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检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室"
1791 条 记 录,以下是181-190 订阅
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高效、偏振不敏感超导纳米线单光子探测器
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物理学报 2021年 第18期70卷 346-352页
作者: 张文英 胡鹏 肖游 李浩 尤立星 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050 中国科学院大学 北京100039 中国科学院空间主动光电技术重点实验室 上海200050
超导纳米线单光子探测器(SNSPD)因其优异的综合性能被广泛应用于量子通信等众多领域,然而其独特的线性结构会导致SNSPD的探测效率对入射光的偏振态具有依赖性,从而限制了SNSPD在非常规光纤链路或其他非相干光探测环境中的应用.本文基于... 详细信息
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偏置电压极性对力反馈电容式微加速度计特性的影响分析
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技术通讯 2004年 第12期14卷 67-72页
作者: 董林玺 车录锋 王跃林 浙江大学信息学院信电系,杭州311027//中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海200050
对电容式加速度计,为测量其电容的变化,通常需要带直流偏置的交流电压信号来驱动。驱动信号产生的静电力有时会干扰器件的测量和正常工作。文章中定量分析了带有电压反馈的双边驱动信号对器件特性的影响。对于这种驱动方式,正-负和正... 详细信息
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Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率
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物理学报 2013年 第22期62卷 345-350页
作者: 陈茜 王海龙 汪辉 龚谦 宋志棠 山东省激光偏光与信息技术重点实验室 曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海高等研究院 上海201203 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况... 详细信息
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中红外半导体光源和探测器件及其应用
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红外与激光工程 2011年 第10期40卷 1846-1850页
作者: 张永刚 顾溢 李耀耀 李爱珍 王凯 李成 李好斯白音 张晓钧 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
中红外波段(2~25μm)的光电子器件在气体检测、红外遥感和红外对抗等领域都有重要应用。介绍了笔者近年来在中红外波段的半导体光源和光电探测器方面的工作进展,包括InP基量子级联激光器、2μm波段锑化物量子阱激光器和波长扩展InGaAs... 详细信息
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光纤腔耦合碳化硅薄膜的理论计算
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物理学报 2022年 第6期71卷 42-50页
作者: 周继阳 李强 许金时 李传锋 郭光灿 中国科学技术大学 中国科学院量子信息重点实验室合肥230026 中国科学技术大学 中国科学院量子信息与量子科技创新研究院合肥230026 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
半导体材料中的自旋色心是量子信息处理的理想载体,引起了人们的广泛兴趣.近几年,研究发现碳化硅材料中的双空位、硅空位等色心具有与金刚石中的氮-空位色心相似的性质,而且其荧光处于更有利于光纤传输的红外波段.然而受限于这类色心的... 详细信息
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用于心脏电活动成像的空间滤波器输出噪声抑制方法
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物理学报 2018年 第15期67卷 360-368页
作者: 周大方 张树林 蒋式勤 同济大学电子与信息工程学院 上海201804 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
利用人体表面测量的心脏磁场数据无创成像心脏电活动,需要解决的关键问题是提高其重建分布电流源偶极矩强度的分辨率.本文在最小方差波束成形(MVB)方法的基础上,提出了一种可抑制空间滤波器输出噪声功率增益(SONG)的波束成形方法,目的... 详细信息
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波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化
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半导体光电 2008年 第6期29卷 851-854,972页
作者: 田招兵 顾溢 张晓钧 张永刚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提... 详细信息
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气态源分子束外延8元In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光伏探测器阵列
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半导体光电 2006年 第5期27卷 519-521,542页
作者: 田招兵 张永刚 李爱珍 顾溢 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性。探测器阵列在温下具有良好的性能,在-10 mV反偏下... 详细信息
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基于太赫兹量子级联激光器的反射式快速扫描成像
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光学学报 2017年 第6期37卷 95-101页
作者: 李孟奇 谭智勇 邱付成 万文坚 王长 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室 上海200050 上海科技大学信息科学与技术学院 上海201210
以太赫兹(THz)量子级联激光器为光源、低温热辐射计为信号接收端,采用可旋转和平移的二维扫描平台搭建反射式快速扫描成像系统。通过计算机控制扫描平台进行连续的旋转与平移运动,实时获取探测信号强度和样品位置信息,成功实现对直径为8... 详细信息
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氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质(英)
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无机材料学报 2017年 第10期32卷 1109-1114页
作者: 汪为磊 刘卫丽 白林森 宋志棠 霍军朝 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息材料国家重点实验室纳米技术实验室上海200050 中国科学院大学 北京100049 上海新安纳电子科技有限公司 上海201506
为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法。同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出... 详细信息
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