检索结果-内蒙古大学图书馆

液晶与显示 2004年第3期19卷 163-167页

作者：张继华冯涛于伟东王曦柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所粒子束重点实验室上海200050

研究了粒子轰击对碳纳米管膜微结构和场电子发射性能的影响。研究结果表明,采用多种等离子体处理碳纳米管能改变其微结构,并显著提高场发射点密度,从而改善场发射性能。随着粒子轰击时间的延长,发射电流先降低,然后又增加甚至超过原始... 详细信息

研究了粒子轰击对碳纳米管膜微结构和场电子发射性能的影响。研究结果表明,采用多种等离子体处理碳纳米管能改变其微结构,并显著提高场发射点密度,从而改善场发射性能。随着粒子轰击时间的延长,发射电流先降低,然后又增加甚至超过原始碳纳米管膜的发射电流。我们认为发射性能的变化归功于不同的发射机理:粒子轰击处理后,电子由纳米管尖端发射逐渐变为主要从管体上的纳米瘤发射,致使发射点密度显著增加。

关键词：碳纳米管场发射微结构

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高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究

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功能材料与器件学报 2004年第3期10卷 323-326页

作者：邢玉梅俞跃辉林梓鑫宋朝瑞杨文伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室中国科学院研究生院北京100039

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透... 详细信息

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。

关键词：碳化硅埋层离子束合成结构退火结晶性能

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可驱动碳纳米管冷阴极数码管的研制

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真空电子技术 2006年第1期19卷 30-32,40页

作者：冯涛戴丽娟蒋军王曦柳襄怀李琼中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062

采用印刷技术实现了碳纳米管阴极的大面积、低成本制备,并采用等离子体表面改性技术来提高阴极的发射性能。在此工艺基础上,自行设计和封装了七段显示的碳纳米管冷阴极数码管,配以简单的驱动电路,实现了碳纳米管冷阴极数码管的动态显示。

关键词：碳纳米管数码管场发射冷阴极

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类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制

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功能材料与器件学报 2002年第3期8卷 293-296页

作者：冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放研究实验室上海200050 华东师范大学电子科学与技术系上海200062

采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达... 详细信息

采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。

关键词：类金刚石薄膜阴极阵列场发射显示器

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三色碳纳米管场发射灯的研制

三色碳纳米管场发射灯的研制

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第二届全国纳米技术与应用学术会议

作者：冯涛李琼张继华于伟东柳襄怀王曦徐静芳邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室(上海) 华东师范大学电子科学与技术系(上海)

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到~1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm... 详细信息

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到~1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/cm<'2>,发射点密度从~10<'3>/cm<'2>增加到~10<'5>/cm<'2>.在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件.

关键词：碳纳米管场发射丝网印刷法氢等离子体表面处理阴极材料

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氢等离子体处理——一种有效提高碳纳米管场发射性能的方法

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光散射学报 2003年第1期15卷 6-9页

作者：张继华冯涛于伟东王曦柳湘怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所粒子束重点实验室上海市长宁路865号200050

研究了经氢等离子体处理后多壁碳纳米管的场发射性能。测量了处理前后样品的电流电压特性和表面形貌。结果表明经氢等离子体处理后,发射性能明显改善,发射点密度由未经处理的104/cm2提高到106/cm2。发现了一种新的碳纳米管结构,称之为... 详细信息

研究了经氢等离子体处理后多壁碳纳米管的场发射性能。测量了处理前后样品的电流电压特性和表面形貌。结果表明经氢等离子体处理后,发射性能明显改善,发射点密度由未经处理的104/cm2提高到106/cm2。发现了一种新的碳纳米管结构,称之为多结的碳纳米管,并讨论了样品发射性能提高的可能机理。这种处理提供了一种有效提高发射点密度和基于碳纳米管的平板显示器性能的方法,非常适用于低成本大面积场发射阴极的制作。

关键词：碳纳米管场发射性能氢等离子体处理电流电压特性表面形貌场发射阴极

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离子束增强沉积二氧化钒多晶薄膜的成膜机理

离子束增强沉积二氧化钒多晶薄膜的成膜机理

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第十届全国光电技术与系统学术会议

作者：李金华袁宁一江苏工业学院信息科学系功能材料实验室(常州) 中国科学院上海微系统及信息技术研究所离子束开放实验室(上海)

设计了一种用离子束增强沉积制备高性能VO薄膜的新方法.在溅射VO粉末靶的同时,用氩、氢混合束,对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500°C以上的退火,获得热电阻温度系数(TCR)高达4﹪的VO薄膜.成膜机理是,利用高剂量氩离子注入的损伤... 详细信息

设计了一种用离子束增强沉积制备高性能VO<,2>薄膜的新方法.在溅射V<,2>O<,5>粉末靶的同时,用氩、氢混合束,对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500°C以上的退火,获得热电阻温度系数(TCR)高达4﹪的VO<,2>薄膜.成膜机理是,利用高剂量氩离子注入的损伤效应使V<,2>O<,5>的V-O键断裂;利用注入氢的还原效应将V<,2>O<,5>转换成VO<,2>薄膜.利用轰击效应使薄膜致密;利用混合效应使界面结合牢固、薄膜结构均匀;利用搀杂效应,使氩出现在晶格的间隙位置,产生张应力、降低了薄膜的转换温度,高了其TCR.

关键词：二氧化钒薄膜离子束增强沉积成膜机理

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