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  • 1 篇 中国科学院上海微...
  • 1 篇 北京工业大学
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作者

  • 16 篇 王曦
  • 11 篇 柳襄怀
  • 8 篇 张峰
  • 7 篇 郑志宏
  • 7 篇 陈猛
  • 6 篇 邹世昌
  • 6 篇 俞跃辉
  • 6 篇 徐静芳
  • 6 篇 林志浪
  • 5 篇 宋朝瑞
  • 5 篇 冯涛
  • 5 篇 李琼
  • 4 篇 程新利
  • 4 篇 刘相华
  • 4 篇 张昌盛
  • 4 篇 肖海波
  • 4 篇 王永进
  • 3 篇 陈志君
  • 3 篇 陈静
  • 3 篇 董业民

语言

  • 35 篇 中文
检索条件"机构=中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室"
35 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
SIMOX大截面单模脊型光波导的研制
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光电子.激光 2004年 第1期15卷 25-28页
作者: 林志浪 程新利 王永进 张峰 中国科学院上海微系统信息技术研究所离子束实验室 上海200050
以注入氧隔离(SIMOX)技术制备的SOI(silicon on insulator)为衬底,利用气相外延生长技术获得了质量良好的厚膜SOI材料,进而通过反应离子刻蚀方法在厚膜SOI材料上成功研制了SIMOX大截面单模脊型光波导。对于波长为1.55μm的光,其传输损... 详细信息
来源: 评论
离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究
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压电与声光 2004年 第6期26卷 494-496,502页
作者: 宋朝瑞 俞跃辉 邹世昌 郑志宏 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室 上海200050
AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄... 详细信息
来源: 评论
N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟
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技术 2003年 第3期26卷 212-216页
作者: 林青 刘相华 朱鸣 谢欣云 林成鲁 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室 上海200050
将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与... 详细信息
来源: 评论
离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究
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电子学报 2002年 第5期30卷 661-663页
作者: 柳襄怀 任琮欣 江炳尧 朱宏 刘炎源 刘静贤 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室 上海200050 中国科学院电子学研究所 北京100080
本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表... 详细信息
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新型SOI基3×3多模干涉波导光开关的优化设计
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光学学报 2005年 第9期25卷 1208-1213页
作者: 贾晓玲 高凡 张峰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室 上海200050
提出了一种基于SOI材料的新型3×3多模干涉(MMI)波导光开关,在开关的多模波导中引入折射率调制区,利用硅的等离子色散效应改变多模波导局部区域的折射率,使得光场在传输过程中的相位发生变化,进而确定输出光场位置,实现开关功能。... 详细信息
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离子注入制备掺铒富硅氧化硅退火温度对光致发光的影响
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中国激光 2004年 第S1期31卷 459-461页
作者: 张昌盛 肖海波 林志浪 张峰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室 上海200050
研究离子注入掺铒富硅氧化硅材料的光致发光和发光强度随退火温度的变化.在实验中发现,材料在1.54 μm处的发光波形与发光强度均与退火温度有关.在1100℃退火条件,材料形成较好的硅纳米晶,提高了Er的激发和发光效率.在T>100K时,Er... 详细信息
来源: 评论
低损耗SOI单模脊形光波导的制备
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中国激光 2004年 第S1期31卷 230-232页
作者: 林志浪 程新利 王永进 张峰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束实验室 上海200050
表面散射损耗与菲涅耳反射损耗是SOI(Silicon-on-msulator)脊形光波导的主要损耗机理.通过降低光波导损耗的研究,在厚膜SOI材料上制备了长度为20 mm,插入损耗小于2.15 dB的单模脊形光波导.
来源: 评论
在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜
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功能材料 2004年 第6期35卷 736-738页
作者: 邢玉梅 陶凯 俞跃辉 郑志宏 杨文伟 宋朝瑞 沈达身 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室 上海200050 美国阿拉巴马大学电子与计算机工程系
 用电子蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退... 详细信息
来源: 评论
离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向
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中国有色金属学报 2003年 第6期13卷 1414-1419页
作者: 江炳尧 任琮欣 郑志宏 柳襄怀 樊会明 姚刘聪 李玉涛 苏小保 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室 上海200050 中国科学院电子学研究所 北京100080
采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、流密度为 0 .... 详细信息
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Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体
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无机材料学报 2003年 第6期18卷 1351-1356页
作者: 林志浪 郑新和 王群 周美玲 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室 上海200050 北京工业大学材料科学与工程学院 北京100022 中国科学院半导体研究所 北京100083
高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y_2O_3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.... 详细信息
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