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语言

  • 82 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所战略研究室"
82 条 记 录,以下是1-10 订阅
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高容量的Ti-V基BCC相储氢合金
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高等学校化学学报 2004年 第2期25卷 351-353页
作者: 余学斌 吴铸 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 能源科学与技术研究室上海200050
The hydrogen storage performance of single BCC phase Ti-V-based alloys was investigated. A hydrogen absorption capacity of 4.2% was achieved at 293 K at a modest pressure(3 MPa) for Ti-40V-10Cr-10Mn alloy. The effecti... 详细信息
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一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)
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红外与毫米波学报 2009年 第2期28卷 81-84页
作者: 金智 程伟 刘新宇 徐安怀 齐鸣 中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室 北京100029 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μ***电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在... 详细信息
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硅纳米线场效应晶体管生物传感器在肿瘤分子诊断中的应用
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科学通报 2016年 第4期61卷 442-452页
作者: 鲁娜 高安然 戴鹏飞 宋世平 樊春海 王跃林 李铁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 微系统技术重点实验室上海200050 中国科学院上海应用物理研究所 物理生物学研究室与上海光源生物成像中心上海201800
肿瘤的早期诊断是目前临床医学最具挑战性的问题之一.分子诊断不仅能对肿瘤早期做出确切的诊断,而且能对肿瘤分期、分型、疗效监测和预后评估做出判断.硅纳米线作为新型一维半导体纳米材料,具有超高灵敏度、专一选择性、无标记检测、快... 详细信息
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单晶菱形CeOHCO_3片状物的制备及其向CeO_2的热转换(英文)
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无机化学学报 2011年 第4期27卷 759-763页
作者: 张泽芳 俞磊 刘卫丽 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
以硝酸铈铵和尿素为反应物,γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)为助剂,通过沉淀反应制得了单晶菱形CeOHCO3片状物。然后将CeOHCO3在600℃空气气氛中灼烧获得了菱形CeO2。通过XRD和SEM对反应物中是否含有KH550助剂得的产物进行了分析,结果... 详细信息
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相变随机存储器材料与结构设计最新进展
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半导体技术 2008年 第9期33卷 737-742页
作者: 刘波 宋志棠 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室 上海200050
介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关... 详细信息
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柠檬酸协助的Y2O3包覆LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2材料性能研究
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华南师范大学学报(自然科学版) 2009年 第S1期 182-183页
作者: 刘浩涵 张建 张熙贵 谢晓华 李佳 夏保佳 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室
采用溶胶凝胶法,以硝酸钇和柠檬酸为原料对LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2进行包覆.温下,在2.8~4.3 V和1 C充放电条件下,以柠檬酸协助的Y2O3包覆LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2材料作为正极,锂片作为负极,制成的电池50次循环容量没有衰减,而未加柠檬酸的Y... 详细信息
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针型神经微电极制作技术进展及其在脑机接口中的应用
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航天医学与医学工程 2007年 第6期20卷 464-468页
作者: 姚源 李刚 金庆辉 赵建龙 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室
近年来,植入式神经微电极已成为神经科学和微电子学一个新的研究热点。本文对植入式神经微电极中最常用的针型微电极制作技术的发展、研究现状以及在脑机接口中的应用进行了较为详细地综述,并讨论了各种制作方法的特点和局限,展望了该... 详细信息
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基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器
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固体电子学研究与进展 2011年 第6期31卷 601-605页
作者: 蔡道林 陈后鹏 王倩 丁晟 富聪 陈一峰 宏潇 李喜 陈小刚 刘波 宋志棠 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050
采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的... 详细信息
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相变存储器单元阵列的自动化演示系统
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微计算机信息 2007年 第20期23卷 4-5,37页
作者: 梁爽 宋志棠 刘波 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室
计算机通过GPIB卡和串口分别控制脉冲信号发生器和单片机实现对C-RAM(Chalcogenide-Random Access Memory)存储阵列芯片的数据存储、数据读取和简单的数据运算的直观演示。本文重点介绍了其硬件构成、软件实现。
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柠檬酸协助的Y_2O_3包覆LiNi_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2材料性能研究
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华南师范大学学报(自然科学版) 2009年 第A02期41卷 52-53页
作者: 刘浩涵 张建 张熙贵 谢晓华 李佳 夏保佳 中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室 上海200050
采用溶胶凝胶法,以硝酸钇和柠檬酸为原料对LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2进行包覆.温下,在2.8~4.3 V和1 C充放电条件下,以柠檬酸协助的Y2O3包覆LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2材料作为正极,锂片作为负极,制成的电池50次循环容量没有衰减,而未加柠檬酸的Y... 详细信息
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