入端，第一输入单元的第二端连接至预处理单元；第二输入单元，第二输入单元的第一端作为低功耗动态CMOS逻辑门电路的第二输入端，第二输入单元的第二端连接至第一输入单元的第一端并作为低功耗动态CMOS逻辑门电路的输出端。通过在所述动态CMOS逻辑门电路中引入外部时钟信号对第一输入单元、第二输入单元以及预处理单元进行控制，相继完成预操作与逻辑判决，仅消耗动态功耗，有效的提高了数字电路的能效比。

关键词：输入单元低功耗电路预处理单元第一端外部时钟信号输入端动态功耗数字电路能效比输出端与逻辑预充电预放电消耗判决引入申请

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