检索结果-内蒙古大学图书馆

中国激光 2019年第6期46卷 28-41页

作者：谭智勇曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室上海200050 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

光电表征技术是太赫兹应用技术的重要基础,涵盖了太赫兹频段光电器件表征、光谱测量、光束改善以及通信和成像应用等多个方面,在太赫兹应用领域中发挥着重要作用。介绍了太赫兹频段两种半导体量子器件的工作原理和最新进展,综述了二者... 详细信息

光电表征技术是太赫兹应用技术的重要基础,涵盖了太赫兹频段光电器件表征、光谱测量、光束改善以及通信和成像应用等多个方面,在太赫兹应用领域中发挥着重要作用。介绍了太赫兹频段两种半导体量子器件的工作原理和最新进展,综述了二者在太赫兹脉冲功率测量、探测器响应率标定等光电表征技术中的应用及其在太赫兹快速调制与探测、太赫兹扫描成像系统中的应用,最后介绍了太赫兹光电表征技术的改善,包括激光源光束质量改善和探测器有效探测面积的提高方法等,并给出了器件及表征技术的潜在应用。

关键词：太赫兹技术量子级联激光器量子阱探测器光电表征快速调制与探测

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究

引用

电子学报 2002年第5期30卷 661-663页

作者：柳襄怀任琮欣江炳尧朱宏刘炎源刘静贤中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 中国科学院电子学研究所北京100080

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表... 详细信息

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果。

关键词：碳膜抑制栅电子发射钼栅极离子束辅助沉积行波管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

微波退火和快速热退火下钛调制镍与锗锡反应

引用

物理学报 2021年第11期70卷 248-253页

作者：刘伟平云霞杨俊薛忠营魏星武爱民俞文杰张波上海工程技术大学数理与统计学院上海201620 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下,镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应,比较了微波退火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影响.研究结果表明:在微波退火300℃、快速热退火350℃条件下,可以形成连续平整的镍锗锡薄膜.通过进一步分... 详细信息

本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下,镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应,比较了微波退火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影响.研究结果表明:在微波退火300℃、快速热退火350℃条件下,可以形成连续平整的镍锗锡薄膜.通过进一步分析镍锗锡薄膜的元素分布,发现1 nm钛插入层发生"层转移"现象,钛在镍与锗锡合金反应后分布在样品的表面,由"插入层"变为"盖帽层";而锡元素因受到金属钛的调制作用,主要分布在镍锗锡薄膜/锗锡衬底的界面.

关键词：微波退火快速热退火锗锡合金钛插入层

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

介质金属膜波导在G波段和4.3THz的传输特性

引用

红外与毫米波学报 2019年第2期38卷 215-222页

作者：张学文谭智勇陈可旺李维轩赵泽巧俞舒元朱晓松曹俊诚石艺尉复旦大学信息科学与工程学院电磁波信息科学教育部重点实验室上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院太赫兹固态技术重点实验室上海200050

制作了具有不同介质膜厚度的大口径柔性介质金属膜波导,测试了金属膜波导和介质金属膜波导在G波段、4. 3 THz和中远红外等频段的传输特性.结果表明,波导的传输损耗在G波段随介质膜厚的增加而增加,孔径2. 6mm的金属膜波导在160 GHz传输... 详细信息

制作了具有不同介质膜厚度的大口径柔性介质金属膜波导,测试了金属膜波导和介质金属膜波导在G波段、4. 3 THz和中远红外等频段的传输特性.结果表明,波导的传输损耗在G波段随介质膜厚的增加而增加,孔径2. 6mm的金属膜波导在160 GHz传输损耗为2. 1 d B/m且在G波段波导的传输损耗对弯曲不敏感.在4. 3 THZ频点波导的传输损耗随介质膜厚的增加而减小,镀制介质膜可以大幅减小波导的传输损耗以及弯曲附加损耗,孔径3. 6mm介质膜厚为1. 2μm的介质金属膜波导的传输损耗为2. 84 d B/m.光斑能量则随介质膜厚的增加更加集中于低阶传输模式.

关键词：光纤光学介质金属膜波导 G波段太赫兹传输损耗

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善

引用

红外与毫米波学报 2009年第6期28卷 405-409页

作者：王凯张永刚顾溢李成李好斯白音李耀耀中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶... 详细信息

采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶格可以明显提高材料质量;器件在室温下的暗电流结果显示,直径为300μm的器件在反向偏压为10mV时,没有生长超晶格结构的器件暗电流为0.521μA,而生长超晶格结构的器件暗电流降到0.480μA.同时,在生长InxA l1-xAs组分线性渐变缓冲层之前首先生长一层InP缓冲层也有利于改善材料质量和器件性能.

关键词：数字梯度超晶格 InP缓冲层 InxGa1-xAs 位错

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

红外激光光声光谱气体传感谐振腔分析(英文)

引用

红外与毫米波学报 2010年第5期29卷 321-324,341页

作者：张晓钧张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

设计制作了适合中红外激光光声光谱气体检测用的圆柱形光声腔,采用有限元法对其声信号的传输和探测进行了模拟分析并与实际测量结果进行了系统的比较.结果表明此光声腔中的二阶纵模在4.2KHz附近具有最大的共振幅度和适中的Q值,十分适合... 详细信息

设计制作了适合中红外激光光声光谱气体检测用的圆柱形光声腔,采用有限元法对其声信号的传输和探测进行了模拟分析并与实际测量结果进行了系统的比较.结果表明此光声腔中的二阶纵模在4.2KHz附近具有最大的共振幅度和适中的Q值,十分适合中红外光声光谱气体传感应用.

关键词：光声光谱气体传感共振频率有限元方法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺

引用

半导体光电 2007年第5期28卷 667-670,675页

作者：刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低... 详细信息

简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低比接触电阻值可达6.49×10-5Ω.cm2。将此工艺结果应用于1.3μm VCSEL结构中,发现其开启电压和串联电阻显著减小。

关键词：垂直腔面发射激光器欧姆接触比接触电阻快速退火

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于微机械加工工艺的声子晶体器件

引用

人工晶体学报 2019年第8期48卷 1418-1423页

作者：郑忱煜徐德辉熊斌中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

声子晶体是一种周期复合人工超材料。声子晶体具有独有的声学特性-声学禁带,使其在声波控制和传输领域具有极强的应用潜力。利用微机械加工工艺制备的硅基声子晶体器件,可在微机电系统中实现高频弹性波的定向传输和控制,以及对弹性波能... 详细信息

声子晶体是一种周期复合人工超材料。声子晶体具有独有的声学特性-声学禁带,使其在声波控制和传输领域具有极强的应用潜力。利用微机械加工工艺制备的硅基声子晶体器件,可在微机电系统中实现高频弹性波的定向传输和控制,以及对弹性波能量的局域放大。设计了两种基于MEMS工艺的器件,分别用于实现功分器和谐振器的功能。内容覆盖了硅基声子晶体器件的背景、原理、设计、制造和表征等方面。

关键词：声子晶体微机电系统禁带

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

WSN中基于SDMA的移动高能效数据采集

引用

华中科技大学学报（自然科学版） 2011年第1期39卷 1-5页

作者：张帅丁盛黄河清王营冠中国科学院上海微系统与信息技术研究所无线传感网与通信重点实验室上海200050

利用空分多址(SDMA)技术的低时延特性,提出了一种低时延、高能效的移动Sink数据采集算法.首先利用SDMA技术的兼容节点对,按最小能耗最多配对准则,找出最佳的数据汇聚点;然后以兼容节点对的位置特征作为权值来源,使用加权最大配对算法(Ho... 详细信息

利用空分多址(SDMA)技术的低时延特性,提出了一种低时延、高能效的移动Sink数据采集算法.首先利用SDMA技术的兼容节点对,按最小能耗最多配对准则,找出最佳的数据汇聚点;然后以兼容节点对的位置特征作为权值来源,使用加权最大配对算法(Hopcroft-Karp算法),得出各汇聚节点对应的最优配对节点对集合;最后找出具有最多配对数目和最大覆盖集的数据汇聚点集合P′,访问集合P′的近似最短路径即是移动节点的最终路径.仿真结果表明,该算法在保持SDMA技术低时延优势的同时,延长了网络平均生存期,具有更好的能量均衡特点.

关键词：无线传感器网络高能效数据传递移动Sink 空分多址 Hopcroft—Karp算法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

新型MEMS光学电流传感器的设计

引用

半导体光电 2006年第5期27卷 534-538页

作者：赵本刚刘玉菲徐静高翔吴亚明中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室

提出了一种用于检测50Hz高压交流电的新型MEMS光学电流传感器。详细介绍了器件的敏感与光学检测原理，给出了器件结构、温度补偿、滤波和工艺的设计过程，并模拟分析了器件在交流电100～3600A下的性能。结果表明：滤波后可得到稳定的测... 详细信息

提出了一种用于检测50Hz高压交流电的新型MEMS光学电流传感器。详细介绍了器件的敏感与光学检测原理，给出了器件结构、温度补偿、滤波和工艺的设计过程，并模拟分析了器件在交流电100～3600A下的性能。结果表明：滤波后可得到稳定的测量光信号；温度变化±50K时相应的测试误差为0．2％；器件在大电流下的灵敏度优于0．02dB／A。

关键词：微电子机械系统光学电流传感器扭转微镜双光纤准直器滤波温度补偿

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：