检索结果-内蒙古大学图书馆

压电与声光 2004年第6期26卷 494-496,502页

作者：宋朝瑞俞跃辉邹世昌郑志宏中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄... 详细信息

AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄膜电绝缘性能的主要参数。研究结果表明,沉积过程中向IBED系统通入一定的氮气可有效提高薄膜的N/Al,使其接近化学计量比(从0.53∶1到0.81∶1)及电绝缘性能(击穿电场约为1.42MV/cm)。

关键词： AlN薄膜离子束增强沉积(IBED) 电绝缘性能

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N^+、O^+共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

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核技术 2003年第3期26卷 212-216页

作者：林青刘相华朱鸣谢欣云林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束开放实验室上海200050

将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与... 详细信息

将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构。本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合。

关键词：氮离子氧离子离子注入硅片 SOI绝缘埋层计算机模拟

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离子束辅助沉积碳膜抑制栅电子发射研究

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电子学报 2002年第5期30卷 661-663页

作者：柳襄怀任琮欣江炳尧朱宏刘炎源刘静贤中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 中国科学院电子学研究所北京100080

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表... 详细信息

本文利用离子束辅助沉积方法在钼栅极的表面镀上一层碳膜 ,采用模拟二极管的方法测量阴极活性物质Ba、BaO蒸发沉积在镀碳钼栅与纯钼栅表面后的电子发射性能 .测量结果表明 ,镀碳钼栅的电子发射量显著减少 .依据XPS、电子探针对钼栅极表面阴极发射物的分析结果。

关键词：碳膜抑制栅电子发射钼栅极离子束辅助沉积行波管

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新型SOI基3×3多模干涉波导光开关的优化设计

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光学学报 2005年第9期25卷 1208-1213页

作者：贾晓玲高凡张峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

提出了一种基于SOI材料的新型3×3多模干涉(MMI)波导光开关,在开关的多模波导中引入折射率调制区,利用硅的等离子色散效应改变多模波导局部区域的折射率,使得光场在传输过程中的相位发生变化,进而确定输出光场位置,实现开关功能。... 详细信息

提出了一种基于SOI材料的新型3×3多模干涉(MMI)波导光开关,在开关的多模波导中引入折射率调制区,利用硅的等离子色散效应改变多模波导局部区域的折射率,使得光场在传输过程中的相位发生变化,进而确定输出光场位置,实现开关功能。采用有限差分光束传播法(FD-BPM)方法对开关的各个状态进行了模拟和分析,并对器件的结构参量进行了优化设计,采用优化后的结构参量,开关可实现的最大消光比达到-17.27 dB。

关键词：集成光学多模干涉耦合器光开关 SOI 全光网络

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在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜

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功能材料 2004年第6期35卷 736-738页

作者：邢玉梅陶凯俞跃辉郑志宏杨文伟宋朝瑞沈达身中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 美国阿拉巴马大学电子与计算机工程系

　用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退... 详细信息

　用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2。借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能。

关键词： SOI材料氧化铪薄膜

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离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向

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中国有色金属学报 2003年第6期13卷 1414-1419页

作者：江炳尧任琮欣郑志宏柳襄怀樊会明姚刘聪李玉涛苏小保中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 中国科学院电子学研究所北京100080

采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .... 详细信息

采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .9A/m2 时 ,铪膜为 (110 )择优取向。当束流密度大于 1.2A/m2 时 ,铪膜以 (0 0 2 )、(10 0 )混合晶向为主 ,而与Ar+ 离子的入射角度无关。讨论了铪膜晶粒取向的转变机制 ,认为铪膜晶粒的择优取向 ,不是单纯地取决于基于沟道效应的溅射机制 ,或取决于基于能量极小原理的表面能最小或表面应力最小的面生长较快的机制 ,而是影响薄膜生长的各种因素互相竞争、共同作用 ,在非平衡态条件下表面能极小化的结果。

关键词：铪薄膜晶粒择优取向离子束辅助沉积 IBAD

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Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体

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无机材料学报 2003年第6期18卷 1351-1356页

作者：林志浪郑新和王群周美玲中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050 北京工业大学材料科学与工程学院北京100022 中国科学院半导体研究所北京100083

高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y_2O_3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.... 详细信息

高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y_2O_3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.粉化后获得的复合AIN粉体具有纯度高,氧杂质含量低,粒度细小等优点.

关键词： AlN粉体 Lanxide技术铝合金烧结助剂

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粒子轰击对碳纳米管微结构和场发射性能的影响

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液晶与显示 2004年第3期19卷 163-167页

作者：张继华冯涛于伟东王曦柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所粒子束重点实验室上海200050

研究了粒子轰击对碳纳米管膜微结构和场电子发射性能的影响。研究结果表明,采用多种等离子体处理碳纳米管能改变其微结构,并显著提高场发射点密度,从而改善场发射性能。随着粒子轰击时间的延长,发射电流先降低,然后又增加甚至超过原始... 详细信息

研究了粒子轰击对碳纳米管膜微结构和场电子发射性能的影响。研究结果表明,采用多种等离子体处理碳纳米管能改变其微结构,并显著提高场发射点密度,从而改善场发射性能。随着粒子轰击时间的延长,发射电流先降低,然后又增加甚至超过原始碳纳米管膜的发射电流。我们认为发射性能的变化归功于不同的发射机理:粒子轰击处理后,电子由纳米管尖端发射逐渐变为主要从管体上的纳米瘤发射,致使发射点密度显著增加。

关键词：碳纳米管场发射微结构

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SIMOX硅片埋氧层垂直方向热导率的测量

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Journal of Semiconductors 2003年第10期24卷 1063-1066页

作者：何平刘理天田立林李志坚董业明陈猛王曦清华大学微电子学研究所北京100084 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法 ,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率 .测量结果显示至少在 5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率... 详细信息

提出了一种简单、有效而且准确的测量SOI硅片埋氧层垂直方向热导率的方法 ,并采用这种方法测量了用SIMOX工艺制作的SOI硅片的埋氧层垂直方向的热导率 .测量结果显示至少在 5 5nm以上的尺度上对于SIMOX硅片的埋氧层垂直方向经典的热导率定义仍然成立 ,且为一明显小于普通二氧化硅的热导率 (1 4W/mK)的常数1 0 6W/mK .测量中发现硅 /二氧化硅边界存在边界热阻 ,并测量了该数值 .结果表明 ,边界热阻在SOI器件尤其是薄二氧化硅背栅的双栅器件热阻的计算中不可忽略 .

关键词： SOI SIMOX 热导率边界热阻

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Investigation of Thermal Property of Novel DSOI MOSFETs Fabricated with Local SIMOX Technique

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Journal of Semiconductors 2003年第2期24卷 117-121页

作者：林羲何平田立林李志坚董业民陈猛王曦清华大学微电子学研究所北京100084 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室上海200050

DSOI,bulk Si and SOI MOSFETs are fabricated on the same die successfully using local oxygen implantation *** thermal properties of the three kinds of devices are described and compared from simulation and *** simulation and measurement prove that DSOI MOSFETs have the advantage of much lower thermal resistance of substrate and suffer less severe self heating effect than their SOI counterparts. At the same time,the electrical advantages of SOI devices can *** thermal resistance of DSOI devices is very close to that of bulk devices and DSOI devices can keep this advantage into deep sub micron realm.

关键词： DSOI SOI local SIMOX self heating effect thermal resistance

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